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最新专利技术
  • 背接触电池、光伏组件及其制备方法
    背接触电池、光伏组件及其制备方法_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202510122445.5
    一种背接触电池及其制备方法。所述背接触电池包括：半导体基底，其背面设置有交替分布的至少一个第一区域和至少一个第二区域，相邻的所述第一区域和所述第二区域之间通过第三区域间隔；第一掺杂半导体层，其至少位于所述第一区域的所述半导体基底上；以及第二...
    2025-10-29
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202510121538.6
    本申请公开一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以通过岛状钝化结构改变光线在背接触电池对应第一区域和/或第二区域的表面处的传输路径，增大背接触电池的双面率。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和岛状钝化结...
    2025-10-29
  • 背接触电池及光伏组件
    背接触电池及光伏组件_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202510121391.0
    本发明提供了一种背接触电池，其中，所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂层和第二掺杂层；所述第一掺杂层的主体部和所述第二掺杂层的主体部交替分布在所述半导体基底的背光面一侧，且所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的导电类型相反；其中，所述第二掺杂...
    2025-10-29
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202510121269.3
    本申请公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以通过岛状钝化结构改变光线在背接触电池中第一区域和/或第二区域靠近间隔区域的表面处的传输路径，增大背接触电池的双面率。所述背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和...
    2025-10-29
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202510121000.5
    本发明公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，用于降低第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间的漏电风险。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。沿第一面至第二面的方向，间隔区域的表面相对于第一区域的表面...
    2025-10-29
  • 一种氧化镓PN异质结日盲探测器及其制备方法
    一种氧化镓PN异质结日盲探测器及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202510112132.1
    本发明公开了一种氧化镓PN异质结日盲探测器及其制备方法，氧化镓PN异质结日盲探测器包括衬底、氧化镓层、绝缘层、P型层、第一电极和第二电极，所述氧化镓层设置在所述衬底上，所述氧化镓层的材料为单晶或多晶ε‑Ga2O
    2025-10-29
  • 一种二维RexMo1-xS2异质结光电探测器的制备方法
    一种二维Re<Sub>x</Sub>Mo<Sub>1-x</Sub>S<Sub>2</Sub>异质结光电探测器的制备方法_大连交通大学_202510119302.9
    本发明涉及新型二维材料领域和光电探测领域，公开了一种二维RexMo1‑xS2异质结光电探测器的制备方法。通过低压化学气相沉积法(LPCVD)生长横向尺寸达厘米级的二维Re
    2025-10-29
  • 基板
    基板_上海移为通信技术股份有限公司_202510122417.3
    本申请提供一种基板，基板包括第一表层，第一表层上设有一次电源变换器组件和至少两个一次电源负载，基板包括沿第一方向相对的第一端和第二端，一次电源变换器组件靠近第一端设置，至少两个一次电源负载均靠近第二端设置；第一表层设置第一电源铜箔，第一电源...
    2025-10-29
  • 基板及电子装置
    基板及电子装置_深圳移航通信技术有限公司_202510121467.X
    本申请提供一种基板及电子装置，基板包括第一表层，第一表层上设有外接电缆；在第一方向上，外接电缆靠近第一表层的第一端设置，外接电缆包括多条电缆线，多条电缆线均沿第一方向延伸且沿第二方向间隔设置，多条电缆线中的一条为接地电缆线，接地电缆线靠近第...
    2025-10-29
  • 音响总成及车辆
    音响总成及车辆_比亚迪股份有限公司_202510123635.9
    本申请涉及一种音响总成及车辆，音响总成包括发射模块及音响，音响包括接收模块，所述接收模块与所述发射模块相适配；其中，所述发射模块被配置为将能量及信息的至少一者传输至所述接收模块；在本申请的技术方案中，通过发射模块及接收模块的相互适配，使得发...
    2025-10-29
  • 一种基于陀螺残差的电子稳像系统
    一种基于陀螺残差的电子稳像系统_成都华装光鉴智能科技有限公司_202510114842.8
    本发明涉及电子稳像技术领域，具体涉及一种基于陀螺残差的电子稳像系统；包括陀螺数据获取模块、图像采集匹配模块、全局运动估计模块、陀螺残差计算模块、残差补偿模块、图像稳定补偿模块和图像序列输出模块；陀螺数据获取模块采集陀螺传感器的角速度数据；图...
