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最新专利技术
  • 多流过式蒸气安瓿输送系统
    多流过式蒸气安瓿输送系统_朗姆研究公司_202480039975.7
    一种向衬底处理系统的处理模块供应汽化前体的组件包括设置于外壳中的多个输送系统，以及设置于外壳中并介于相邻的输送系统之间以将相邻的输送系统彼此热隔离的热隔离器。每一输送系统包括容器、加热器以及导管。容器包括液体前体。加热器被配置为加热容器中的...
    2026-01-17
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置_株式会社国际电气_202480039813.3
    本发明提高形成于基板上的膜的特性。本发明具有以下工序：(a)向基板供给原料的工序；(b)向基板供给反应体的工序；(c)向所述基板供给调整剂的工序，所述调整剂调整吸附于基板的原料的分子和反应体的分子中至少某一个的量；(d)使(a)和(b)中至...
    2026-01-17
  • 用于硬模应用的含硅与金属材料的形成
    用于硬模应用的含硅与金属材料的形成_应用材料公司_202480039980.8
    半导体处理的示例性方法可包括将沉积前驱物提供到半导体处理腔室的处理区。沉积前驱物可包括含硅前驱物和含金属前驱物。含硅前驱物和含金属前驱物在到达处理区之前可被流体地隔离。基板可被容纳在处理区内。这些方法可包括产生沉积前驱物的等离子体流出物。这...
    2026-01-17
  • 用于硬掩模应用的含硅和金属材料的形成
    用于硬掩模应用的含硅和金属材料的形成_应用材料公司_202480039956.4
    半导体处理的示例性方法可包括将沉积前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。所述沉积前驱物可包括含硅和卤素前驱物和含金属前驱物。基板可被容纳在所述处理区域内。所述方法可包括产生所述沉积前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括在所述基板上形成含硅和...
    2026-01-17
  • 低温冷却装置及用于低温冷却样品的方法
    低温冷却装置及用于低温冷却样品的方法_布鲁弗斯公司_202480040927.X
    一种低温冷却装置，包括：容器(101)，所述容器配置为在运行期间容纳工作流体(102)；以及至少一个固态微制冷器(103)，所述固态微制冷器具有吸热端和放热端。所述低温冷却装置包括样品连接结构(704)，所述样品连接结构配置为接收样品(10...
    2026-01-17
  • 用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、包含化合物或组合物的有机半导体层、包含有机半导体层的有机电子器件及包含有机电子器件的显示装置
    用于有机电子器件中的式(I)的有机化合物、包含式(IV)的化合物和至少一种式(IVa)至(IVd)的化合物的组合物、包含化合物或组合物的有机半导体层、包含有机半导体层的有机电子器件及包含有机电子器件的显示装置_诺瓦尔德股份有限公司_202480040161.5
    本发明涉及一种式(I)的化合物和包含式(I)的化合物的有机电致发光器件。
    2026-01-17
  • 柔性显示器和包括该柔性显示器的电子装置
    柔性显示器和包括该柔性显示器的电子装置_三星电子株式会社_202480040400.7
    根据一个实施例，一种包括柔性区域和非柔性区域的柔性显示器可以包括：玻璃构件；第一涂层部分，其被设置成围绕玻璃构件的包括侧面的表面的至少一部分；第二涂层部分，其被设置成围绕第一涂层部分的表面的包括侧面的至少一部分，并且具有与第一涂层部分不同的...
    2026-01-17
  • 显示面板及显示面板的制备方法
    显示面板及显示面板的制备方法_昆山国显光电有限公司_202480031311.6
    本申请实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，显示面板包括基板；堤坝结构，设置于所述基板并位于所述过渡区，所述堤坝结构环绕至少部分所述过渡区设置；发光层，设置于所述基板，所述发光层具有位于所述显示区的本体部以及贯穿本体部的镂空部分，所述...
    2026-01-17
  • 显示装置、显示模块、电子设备
    显示装置、显示模块、电子设备_株式会社半导体能源研究所_202480040416.8
    本发明的一个方式提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示装置。本发明的一个方式是包括第一发光器件、第二发光器件以及第一绝缘层的显示装置。第一发光器件包括第一电极、第二电极及第一单元，第一单元被夹在第一电极与第二电极之间，具有第一侧面，...
    2026-01-17
  • 显示面板及其制备方法，和显示装置
    显示面板及其制备方法，和显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202480001637.4
    本公开提供了一种显示面板和显示装置，该显示面板包括第一区，且显示面板包括基板以及位于基板上的显示功能层和隔离结构层。隔离结构层包括透光部和多个隔离开口；显示功能层，包括位于隔离开口内的发光器件；触控结构，位于隔离结构层远离基板的一侧。该显示...
