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最新专利技术
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510742491.5
    本公开内容涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括衬底和嵌入在所述衬底中的管芯，其中，所述衬底是多层衬底，所述多层衬底包括：形成所述半导体装置的顶侧的导电顶侧层；形成所述半导体装置的基板的导电底侧层；在顶侧层和底侧层之间的第一电连接器...
    2026-01-20
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_富士电机株式会社_202510668677.0
    本发明的课题是提供一种改善功率循环耐量的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包括导电图案(22)和第一半导体芯片(30a)，该导电图案(22)包括在上表面(22a1)具有第一芯片区域(22c1)的导电板(22a)、以及在导电板(2...
    2026-01-20
  • 一种PCB嵌入式功率模块封装
    一种PCB嵌入式功率模块封装_华侨大学_202511714597.0
    本发明提供了一种PCB嵌入式功率模块封装, 包括多个上桥臂功率芯片，下桥臂功率芯片，还包括连接有上桥臂直流输入端子的上层铜箔、连接有下桥臂直流输出端子的中间层铜箔、连接有交流输出端子的下层铜箔，中间层铜箔间隔设置有多个开孔；多个上桥臂功率芯...
    2026-01-20
  • 一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法
    一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法_长鑫存储技术有限公司_202511278671.9
    本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供形成有半导体器件的晶圆；在所述晶圆中形成盲孔；在所述盲孔内，沉积第一金属材料以形成硅通孔；去除所述晶圆表面沉积的第一金属材料，并平坦化所述晶圆表面...
    2026-01-20
  • 芯片封装键合方法以及键合结构
    芯片封装键合方法以及键合结构_北京昂瑞微电子技术股份有限公司_202410783929.X
    本公开提供了一种芯片封装键合方法和键合结构，所述芯片封装键合方法包括：键合焊球形成步骤，在其中，通过对金属焊丝的末端施加瞬间高压来形成初始键合焊球；成形步骤，在其中，通过将初始键合焊球与焊盘相接触，并且在对焊球施加向下的成形压力的同时在纵向...
    2026-01-20
  • 玻璃芯架构中的同轴过孔
    玻璃芯架构中的同轴过孔_英特尔公司_202510601788.X
    本公开内容涉及玻璃芯架构中的同轴过孔。在一个实施例中，衬底包括具有多个同轴穿玻璃过孔(TGV)的玻璃芯层。同轴TGV包括其间具有电介质的第一导电部分和第二导电部分。同轴TGV的外导电部分可以使用电镀金属形成，而TGV的内导电部分可以使用金属...
    2026-01-20
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_住友电气工业株式会社_202510585670.2
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。本公开提供能减小半导体元件与引线的电阻的半导体装置。半导体装置(100)具备：半导体元件(30)；第一金属层(16)，与所述半导体元件(30)电连接；接合层(20)，接合于所述第一金属层(16)上，所述接合...
    2026-01-20
  • 一种两相双层交错强化微通道散热器
    一种两相双层交错强化微通道散热器_北京交通大学_202511705856.3
    本申请实施例提供一种两相双层交错强化微通道散热器，两相双层交错强化微通道散热器其包括层叠的上层冷板和下层冷板，上层冷板和下层冷板内分别设置有多个阵列排布的第一肋片和第二肋片，以在上层冷板内形成第一微通道群，在下层冷板内形成第二微通道群，第一...
    2026-01-20
  • 一种集成金属丝网式均热板的GaN器件与应用
    一种集成金属丝网式均热板的GaN器件与应用_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511074725.X
    本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种集成金属丝网式均热板的GaN器件与应用。针对高功率密度GaN芯片的散热瓶颈、现有分立式结构中GaN芯片与均热板间的热阻降低等问题，提出一种集成金属丝网式均热板的GaN器件。本发明一种集成金属丝网式均热...
    2026-01-20
  • 半导体装置以及制造该半导体装置的方法
    半导体装置以及制造该半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510780739.7
    提供了半导体装置以及制造该半导体装置的方法。例如，半导体装置可以包括：基板；中介层，至少部分地在基板的面向第一方向的第一表面上；第一半导体芯片，在中介层的面向第一方向的第一表面上；第二半导体芯片，至少部分地在中介层的第一表面上，第二半导体芯...
    2026-01-20
  • 芯片封装结构及其制作方法、电子设备
    芯片封装结构及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202410783210.6
    本申请提供一种芯片封装结构及其制作方法、电子设备，该芯片封装结构包括第一基板(可以称为下基板)、第一芯片、第二基板(可以成为上基板)、第一散热介质、塑封料。第一芯片设置在第一基板上。第二基板设置在第一芯片远离第一基板的一侧。第一散热介质设置...
