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最新专利技术
  • HEMT集成发光芯片及其制备方法、外延片、显示背板
    HEMT集成发光芯片及其制备方法、外延片、显示背板_重庆康佳光电科技有限公司_202411548380.2
    本申请公开一种HEMT集成发光芯片及其制备方法、外延片、显示背板，HEMT集成发光芯片包括从下到上依次层叠的N型半导体层、本征半导体层、第一量子阱层和第二量子阱层，第一量子阱层和第二量子阱层的发光颜色不同且能带宽度依次减小；第二量子阱层设置...
    2026-05-10
  • 发光芯片及其制备方法
    发光芯片及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511966902.5
    本公开提供了一种发光芯片及其制备方法。发光芯片包括：保护层、第一填充层、遮光层、多个发光二极管芯片和透明的封装板；多个发光二极管芯片间隔布置，遮光层填充在相邻的发光二极管芯片之间和发光二极管芯片的外围；第一填充层和保护层依次位于遮光层的表面...
    2026-05-10
  • 一种集成芯片及其制备方法
    一种集成芯片及其制备方法_元旭半导体科技(无锡)有限公司_202610300720.2
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种集成芯片及其制备方法，集成芯片包括若干单色发光体、正电极、负电极，各发光体的N型半导体层相连形成共阴极结构；将上述集成芯片作为显示屏的一个像素，或将上述集成芯片与驱动IC对位连接，获得集成的发光模块，发光...
    2026-05-10
  • 发光二极管及制作方法
    发光二极管及制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511938599.8
    本公开提供了一种发光二极管及制作方法。发光二极管包括：多个串联的外延结构、第一焊盘组和第二焊盘组；所述第一焊盘组包括多个焊盘；所述第二焊盘组包括多个焊盘；所述第一焊盘组的焊盘之间通过第一连接部相连，所述第二焊盘组的焊盘之间通过第二连接部相连...
    2026-05-10
  • 无空腔型感测封装结构及其制造方法
    无空腔型感测封装结构及其制造方法_同欣电子工业股份有限公司_202411550257.4
    本发明公开一种无空腔型传感封装结构及其制造方法。所述无空腔型传感封装结构包含一基板、设置于所述基板的一传感模块、及形成于所述传感模块的一不透光封装体。所述传感模块包含安装于所述基板的一传感芯片、黏接于所述传感芯片的一第一透明接着层、及黏固于...
    2026-05-10
  • LED发光结构及其制备方法、多色LED发光结构及其制备方法
    LED发光结构及其制备方法、多色LED发光结构及其制备方法_苏州中科光聚技术有限公司_202610023161.5
    本发明公开了一种LED发光结构及其制备方法、多色LED发光结构及其制备方法，LED发光结构包括基板，基板上设置有多个贯穿基板的通孔，将LED芯片放置在基板上后，驱动LED芯片在基板上移动，使得LED芯片嵌入通孔内，实现LED芯片在基板表面的...
    2026-05-10
  • 一种多色LED发光结构及其制备方法
    一种多色LED发光结构及其制备方法_苏州中科光聚技术有限公司_202610023155.X
    本发明公开了一种多色LED发光结构及其制备方法，所述多色LED发光结构的制备方法包括如下步骤：提供基板和不同发光颜色的LED芯片，使不同发光颜色的所述LED芯片随机嵌入不同的目标区域的通孔内，同一彩色目标区域中，位于同一目标区域的LED芯片...
    2026-05-10
  • 一种LED发光结构、制备方法及多层堆叠的LED发光结构
    一种LED发光结构、制备方法及多层堆叠的LED发光结构_苏州中科光聚技术有限公司_202610023147.5
    本发明公开了一种LED发光结构、制备方法及多层堆叠的LED发光结构，LED发光结构制备方法包括如下步骤：提供基板；将多个LED芯片随机散布在至少所述目标区域上，将多个LED芯片随机散布在至少所述目标区域上后，随机形成第一电极与目标区域接触的...
