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  • 本发明的一种延期执行电路功能参数自动测试方法,该方法包括:构建测试系统,进行系统自检;若系统自检通过,进行延期电路参数测试;对延期电测参数测试结果进行评估,并将评估结果生成数据汇总表;对数据汇总表进行评估,根据评估结果进行数据处理并结束参数...
  • 本申请提出一种芯片检测方法、装置、电子设备、芯片和存储介质,涉及芯片领域,其中,方法包括:基于多个供电参数对芯片中的传感器进行供电,以得到传感器在多个供电参数下的输出参数;确定至少一组供电参数对,及供电参数对中各供电参数对应的输出参数;其中...
  • 本发明公开了一种探针卡测试装置,具体涉及芯片检测技术领域,包括探针卡组件、晶圆固定台和检测驱动单元,探针卡组件由底板、固定基板和柔性PCB板组成,固定基板安装在底板上,柔性PCB板固定安装在固定基板上,底板上还安装有保护罩,探针单元包括浮动...
  • 本发明公开了一种高低寿命测试的问题定位方法及系统,属于芯片测试技术领域,通过获取硬件初始化程序中的待测芯片的多个IP测试程序,并记录测试开始的时间信息和自锁检测机制,检测待测芯片在自检测机制中的复位信号,并将复位信号与预设异常复位信号进行匹...
  • 本发明公开了一种电路板测试与质量筛选自动化方法及系统,旨在解决传统电路板测试效率低、精度不足、质量控制不完善问题。通过高精度的X/Y/Z三维定位机械臂实现电路板的精准定位,结合多通道示波器、信号源、频谱分析仪等设备进行并行测试,提高了测试效...
  • 本申请实施例提供了一种具有加热功能的芯片测试装置,该装置包括:水冷散热器,所述水冷散热器包括散热器顶部和散热器底部,所述水冷散热器用于给被测芯片降温;加热装置,所述加热装置用于将测试环境温度加热到所述被测芯片需要测试的温度,所述加热装置与所...
  • 本申请涉及一种芯片接地检测设备,所述芯片接地检测设备包括:电流源;开关装置,包括一个或多个开关单元;电压监视单元,所述电压监视单元经由所述一个或多个开关单元耦合至芯片的裸露焊盘;以及控制单元,用于控制所述一个或多个开关单元,并且配置成在所述...
  • 一种双极型晶体管低剂量率效应在轨测试电路及方法,测试电路包括:被测器件电路、反馈调节电路、电压跟随电路、差分采集电路,被测器件电路用于检测被测双极型晶体管的基极电流,从而验证双极型晶体管的低剂量率增强效应;反馈调节电路连接被测器件的基极,用...
  • 基于高次谐波幅相解调的半导体封装失效检测方法,涉及半导体封装检测技术领域。本申请是为了解决现有半导体封装缺陷检测方法存在的诸多问题。本申请向被测半导体封装施加电流激励使其产热,并采集被测半导体封装的热图序列;根据电流激励合成所述热图序列每阶...
  • 本申请提供一种单模半导体激光器失效评估方法、装置及电子设备,涉及半导体激光器技术领域。该方法包括:获取失效单模半导体激光器的光功率电流特性测试曲线;根据预设光功率电流特性标准曲线和失效单模半导体激光器的光功率电流特性测试曲线,确定失效单模半...
  • 本发明属于IGBT键合引线故障检测技术领域,具体提供一种基于表面磁信号的IGBT模块键合引线剥离检测方法,用以避免现有基于磁信号的键合引线剥离检测方法因传感器布置带来的侵入性和破坏性。本发明利用铁氧体线圈磁探头捕捉IGBT模块表面由关断过程...
  • 本发明涉及IGBT测试的技术领域,特别是涉及一种多维度IGBT衰减特性测试系统,包括:测试模块、数据获取模块、数据处理模块、数据分析模块、数据储存模块和控制管理模块;其首先从样本更换到数据分析全程无人干预,大幅提升测试效率;其次基于多目标优...
  • 本发明公开了一种故障诊断方法,具体是涉及到一种两电平逆变器功率管与电流传感器的故障诊断方法及装置。所述方法包括:获取电流周期内的第一相电流、第二相电流和第三相电流,所述第三相电流基于所述第一相电流和所述第二相电流计算得到;构建输出电流轨迹和...
  • 本发明公开了一种故障诊断方法,具体是涉及到一种功率管与电流传感器的故障诊断方法、装置及电子设备。所述方法包括:获取信号周期内的第一相电流和第二相电流;基于所述第一相电流和所述第二相电流计算第三相电流;以所述第一相电流为横坐标且所述第二相电流...
  • 本发明涉及车规级功率部件检测技术领域,且公开了一种无功负载的车规级功率部件测试工装,包括测试柜、滑台和安装台,滑台通过水平滑动副安装在测试柜内,并能沿其长度方向部分伸出测试柜,滑台的上端固定有顶部开口的支撑盒,安装台固定嵌设在支撑盒的开口内...
  • 本发明涉及半导体激光器检测技术领域,具体涉及一种半导体激光器的老化检测设备及检测方法。该设备包括个体分析模块,用于分析半导体激光器的温度出现异常的次数以及温度出现波动的不稳定特性,确定温度变化异常性;整体分析模块,用于根据目标半导体激光器与...
  • 本发明公开了一种用于EMB功率MOS结温测试的方法,涉及结温测试技术领域;为了解决当MOS管应用在EMB控制器此等密封产品中时,需要破坏样件外壳进行壳温(Tc)测试,导致样件受损影响测量的问题;本方法具体包括如下步骤:在EMB控制器中的MO...
  • 本申请实施例提供了一种半导体测试设备及其自适应补偿方法,涉及测试技术领域。其中,该方法包括:基于阶跃电压测量技术,对被测设备的负载电容进行估计,得到估计电容值;基于负载电容与补偿电容之间的映射关系,根据估计电容值计算得到补偿电容值;在通过切...
  • 本申请涉及一种栅极电荷测量方法、装置、计算机设备及存储介质。方法包括:获取被测器件在不同测试条件下的动态特征曲线,根据动态特征曲线获取在不同测试条件下的栅极电荷曲线;不同测试条件包括不同电压条件和/或不同电流条件;基于栅极电荷曲线,提取关键...
  • 本申请涉及一种柔直换流阀功率模块的测试方法、同步钳位电路、测试系统和设备。该方法包括:通过待测的柔直换流阀功率模块的两端加载的同步钳位电路,采集柔直换流阀功率模块在不同结温下的电压信号;结温下的电压信号包括多个温度的电压信号;通过分析各结温...
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