    2025-10-29
  • 一种自动化的通话接管与智能转接的方法
    一种自动化的通话接管与智能转接的方法_山东浪潮超高清智能科技有限公司_202510113169.6
    本发明提供了一种自动化的通话接管与智能转接的方法，属于通信技术领域，通过拨打统一的号码，根据电梯里张贴的应急救援电梯编号，将通话转接至指定的救援人员手机上。语音网关提供了基础的电话外线接入功能，PBX提供配置呼入呼出路由和配置IVR语音导航...
    2025-10-29
  • 数据处理方法、装置、设备和介质
    数据处理方法、装置、设备和介质_深圳市矩控新辰科技有限公司_202510119178.6
    本公开实施例提供的数据处理方法、装置、设备和介质，包括：根据数据采集系统接收的数据的数据类型，构建数据处理流，其中，数据处理流包括定时触发任务节点、数据服务器节点和日志打印节点，数据服务器节点和日志打印节点的数量与数据采集系统接收的数据类型...
    2025-10-29
  • 基于深度学习的多层次动态威胁监测系统
    基于深度学习的多层次动态威胁监测系统_广州钛动科技股份有限公司_202510122759.5
    本发明实施例提供了一种基于深度学习的多层次动态威胁监测系统，其包括：数据采集模块获取网络流量、日志、用户行为数据样本及对应威胁标签。数据预处理模块对数据预处理得到第二样本，特征提取模块再生成各特征数据样本。接着，数据向量化模块将其转化为向量...
    2025-10-29
  • 一种联邦学习的隐私保护方法、电子设备及存储介质
    一种联邦学习的隐私保护方法、电子设备及存储介质_北京工业大学_202510118317.3
    本发明公开了一种联邦学习的隐私保护方法、电子设备及存储介质，方法包括：获取测试数据集，初始化服务端全局模型参数；每次迭代训练，服务端随机选择多个客户端参与训练，下发前一迭代轮次的全局模型参数；各客户端使用本地数据集、前一迭代轮次的全局模型参...
    2025-10-29
  • 实时数据库跨网闸传输方法及系统
    实时数据库跨网闸传输方法及系统_上海宝信软件股份有限公司_202510117905.5
    本发明提供了一种实时数据库跨网闸传输方法及系统，包括：将客户端和服务器一对一连接，建立通信，所述客户端包括源端跨网闸模块和客户端网络传输模块，所述服务器包括服务器网络传输模块和目的地端跨网闸模块；确认连接成功后，所述源端跨网闸模块从本端获取...
    2025-10-29
  • 一种网络安全数据管理系统
    一种网络安全数据管理系统_江西科晨洪兴信息技术有限公司_202510114854.0
    本发明提供了一种网络安全数据管理系统，属于网络安全技术领域。为了解决现有的网络安全数据处理方式对安全威胁检测不够全面、分析不够系统、响应不够快速的问题，本发明提供了一种网络安全数据管理系统，包括数据采集模块、数据处理模块、数据存储模块、数据...
    2025-10-29
  • 基于ECC的电力工控系统私有云数据完全同态加密方法
    基于ECC的电力工控系统私有云数据完全同态加密方法_中国大唐集团科学技术研究总院有限公司华东电力试验研究院_202510116235.5
    本发明提供基于ECC的电力工控系统私有云数据完全同态加密方法，属于电力工控系统网络安全防护领域，在有限域F(p)上生成椭圆曲线E和随机基点G，选择素数私钥k，确定明文序列(M1,M2,…M
    2025-10-29
  • 一种面向突发干扰的低轨大规模星座通信路径规划方法
    一种面向突发干扰的低轨大规模星座通信路径规划方法_四川大学_202510117542.5
    本发明公开了一种面向突发干扰的低轨大规模星座通信路径规划方法。该方法包括以下步骤：对待传输文件进行拆分以获取待传输子文件，并根据待传输子文件构建智能体；基于智能体群构建智能体的策略网络、评价网络、目标策略网络和目标评价网络，并根据智能体的策...
    2025-10-29
  • 一种功率半导体装置及其控制方法
    一种功率半导体装置及其控制方法_杭州芯迈半导体技术有限公司_202510121006.2
    本申请公开了一种功率半导体装置，包括开关装置和驱动电路。开关装置包括并联连接的宽禁带材料MOSFET器件和硅基IGBT器件。驱动电路基于负载反馈信号控制开关装置工作在第一模式或第二模式。在至少一个开关周期中：当功率半导体装置工作在第一模式时...
    2025-10-29
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