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最新专利技术
  • 表面包覆磷酸锂的单晶高镍三元正极材料及其制备方法以及正极和电池
    表面包覆磷酸锂的单晶高镍三元正极材料及其制备方法以及正极和电池_北京理工大学_202511162682.0
    本发明涉及电池领域，公开了一种表面包覆磷酸锂的单晶高镍三元正极材料及其制备方法以及正极和电池，制备方法包括将单晶态高镍三元正极材料和包覆原料进行混合，然后将混合物进行煅烧，其中煅烧的温度为500‑800℃，时间为5‑10h，包覆原料在煅烧时...
    2025-11-30
  • 端部绝缘的电极体的制造方法
    端部绝缘的电极体的制造方法_丰田自动车株式会社_202510638863.X
    目的在于提供改善了体积效率的电极体的制造方法。一种端部绝缘的电极体的制造方法，包含：提供电极体的工序(a)；将电极体的端部切断而形成端面的工序(b)；以及在端面形成绝缘部的工序(c)，在工序(c)中，使具有多个凸部和保持在多个凸部之间的凹部...
    2025-11-30
  • 湿润粉体的成膜方法
    湿润粉体的成膜方法_丰田自动车株式会社_202510631021.1
    提供一种湿润粉体的成膜方法，能够使用压延辊适当地将湿润粉体转印至片状的基材而成膜。使用具备第一辊、第二辊和第三辊的涂敷装置(CE)，以使第二辊(2)的圆周速度比第一辊(1)快的方式使第一辊(1)和第二辊(2)分别旋转，使湿润粉体(6)转印至...
    2025-11-30
  • 封装结构、半导体器件及电子设备
    封装结构、半导体器件及电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511395395.4
    本公开涉及一种封装结构、半导体器件及电子设备，该封装结构包括芯片单元和存储单元。芯片单元包括第一芯片和设置在第一方向上第一芯片一侧的第二芯片，其中，第一芯片包括接口模块，第二芯片包括计算模块；存储单元包括多个依次堆叠的存储模块，设于第一方向...
    2025-11-30
  • 射频前端组件、射频收发系统、通信设备
    射频前端组件、射频收发系统、通信设备_华为技术有限公司_202410658343.0
    本申请实施例提供一种射频前端组件、射频收发系统、通信设备，涉及通信技术领域，用于提高射频前端模组的集成度。射频前端组件可以划分出第一区和第二区，射频前端组件内集成设置有环形器和射频芯片(或者无源器件)。环形器位于第一区，射频芯片位于第二区，...
    2025-11-30
  • 一种埋入式封装结构、电源以及制造方法
    一种埋入式封装结构、电源以及制造方法_华为技术有限公司_202410649907.4
    本申请实施例提供了一种埋入式封装结构，包括基板框架、电感、第一电容、第二电容、第一芯片以及第一塑封层。电感埋嵌在所述基板框架中，电感的第一侧设置有第一容纳槽，第一侧靠近基板框架的上表面，电感的第二侧设置有第二容纳槽，第二侧靠近基板框架的下表...
    2025-11-30
  • 具有电感器与集成电路的整合封装结构及其制造方法
    具有电感器与集成电路的整合封装结构及其制造方法_立锜科技股份有限公司_202411867010.5
    本发明提供一种具有电感器与集成电路的整合封装结构及其制造方法。该具有电感器与集成电路的整合封装结构包含：基板，具有预设电路布局；集成电路，设置于基板上，且集成电路以倒装方式与基板接合，且接合集成电路与基板的接合物被包覆材料包覆，其中集成电路...
    2025-11-30
  • 半导体封装及其制造方法
    半导体封装及其制造方法_三星电子株式会社_202510350274.1
    本公开提供了一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一半导体芯片，具有设置有第一连接焊盘的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；第二半导体芯片，在第二表面上，并且具有设置有第二连接焊盘的第三表面以及与第三表面相对的的第四表面；连接结...
    2025-11-30
  • 集成宽SOA单元的SGT MOSFET senseFET的设计方法
    集成宽SOA单元的SGT MOSFET senseFET的设计方法_华羿微电子股份有限公司_202511105018.2
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，公开了集成宽SOA单元的SGT MOSFET senseFET的设计方法，在基板上布置主芯片，主芯片包括芯片一、芯片二、芯片三和微型senseFET探头，微型senseFET探头布置在基板的中心位置；在芯片...
