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最新专利技术
  • 一种抗辐照III-V/Si太阳电池及其制备方法
    一种抗辐照III-V/Si太阳电池及其制备方法_华南理工大学_202510982752.0
    本申请提出一种抗辐照III‑V/Si太阳电池及其制备方法， 结合III‑V族材料和硅基材料的优势， 将Si底电池和III‑V顶电池连接形成III‑V/Si太阳电池；利用顶电池结构具有宽禁带多层量子阱结构， 有效地减少空间高能粒子的穿透导致的...
    2025-11-16
  • 背接触电池及其制备方法
    背接触电池及其制备方法_天合光能股份有限公司_202511326028.9
    本发明提供了一种背接触电池及其制备方法， 其中背接触电池包括基底， 该基底具有第一表面， 第一表面包括第一区域；位于第一区域， 沿远离基底方向依次具有隧穿层、掺杂多晶硅层、第一本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层， 其中掺杂多晶硅层包括掺杂多晶硅...
    2025-11-16
  • 一种基于晶硅P型基底的三五族叠层电池及其制备方法
    一种基于晶硅P型基底的三五族叠层电池及其制备方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202411497911.X
    本发明提供了一种基于晶硅P型基底的三五族叠层电池及其制备方法， 涉及光伏电池技术领域。所述基于晶硅P型基底的三五族叠层电池包括由下至上包括依次层叠的基底电池和顶层电池；其中， 所述基底电池为P型双面钝化TOPCon电池；其中， 所述顶层电池...
    2025-11-16
  • 一种基于晶硅P型基底的叠层电池及其制备方法
    一种基于晶硅P型基底的叠层电池及其制备方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202411490586.4
    本发明提供了一种基于晶硅P型基底的叠层电池及其制备方法， 涉及光伏电池技术领域。所述叠层电池包括由下至上包括依次层叠的晶硅P型基底电池、GaAs中间子电池和GaInP顶层电池。本发明选择晶硅P型基底电池结构作为底电池， GaAs电池结构作为...
    2025-11-16
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202410424750.5
    本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法， 太阳能电池包括N型硅衬底， 其正面具有金属化区域和非金属化区域， 金属化区域的N型硅衬底表面为抛光面， 非金属化区域的N型硅衬底表面为绒面；金属化区包括层叠设置于抛光面表面的p++发射极、第一隧穿氧化...
    2025-11-16
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510227463.X
    一种半导体器件包括生成多个偏置电压的偏置电压生成电路。偏置电压生成电路包括：多个晶体管， 多个晶体管串联连接在供应第一电源电压的第一电源节点与供应低于第一电源电压的参考电压的参考节点之间；多个电容器， 多个电容器连接到多个晶体管当中的一些晶...
    2025-11-16
  • IC器件和确定IC器件的平面布置图的方法
    IC器件和确定IC器件的平面布置图的方法_IMEC非营利协会_202510460572.6
    在一方面， 提供IC器件， 包括：晶粒；晶粒的电路区域， 该电路区域沿着晶粒在第一和第二横向方向上延伸并且包括多个电路单元， 这些电路单元被布置成在第一方向上平行延伸的多行；其中电路区域包括包含多行电路单元的第一子集的第一子区域、包含多行电...
    2025-11-16
  • 显示设备
    显示设备_三星显示有限公司_202510383276.0
    本申请涉及显示设备， 该显示设备包括衬底、第一有源层和第二有源层以及第一电极层和第二电极层。衬底包括显示区域和非显示区域。第一有源层设置在衬底上。第一有源层的一部分形成子像素电路的驱动晶体管的沟道区域。第一电极层设置在第一有源层上。第一电极...
    2025-11-16
  • 用于光照的半导体结构与显示器结构
    用于光照的半导体结构与显示器结构_川奇光电科技(扬州)有限公司_202410439370.9
    本申请公开了一种用于光照的半导体结构与显示器结构， 包括衬底、第一栅极、第一半导体层、第一绝缘层、第一源极、第一漏极、第二栅极、第二半导体层、第二绝缘层、第二源极与第二漏极， 所述第一栅极具有第一导电层与第二导电层， 所述第一导电层与所述第...