    2026-01-20
  • 集成封装结构及其制备方法、计算系统
    集成封装结构及其制备方法、计算系统_海光信息技术股份有限公司_202511546636.0
    本申请涉及一种集成封装结构及其制备方法、计算系统，其中集成封装结构，包括：玻璃基板，包括玻璃芯层和分别位于玻璃芯层的第一表面和第二表面的第一布线层和第二布线层；导热柱孔和散热器安装孔，分别贯穿第一布线层、玻璃芯层和第二布线层；多个第一芯片，...
    2026-01-20
  • 一种带翼片结构的散热器
    一种带翼片结构的散热器_惠州市乐亿通科技股份有限公司_202511496044.2
    本发明所述的一种带翼片结构的散热器，所述散热器包括：位于XY平面上底座，底座支撑若干均匀分布的垂直散热片，所述散热片位于YZ平面形成第一分离通道；每一散热片在朝向 ‑Y 矢量方向的内表面配备单个翼片，每个散热片的终端朝+X方向设有凸起结构。...
    2026-01-20
  • 一种晶圆级散热结构及制作方法
    一种晶圆级散热结构及制作方法_中国电子科技集团公司第四十三研究所_202511468966.2
    本发明公开了一种晶圆级散热结构及制作方法。所述晶圆级散热结构，包括散热基底、器件晶圆以及键合层，所述散热基底为一下表面生长有金刚石层的第一硅晶圆，其上表面镀覆有第一铜层；所述器件晶圆为一上表面集成有源器件的第二硅晶圆，其下表面镀覆有第二铜层...
    2026-01-20
  • 包括集成晶圆级散热器窗口板的半导体器件
    包括集成晶圆级散热器窗口板的半导体器件_闪迪技术公司_202411622800.7
    本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体控制器裸片，以及一个或多个半导体存储器裸片的叠堆。在一个示例中，该控制器裸片能够具有形成在该裸片的顶部上的集成散热器窗口板或称HSWP。在其他示例中，该存储器裸片的该叠堆中的最上部存储器裸...
    2026-01-20
  • 一种MOS芯片散热封装结构及其封装工艺
    一种MOS芯片散热封装结构及其封装工艺_合肥矽迈微电子科技有限公司_202511663008.0
    本发明公开了一种MOS芯片散热封装结构及其封装工艺，该结构包括：裸片，包封在封装体内，裸片A面和相对的B面均设有电极，裸片A面电极通过引脚A外露在封装体外，裸片B面电极电镀有布线层；侧金属层，一端与布线层电性连接，相对的另一端电连有引脚B，...
    2026-01-20
  • 半导体结构及半导体器件
    半导体结构及半导体器件_苏州华太电子技术股份有限公司_202511429798.6
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及半导体器件，半导体结构包括导电基座、电子器件以及功能连接件。其中，导电基座的一侧设置有外接件。电子器件、功能连接件均连接于导电基座的表面，电子器件与导电基座电导通。其中，功能连接件包括导电互连...
    2026-01-20
  • RF半导体装置和其制造方法
    RF半导体装置和其制造方法_QORVO美国公司_202511360106.7
    本公开涉及RF半导体装置和其制造方法。本公开涉及一种射频(RF)装置，所述装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域和第一模制化合物，所述装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于BEOL部分之上...
    2026-01-20
  • 芯片封装结构、电子设备以及制备方法
    芯片封装结构、电子设备以及制备方法_北京平头哥信息技术有限公司_202511332631.8
    本发明实施例公开了一种芯片封装结构、电子设备以及制备方法，芯片封装结构包括基板、设置在基板上表面的第一芯片和封装结构件，第一芯片的上表面设有导热填充层，封装结构件包括连接为一体的加固环和支撑结构，加固环围绕设置在第一芯片的外侧，支撑结构固定...
    2026-01-20
  • 包括刚性层的电子元件及其制造方法
    包括刚性层的电子元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411799263.3
    本公开提供一种电子元件以及此电子元件的制造方法。此电子元件包括：一第一半导体芯片，被一第一封装剂所封装；一第二半导体芯片，被一第二封装剂及一第一中间结构所封装。该第二半导体芯片设置在该第一半导体芯片之上并且电性连接到该第一半导体芯片。该第一...
    2026-01-20
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