    2025-11-30
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510618285.3
    本发明的半导体装置用于防止标准型半导体模块和镜像型半导体模块的误搭载。半导体装置(100)具备并排配置在第1方向上的标准型半导体模块(10)和镜像型半导体模块(20)。在标准型半导体模块(10)和镜像型半导体模块(20)的至少一个的封装的上...
    2025-11-30
  • 半导体故障检测
    半导体故障检测_谷歌有限责任公司_202510481731.0
    本文档描述了针对半导体故障检测的系统和技术。在各方面，半导体器件包括便于检测和定位缺陷的物理结构。该物理结构包括至少一个导电互连件，该至少一个导电互连件延伸穿过半导体器件的两个或更多个层，从而实现对故障的电气检测。此类系统和技术可以帮助提高...
    2025-11-30
  • 芯片、电子设备、半导体器件及其测试方法
    芯片、电子设备、半导体器件及其测试方法_华为技术有限公司_202410642840.1
    提供了一种芯片、电子设备、半导体器件及其测试方法，涉及半导体技术领域，用以解决测试设备不兼容采用背部供电网络技术的半导体器件的问题。半导体器件包括衬底、测试结构、连接部第一探针垫、第二探针垫和第一连接结构。测试结构和连接部设置于衬底的第一侧...
    2025-11-30
  • 一种芯片封装结构以及电子设备
    一种芯片封装结构以及电子设备_昆仑芯(北京)科技有限公司_202511134383.6
    本公开提供了一种芯片封装结构以及电子设备，涉及芯片技术领域，尤其涉及芯片封装领域。具体实现方案为：该芯片封装结构包括：第一芯片、第二芯片和硅中介质层；硅中介质层设置有N层导电层和一层重布线层；在硅中介质层的厚度方向上，N层导电层依次间隔设置...
    2025-11-30
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202411913402.0
    半导体封装可以包括：封装基板；第一中介层，在封装基板上；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在第一中介层上；第二中介层，在第一半导体芯片上；第三半导体芯片，在第二中介层上；以及第一通孔，延伸到第一半导体芯片中并且在第一中介层和第二中介层之间。
    2025-11-30
  • 存储器件、互连结构及其制备方法
    存储器件、互连结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410667169.6
    本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种互连结构及其制备方法，互连结构，包括：衬底，衬底具有第一沟槽和位于第一沟槽上方的第二沟槽；第一接触结构，位于第一沟槽内，第一接触结构的侧壁与衬底直接接触；第一布线，位于第一接触结构上，且部分第一布线沿平...
    2025-11-30
  • 一种双开尔文源连接封装结构
    一种双开尔文源连接封装结构_重庆大学_202510952644.9
    本发明属于半导体功率器件封装技术领域，具体公开了一种双开尔文源连接封装结构，包括：第一开尔文源连接引脚和第二开尔文源连接引脚；第一开尔文源连接引脚连接低压Si MOSFET芯片的源极，作为Si/SiC Cascode器件的功率源极；第二开尔...
    2025-11-30
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202510371143.1
    本发明涉及半导体装置。在半导体装置中，在抑制正极端子和负极端子的安装面积的增加的同时使互感增大。半导体装置(1)具备：半导体元件(10)；基板(20)，该半导体元件(10)安装于该基板(20)；以及正极端子(30)和负极端子(40)，其配置...
    2025-11-30
  • 基板结构
    基板结构_欣兴电子股份有限公司_202410638331.1
    本揭露提供一种基板结构。基板结构包括基板及导孔。基板具有彼此相对的第一表面及第二表面。导孔设置于基板中并沿着第一方向贯穿基板，其中导孔包括第一导电组件及第二导电组件。第一导电组件邻近基板的第一表面，其中第一导电组件包括第一晶种层及第一导电部...
    2025-11-30
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_住友电工光电子器件创新株式会社_202510469229.8
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。本公开提供一种能提高基底部与树脂封固部的密合性的半导体装置。半导体装置具备：基底部(12)，至少上表面是金属；一个或多个部件，隔着第一导电性构件(16)安装于所述基底部上，包括半导体芯片；第二导电性构件(1...
    2025-11-30
  • 导线架与封装结构
    导线架与封装结构_常忆科技股份有限公司_202410645748.0
    一种导线架与封装结构，封装结构包含一导线架、至少一半导体芯片及一塑胶封装材料。导线架包含一芯片座及多个引脚，其中引脚分别位于导线架的二侧。半导体芯片设置于导线架的芯片座上。塑胶封装材料设置于导线架上。引脚中至少一者具有一主体部与一延伸部，且...
    2025-11-30
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