    2026-05-10
  • 中介层和使用该中介层制造显示装置的方法
    中介层和使用该中介层制造显示装置的方法_乐金显示有限公司_202511314269.1
    本申请公开一种中介层和使用该中介层制造显示装置的方法。根据本公开内容的一方面，一种中介层包括基部和在基部上彼此间隔开的多个凸块，并且所述多个凸块中的每个凸块包括从基部向上延伸以限定容纳单元的侧壁。因此，能够减少由温度偏差引起的未对准。
    2026-05-10
  • 基于双添加剂改性量子点色转换层的Micro-LED显示器件及制备方法
    基于双添加剂改性量子点色转换层的Micro-LED显示器件及制备方法_新型显示与视觉感知石城实验室_202610108094.7
    本发明公开一种基于双添加剂改性量子点色转换层的Micro‑LED显示器件及制备方法，涉及半导体显示技术领域。该方法包括：制备Micro‑LED阵列，通过刻蚀工艺在发光单元上方形成像素隔离的凹槽阵列；制备改性钙钛矿量子点溶液，在量子点前驱体或...
    2026-05-10
  • 显示面板的制备方法
    显示面板的制备方法_海信视像科技股份有限公司_202411578089.X
    本申请涉及一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：提供一基板，在基板的第一板面制备形成多个绑定端子，多个绑定端子并排布置，至少两个绑定端子间隔设置，形成有空隙；对基板的第一板面进行涂布加工，在空隙中形成填充体，填充体配置为用于阻隔镀膜金属进入...
    2026-05-10
  • LED光源及其制备方法
    LED光源及其制备方法_江西晶亮光电科技协同创新有限公司_202411545623.7
    本发明提供的LED光源及其制备方法，通过对粘附LED芯片后的整张荧光膜片进行切割的方式来贴装荧光膜片，有利于提高荧光膜片的利用效率；且采用CSP封装技术直接将独立贴有满足不同发光需求荧光膜片的LED芯片封装为一体，后续通过表面贴装技术一次贴...
    2026-05-10
  • 一种薄膜及其制备方法、以及光电器件和显示装置
    一种薄膜及其制备方法、以及光电器件和显示装置_广东聚华印刷显示技术有限公司_202411552628.2
    本申请属于显示技术领域，涉及一种薄膜及其制备方法、以及光电器件和显示装置。所述薄膜包括：聚合物阻挡层，具有开口；所述开口中设有激发单元和发光材料；其中，所述激发单元的材料包括金属纳米粒子。本申请中开口内含有金属纳米粒子的激发单元具有表面等离...
    2026-05-10
  • 半导体芯片及其制备方法
    半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511942112.3
    本公开公开了一种半导体芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体芯片，包括外延层和钝化层；钝化层包括依次叠设在外延层一面的缓冲层、渐变层和覆盖层，缓冲层、渐变层和覆盖层的叠设方向为外延层的生长方向。本公开实施例能够在保证发光效率的情况下...
    2026-05-10
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511938699.0
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构和透明导电层；外延结构包括第一通孔，透明导电层位于外延结构表面上，透明导电层包括围绕第一通孔的第二通孔，第二通孔包括主体部和多个延伸部，多个延伸部围绕主体部，且与主体部相连。
    2026-05-10
  • 发光二极管芯片及其制作方法
    发光二极管芯片及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511919911.9
    本公开提供了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括外延层、透明导电层、第一电极和第二电极；所述外延层包括第一半导体层、第二半导体层、以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的发光层；所述透明导电层位...
    2026-05-10
  • 半导体芯片及其制备方法
    半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511966807.5
    本公开提供了一种半导体芯片及其制备方法，属于半导体制备技术领域。该半导体芯片，包括：衬底和遮光层；衬底包括生长面和支撑面，生长面和支撑面分别为衬底的相反两面；遮光层位于衬底的支撑面。本公开能够有效提高扫描电子显微镜检测和光刻的准确性。
    2026-05-10
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511905926.X
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括外延结构、反射钝化层、第一电极和第二电极；所述外延结构包括依次层叠的p型半导体层、发光层以及n型半导体层；所述n型半导体层包括n型欧姆接触层，所述n型欧姆接触层包...
    2026-05-10
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511881156.X
    本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管包括依次串联的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，第一发光单元与第一电极电连接，第三发光单元与第二电极电连接；第一发光单元和第三发光单元围绕第二发光单元设置，第二发光单元的发光面呈圆形，...
    2026-05-10
  • 一种UVB外延片及其制备方法
    一种UVB外延片及其制备方法_山西中科潞安紫外光电科技有限公司_202411566022.4
    本发明公开了一种UVB外延片及其制备方法，所述UVB外延片包括：衬底及所述衬底第一表面的缓冲层；位于所述缓冲层上的AlN层；组分为x的AlxGa1‑xN层；超晶格层，所述超晶格层包括应力释放层和过渡层，每个应力释放层包含若干周期，每个周期的...
    2026-05-10
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