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最新专利技术
  • 硅碳负极片及其制备方法和锂离子电池
    硅碳负极片及其制备方法和锂离子电池_浙江安高特电科技有限公司_202510454917.7
    本申请涉及一种硅碳负极片及其制备方法和锂离子电池，属于电池技术领域。该硅碳负极片包括集流体层，以及依次层叠于集流体层表面硅碳复合层和碳层，硅碳复合层包括具有垂直网格状孔隙的碳纳米管阵列以及填充于垂直网格状孔隙中的纳米硅颗粒；碳层的部分碳材料...
    2025-08-05
  • 含厚极片的锂离子电池、用电装置
    含厚极片的锂离子电池、用电装置_江苏睿恩新能源科技有限公司_202510454366.4
    本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种含厚极片的锂离子电池、用电装置，包括：集流体，所述集流体的两侧分别依次设置有第一涂布层和第二涂布层；所述第一涂布层包括第一活性物质颗粒、导电剂和粘结剂，所述第二涂布层包括第二活性物质颗粒、导电剂和粘...
    2025-08-05
  • 一种集流体加工方式
    一种集流体加工方式_惠州亿纬锂能股份有限公司_202510460026.2
    本发明公开了一种集流体加工方式，该集流体的加工方式包括以下步骤：提供电极片；在电极片的至少一侧设置保护层，保护层上形成有蚀刻槽；使用腐蚀剂蚀刻电极片并去除保护层得到集流体。相较于传统激光烧蚀工艺，本方法具有显著优势，采用化学蚀刻替代高能激光...
    2025-08-05
  • 套刻标记图形以及套刻误差获取方法
    套刻标记图形以及套刻误差获取方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510459159.8
    本发明涉及一种套刻标记图形以及一种套刻误差获取方法。所述套刻标记图形包括用作参考标记的第一工艺层标记和用于与第一工艺层标记对准的第二工艺层标记，第一工艺层标记和第二工艺层标记包括至少一组对应的主尺图形和第一游标尺图形，其中，主尺零位线、主尺...
    2025-08-05
  • 磁控溅射硼化物掺杂金属阻挡层促使玻璃通孔基板与铜热膨胀系数匹配的方法
    磁控溅射硼化物掺杂金属阻挡层促使玻璃通孔基板与铜热膨胀系数匹配的方法_兰州交通大学_202510451228.0
    本发明公开了一种磁控溅射硼化物掺杂金属阻挡层促使玻璃通孔基板与铜热膨胀系数匹配的方法，该方法对玻璃通孔基板进行超声清洗和氧气等离子体处理后，真空环境及惰性气体下在基板上共溅射沉积硼化物掺杂金属阻挡层，最后在基板上溅射沉积金属Cu，所述金属为...
    2025-08-05
  • 一种晶圆CP测试用晶圆抓取夹持装置
    一种晶圆CP测试用晶圆抓取夹持装置_安徽超元半导体有限公司_202510451740.5
    本发明涉及搬运夹具相关技术领域，公开了一种晶圆CP测试用晶圆抓取夹持装置，为了解决夹持爪在移动过程中推动晶圆在台阶面上产生不必要运动摩擦的问题，通过夹持爪端部设置有检测杆，当两个夹持滑动臂带动夹持爪相对靠近时，晶圆的外侧会率先接触检测杆，并...
    2025-08-05
  • 一种老化设备批量上下料装置和方法
    一种老化设备批量上下料装置和方法_杭州朗迅科技股份有限公司_202510455679.1
    本发明提供一种老化设备批量上下料装置和方法，涉及自动化设备技术领域。老化设备批量上下料装置包括托盘上下料组件、板卡上下料组件、开盖组件、关盖组件、预测试组件和移栽组件。老化设备批量上下料方法利用该装置，通过托盘上下料组件、板卡上下料组件、开...
    2025-08-05
  • 一种用于芯片测试的芯片上料设备
    一种用于芯片测试的芯片上料设备_苏州昱丰原智能科技有限公司_202510453456.1
    本发明涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种用于芯片测试的芯片上料设备；包括取料机构、晶圆盒、上料扩膜台、工作台、扩膜旋转电机、扩膜升降电机、通孔、多个扩膜升降螺纹套、扩膜升降板、扩膜放置台、C形卡槽、上料支架、上料电缸丝杆、上料放置板、上料夹...
    2025-08-05
  • 一种提高散热能力和改善翘曲的芯片封装结构及制备方法
    一种提高散热能力和改善翘曲的芯片封装结构及制备方法_华天科技(江苏)有限公司_202510454210.6
    本发明公开一种提高散热能力和改善翘曲的芯片封装结构及制备方法，该方法包括以下步骤：在基板上制备重布线结构，在重布线结构上形成金属导电结构；在重布线结构上连接若干功能芯片；在至少一种功能芯片上设若干散热结构，再对所有功能芯片和散热结构进行封装...
    2025-08-05
  • 一种适用于高密度扇出型封装的金属互联结构与方法
    一种适用于高密度扇出型封装的金属互联结构与方法_华天科技(江苏)有限公司_202510454215.9
    本发明提供一种适用于高密度扇出型封装的金属互联结构与方法，包括以下步骤：S1调整功能性多层结构上的金属焊盘和/或第一层金属导线层的高度，使其靠近功能芯片的一端面达到一致的高度；S2在经过步骤S1调整后高度一致的金属焊盘靠近功能芯片的一端面上...
