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  • 本申请实施例提供了一种自动泊车方法、装置、车辆以及存储介质。本方法包括:在车辆的行驶过程中,若检测到所述车辆的前方存在可泊车车位,显示包括所述可泊车车位的虚拟视图;响应作用于所述虚拟视图中的目标车位的长按操作,对所述目标车位进行释放,并激活...
  • 本申请提供了一种降噪方法、装置和车辆,该降噪方法可以应用于智能座舱领域。该方法包括:获取用户的输入,该输入用于指示座舱内的头部区域;根据该输入,确定与该头部区域关联的降噪参数;根据该降噪参数,进行降噪处理。本申请可以应用于智能汽车或者电动汽...
  • 本发明提供一种娱乐屏安装结构、车身横梁及车辆,所述娱乐屏安装结构包括:设置在车身横梁上的第一安装部和第二安装部;旋转机构,所述旋转机构包括安装在所述第一安装部上的旋转驱动组件,以及连接在所述旋转驱动组件和娱乐屏的第一端之间的第一转轴,所述旋...
  • 本申请公开了一种座椅控制方法、装置、车辆及存储介质,包括:通过在车辆处于上电状态的情况下,对车辆的驾驶员座椅的座椅电路模块进行故障检测,座椅电路模块至少包括座椅开关、座椅电机以及座椅电机的供电单元;若座椅电路模块不存在故障,且检测到座椅开关...
  • 本发明涉及一种用于生产无基材高延伸厚泡棉的圆刀模具、模切系统及模切方法。该圆刀模具包括第一上模切刀座,其包括第一上模切刀座本体、以及若干第一刀线,第一刀线呈十字型且相邻两个第一刀线相互连接;第一下模切刀座;第二上模切刀座,其包括第二上模切刀...
  • 本公开提供了一种负载单原子的氧化铈纳米棒催化剂、制备方法及应用,其中,负载单原子的氧化铈纳米棒催化剂的制备方法包括:将铈源溶液加入到碱溶液中混合,得到混合溶液;转移混合溶液到密闭容器中进行加热处理,得到第一悬浊液;对第一悬浊液进行第一离心处...
  • 一种形成电容器阵列的方法,其包括:将水平间隔开的开口形成到牺牲材料中并使其穿过在所述牺牲材料的顶部与底部之间的绝缘性材料,所述绝缘性材料至少主要包括SiN、SiBN及SiCN中的至少一者,且水平间隔开的开口穿过其的所述绝缘性材料包括绝缘性水...
  • 本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。用于无线通信系统的随机接入中的波束确定的方法和装置,由用户设备(UE)执行的方法包括:接收系统信息块(SIB),该SIB指示用于物理随机接入信道(PRACH)发送的空间设置的第一数量、...
  • 本发明的目的在于,以简单的方式可实现将高电流插接连接器系统的总分离力匹配于预设的值并且尽可能不耗费地设计现有的高电流插接连接器系统的对应的改装。为此提出,使插接连接器系统的插接连接器(1)和配对插接连接器(2)分别配备有至少一个另外的插接接...
  • 一种方法,包括:获得使用至少一个成像传感器捕获的多个图像帧。所述方法还包括:基于所述多个图像帧中的至少一个图像帧和所述至少一个成像传感器的一个或更多个参数生成局部色调图、全局色调图查找表(LUT)和一个或更多个对比度增强LUT。所述方法还包...
  • 一种半导体结构包括:绝缘层和导电层的交替堆叠;存储器开口,该存储器开口竖直地延伸穿过该交替堆叠;存储器开口填充结构,该存储器开口填充结构位于该存储器开口中并且包括存储器膜、竖直半导体沟道和半导体顶盖结构,该半导体顶盖结构包括接触该竖直半导体...
  • 本发明揭示了一种HBC电池的制备方法及HBC电池,所述制备方法包括以下步骤:提供硅片;沉积第一钝化层和第一掺杂层;沉积第三钝化层和第三掺杂层;通过激光氧化工艺形成第一氧化层和第三氧化层;以第一氧化层为掩膜,去除部分第一钝化层和第一掺杂层;沉...
  • 本发明公开了一种合金焊点(10)的制造方法和具有该合金焊点(10)的X射线探测装置的制造方法,合金焊点(10)的制造方法包括以下步骤:晶圆提供步骤(S1):提供晶圆,晶圆包括硅衬底(1)和在硅衬底(1)的表面上形成的焊盘(2)和钝化层(3)...
  • 本发明提供一种图像传感器结构及其制备方法,第一图像传感器芯片的第一工作层在第一衬底上,第一工作层响应光谱为第一光谱段;对第一衬底离子注入使第一衬底可透过第二光谱段光线;第一衬底远离第一工作层的一面设置包括第二工作层的第二图像传感器芯片,第二...
  • 本发明涉及一种平板探测器及探测装置。一种平板探测器,其包括衬底;所述衬底设有相邻的晶体管区域和光电二极管区域;所述晶体管区域设置有晶体管和黑矩阵层;所述晶体管包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极和沟道层,所述栅极连接有栅线,所述源极或所述漏极连接...
  • 本申请实施例提供了一种芯片封装结构及其制备方法、芯片、存储系统,旨在增加芯片封装结构的容量。本申请实施例提供的芯片封装结构中,第一连接线的一端伸入第一凹槽与第一衬垫连接,第一连接线的另一端与基板连接,使第一连接线在第一芯片厚度方向上位于第一...
  • 本申请提供了一种半导体器件、制备半导体器件的方法和装置,涉及半导体领域,该半导体器件包括:源极接触金属、沟道层、第一栅极和第一材料层;其中,第一材料层分别与源极接触金属和沟道层叠加,且第一材料层在第一方向上的投影与第一栅极在第一方向上的投影...
  • 本发明公开一种半导体装置及其形成方法,包括基底、两栅极结构、间隙壁结构、外延结构、帽盖结构及金属硅化物层。两栅极结构设置在基底上。间隙壁结构设置在基底上并环绕各栅极结构。外延结构设置在基底内,位于两栅极结构之间。帽盖结构设置在外延结构上,位...
  • 本申请公开了半导体器件的形成方法、半导体器件及电子装置,该方法通过提供半导体结构,该半导体结构包括半导体衬底、形成在该半导体衬底上的包含锗材料的半导体鳍以及形成在该半导体鳍上的伪栅极结构,进而在该半导体鳍上形成源/漏极区,之后去除伪栅极结构...
  • 本申请涉及一种预贴合机构及方法,预贴合机构包括中心定位装置,用于对第一物料、第二物料定中心;贴合基台,用于固定所述第二物料;自动送料装置,用于在所述中心定位装置、所述贴合基台之间输送所述第一物料、所述第二物料;最终使所述第一物料的贴合面与所...
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