    2025-11-16
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410496786.4
    本发明公开一种半导体结构的制造方法， 包括以下步骤。提供基底。在基底中形成半导体层。移除部分半导体层与部分基底， 而在基底中形成沟槽。在沟槽中形成隔离结构。在形成隔离结构之后， 移除半导体层， 而在基底中形成第一凹陷。在第一凹陷暴露出的基底...
    2025-11-16
  • 一种半导体器件及其制造方法、存储器系统
    一种半导体器件及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410431504.2
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。半导体器件的制造方法包括：提供基底结构， 所述基底结构包括半导体衬底、位于所述半导体衬底中的多个隔离结构和位于有源区的晶体管， 所述有源区位于相邻所述隔离结构之间；形成与所述晶体管电接...
    2025-11-16
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410391756.7
    一种半导体结构的形成方法， 包括：在第一器件区和第二器件区的栅介质层的表面形成第一功函数层；形成保护层结构后， 去除第一器件区的第一功函数层。因此， 在去除第一器件区的第一功函数层的过程中， 由于保护层结构位于第一器件区与第二器件区的交界处...
    2025-11-16
  • 一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构
    一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构_陕西工业职业技术大学_202510962266.2
    本发明公开了一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构， 包括获取器件衬底；在所述衬底上制备NMOS区、PMOS区以及隔离区；在所述NMOS区、所述PMOS区以及所述隔离区上生长介质层；在所述介质层上生长金属互联层；在所述金属互联...
    2025-11-16
  • 一种半导体工艺方法及半导体器件
    一种半导体工艺方法及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510961966.X
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体器件， 方法包括：氮化硅层表面设置第一填充层填充于栅极结构之间；研磨第一填充层显露出栅极结构上的氮化硅层；回刻第一填充层进一步显露氮化硅层；设置图形化铝膜， 显露出非保护区域， 保护区域内栅极结构上形成氮...
    2025-11-16
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件
    半导体器件的制造方法及半导体器件_中国科学院微电子研究所_202510801994.5
    本申请提供了一种半导体器件的制造方法及半导体器件， 包括：在衬底上外延出层叠设置的沟道层和牺牲层；刻蚀所述沟道层和所述牺牲层形成Fin状沟道， 并形成横跨所述沟道层和所述牺牲层的假栅结构， 在所述假栅结构外侧沉淀和刻蚀形成侧墙；去除部分所述...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410421438.0
    一种半导体结构及其形成方法， 其中结构包括：衬底， 所述衬底包括核心区、输入输出区、位于核心区和输入输出区侧壁的源区以及位于核心区和输入输出区之间的共用漏区；位于核心区上的若干层叠的第二牺牲层、第一沟道层、第三牺牲层、第二沟道层、第四牺牲层...
    2025-11-16
  • 半导体装置与其制作方法
    半导体装置与其制作方法_南亚科技股份有限公司_202410935949.4
    一种半导体装置， 包含基板、设置在基板中的主动区、以及设置在主动区中的栅极结构。栅极结构包含下部导电层、设置在下部导电层上的上部导电层， 以及设置在上部导电层上的盖层。上部导电层的宽度小于下部导电层的宽度， 上部导电层的底部嵌入下部导电层中...
    2025-11-16
  • 具有沟槽栅极的碳化硅器件
    具有沟槽栅极的碳化硅器件_英飞凌科技股份有限公司_202510445899.6
    具有沟槽栅极的碳化硅器件。一种碳化硅器件(500)包括从第一表面(101)延伸到碳化硅主体(100)中的条形沟槽栅极结构(150)， 栅极结构(150)沿着横向第二方向(292)被栅极结构(150)的第一栅极侧壁(151， 151’)和栅极...
    2025-11-16
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202410501178.8
    本发明提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括基底、第一栅极堆叠结构、第二栅极堆叠结构以及第三栅极堆叠结构。基底包括第一区、第二区与第三区。第一栅极堆叠结构位于所述第一区的所述基底上， 且包括第一栅极层以及第一栅极介电层。第二栅极堆...
    2025-11-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410425240.X
    一种半导体结构， 包括在基板上的半导体层上的栅极结构；在栅极结构及半导体层上连续延伸且包括第一部分、第二部分及在栅极结构上表面上的第三部分及第四部分的第一介电层；在至少第一部分及第四部分上的蚀刻停止层上的第二介电层；及场板。场板包括第二介电...
    2025-11-16
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