    2025-08-05
  • 一种从硅晶圆上生长单晶钻石的方法
    一种从硅晶圆上生长单晶钻石的方法_河南天鉴金刚石工业有限公司_202510450576.6
    本发明涉及硅晶圆处理技术领域，且公开了一种从硅晶圆上生长单晶钻石的方法，该方法以硅晶圆的原子晶格为模板，将硅晶圆作为衬底，再以原子层沈积法逐层外延硅原子及碳原子，沈积时先外延硅，再逐层加入碳，经一百至一千层成为单晶钻石面硅晶圆，其碳/硅的比...
    2025-08-05
  • 一种内置相变工质热对流系统的高温离子源离子采样接口
    一种内置相变工质热对流系统的高温离子源离子采样接口_广东省科学院测试分析研究所(中国广州分析测试中心)_202510454993.8
    本发明公开了一种内置相变工质热对流系统的高温离子源离子采样接口，涉及高温等离子体源与离子或原子检测接口应用技术领域，包括：接口主体；设置在所述接口主体的中心的孔口，所述孔口用于接入高温等离子体；设置在所述孔口的外周的接口中心边缘部位，所述接...
    2025-08-05
  • 一种直流断路器
    一种直流断路器_北京华电美仪电气科技有限公司_202510453509.X
    本发明公开一种直流断路器，涉及断路器技术领域，包括断路器主体和连接导线，断路器主体的顶部设置有导线插口，用于与连接导线连接；还包括防护主体和检测组件，防护主体能够对连接导线与导线插口的连接处进行防护；防护主体上还设置有锁紧组件，锁紧组件能够...
    2025-08-05
  • 高压断路器的驱动装置
    高压断路器的驱动装置_浙江机电职业技术大学_202510453539.0
    本发明公开了高压断路器的驱动装置，涉及高压断路器技术领域。本发明包括断路器组件，断路器组件包括中空外壳体，中空外壳体内部转动设置有第一传动齿轮、第二传动齿轮以及驱动齿轮，第一传动齿轮一侧面固定连接有手动操作接口，中空外壳体内部固定安装有第一...
    2025-08-05
  • 一种按键结构
    一种按键结构_深圳市航世电子科技有限公司_202510458496.5
    本申请涉及键盘按键技术领域，公开了一种按键结构，包括：底板，所述底板上依次设置有触发件、基座、弹性体、多个支撑臂、联动件和键帽，所述支撑臂的两端分别通过第一卡接结构和第二卡接结构与基座和键帽连接，所述支撑臂的中部设有沿自身宽度方向贯穿的第二...
    2025-08-05
  • 一种电容加工的成型装置
    一种电容加工的成型装置_苏州松控电子科技有限公司_202510453183.0
    本发明涉及电容加工技术领域，公开了一种电容加工的成型装置，包括加工台、剪切机构、压紧机构和热封机构，所述剪切机构用于剪切多层纸和铝箔材料，所述压紧机构用于在卷绕时压紧卷状复合体，所述热封机构用于对切断后的卷状复合体进行热封，所述加工台的上侧...
    2025-08-05
  • 一种可控电感及其控制方法
    一种可控电感及其控制方法_广州市德珑电子器件有限公司_202510455409.0
    本发明公开了一种可控电感及其控制方法，涉及电感器技术领域，包括:多根并联绕制在磁芯上的线圈；用于调节线圈绕组间连接的连接结构；输入电路，用于接收外部输入信号，并根据该信号调节线圈连接结构，从而改变电感的额定电流和电感值；反馈电路，用于实时监...
    2025-08-05
  • 适用于复合型架空裸导线的连续成型装置
    适用于复合型架空裸导线的连续成型装置_宜兴市欣义金金属材料有限公司_202510450547.X
    本发明公开了适用于复合型架空裸导线的连续成型装置，包括前段成型筒，前段成型筒一端卡接有滤渣导架，滤渣导架底部设置有排料架，前段成型筒内部套接有清洗驱动环和挤压筒；本发明是通过导线初步绞制后，穿过滤渣导架进入前段成型筒，清洗环刷旋转刷洗表面杂...
    2025-08-05
  • 铝包铝导电件的制备方法及制得的铝包铝导电件
    铝包铝导电件的制备方法及制得的铝包铝导电件_江苏爱诺金属材料有限公司_202510454153.1
    本发明公开了一种铝包铝导电件的制备方法及制得的铝包铝导电件，包括连续挤压，连续挤压包括以下过程：提供铝芯坯料和两个以上包覆铝坯料；将铝芯坯料、各包覆铝坯料同时进行连续挤压，分别得到铝芯挤出料和各包覆铝挤出料；各包覆铝挤出料分别经包覆铝挤出腔...
    2025-08-05
  • 金属包金属导电件的制备方法及制得的金属包金属导电件
    金属包金属导电件的制备方法及制得的金属包金属导电件_江苏爱诺金属材料有限公司_202510454152.7
    本发明公开了一种金属包金属导电件的制备方法及制得的金属包金属导电件，包括连续挤压，连续挤压包括以下过程：将芯坯料和两个以上包覆层坯料分别进行连续挤压，分别得到芯挤出料和两个以上包覆层挤出料；两个以上包覆层挤出料分别经包覆层挤出腔挤出进入第一...
    2025-08-05
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