    2026-01-17
  • 有机电场发光元件用混合材料及有机电场发光元件
    有机电场发光元件用混合材料及有机电场发光元件_日铁化学材料株式会社_202480039791.0
    提供一种有机电场发光元件用混合材料，其可获得驱动电压低、同时效率高且具有长寿命的实用上有用的有机EL元件。一种有机电场发光元件用混合材料，包含通式(1)所表示的化合物、以及通式(2)所表示的化合物，通式(1)所表示的化合物为在吲哚并咔唑环的...
    2026-01-17
  • 具有非同轴堆叠LED结构的多色微型LED像素
    具有非同轴堆叠LED结构的多色微型LED像素_上海显耀显示科技有限公司_202580002684.5
    本发明描述了一种多色微型LED像素，包括：发射第一颜色光的第一LED结构(1520)，其中所述第一LED结构(1520)形成在基板(1510)上；形成在所述基板(1510)上的第一金属柱；发射第二颜色光的第二LED结构(1530)，其中所述...
    2026-01-17
  • 一种照明设备
    一种照明设备_昕诺飞控股有限公司_202480040475.5
    一种照明设备(1)，包括：至少一个固态光源SSLS(2)，被配置为在操作中发射具有在380 nm至490 nm的紫‑蓝色波长范围内的峰值波长的SSLS光；衬底(3)，至少包括第一表面(4)；多个层(5、6)，包括电绝缘层(5)和导电层(6)...
    2026-01-17
  • 膜、膜的制造方法和光电子器件
    膜、膜的制造方法和光电子器件_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480040305.7
    提供了膜，该膜包括：堆积半导体纳米晶体的层和包括至少一种金属氧化物的基质材料，其中，基质材料封装半导体纳米晶体。还提供了制造膜的方法和光电子器件。
    2026-01-17
  • 像素用半导体发光器件及包括该发光器件的显示装置
    像素用半导体发光器件及包括该发光器件的显示装置_LG电子株式会社_202380098933.6
    实施例的像素用半导体发光器件及包括该发光器件的显示装置可以包括：第1‑1导电型半导体层；发光结构物，配置在所述第1‑1导电型半导体层上，并且包括第1‑2导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；以及至少一个电极，配置在所述第1‑1导电型...
    2026-01-17
  • 部分堆叠的多色微型LED像素
    部分堆叠的多色微型LED像素_上海显耀显示科技有限公司_202580002680.7
    本发明提供一种多色微型LED像素，该像素包括：形成在基板(210)上的第一金属柱；发射第一颜色光的第一LED结构(220)，其中所述第一LED结构(220)位于所述第一金属柱上；发射第二颜色光的第二LED结构(230)；发射第三颜色光的第三...
    2026-01-17
  • 雪崩光电二极管器件
    雪崩光电二极管器件_菲卢克斯科技有限公司_202480040054.2
    本发明涉及雪崩光电二极管(APD)子组件和APD器件(400)。APD子组件包括：衬底(401)；形成在衬底(401)上的第一接触层(403)；第二接触层(402)；以及包含锑的雪崩层(406)。雪崩层(406)被设置在第一接触层(403)...
    2026-01-17
  • 太阳能电池模块及其制造方法
    太阳能电池模块及其制造方法_株式会社SOEL_202480040557.X
    提供一种兼具柔性和耐用性的太阳能电池模块及其制造方法。本发明的太阳能电池模块(10)包括隔开间隔排成一列的多个太阳能电池单体(11)、将相邻的太阳能电池单体(11)之间电连接的汇流带(12)、将太阳能电池单体(11)从受光面(11F)及其背...
    2026-01-17
  • 具有第一类型单位晶胞和第二类型单位晶胞的半导体器件
    具有第一类型单位晶胞和第二类型单位晶胞的半导体器件_华为数字能源技术有限公司_202380098966.0
    本发明涉及一种半导体器件(100)，包括：横跨所述半导体器件(100)的顶表面并排布置的多个单位晶胞(120a、120b)，其中，所述多个单位晶胞(120a、120b)具有第一类型(120a)或第二类型(120b)，每个所述第一类型单位晶胞...
    2026-01-17
  • 用于增强驱动器电流和性能的基于鳍的场效应晶体管(FET)源极/漏极应变
    用于增强驱动器电流和性能的基于鳍的场效应晶体管(FET)源极/漏极应变_高通股份有限公司_202480038302.X
    描述了一种场效应晶体管(FET)。该FET包括基板，在基板上具有第一竖直结构，该第一竖直结构包括具有第一应力源材料的源极/漏极区，例如NMOS源极/漏极区。该FET还包括第二竖直结构，该第二竖直结构位于基板上并且包括具有与该第一应力源材料不...
    2026-01-17
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