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石油,煤气及炼焦工业设备的制造及其应用技术
  • 一种可发泡密封材料,其包含一种或多种聚合物材料、作为发泡剂的偶氮二甲酰胺、水不溶性脲或胍衍生物,以及任选的羧酸锌盐。水不溶性脲或胍衍生物和羧酸锌盐协同降低偶氮二甲酰胺的活化温度。
  • 本发明属于基因编辑技术领域,具体涉及一种基于受精卵注射的石斑鱼高效基因编辑方法。将受精10分钟之内的石斑鱼受精卵浸泡于弱化绒毛膜培养基缓冲液中,在26℃下浸泡30‑60min后取出,并在胚胎发育至四细胞期前,向石斑鱼受精卵注射目标CRISP...
  • 本发明公开了一种污泥低温碳化装置,包括碳化罐罐体,所述碳化罐罐体内转动设置有用于提升碳化罐罐体底部污泥的螺旋叶片和套接于螺旋叶片外的套筒,所述套筒的顶部设置有用于将提升污泥输送至碳化罐罐体内壁上的出泥管;还包括固定安装于碳化罐罐体顶部的搅拌...
  • 本发明提供一种聚醚基础油及其制备方法和应用,所述聚醚基础油采用熔融缩聚法,利用聚环氧烷烃两端的羟基将双酯基团‑COO‑R‑COO‑引入分子结构中,形成了醚键和双酯键交替分布的聚醚酯分子链,然后利用分子链端基的羧基进一步和胺类化合物进行封端反...
  • 本公开涉及用于沉积的掩模和电子装置。所述用于沉积的掩模包括:彼此间隔开的多个单元区域和在平面图中围绕所述单元区域的外围区域;基体层,具有第一表面和与所述第一表面背对的第二表面,所述基体层限定分别对应于所述多个单元区域的多个第一开口;图案绝缘...
  • 本发明提供了一种铜铟镓硒薄膜的制备方法,包括步骤:S10、将基底加热至第一温度,在基底上共蒸铟、镓和硒;S20、提高基底的温度至第二温度,在基底上共蒸铜和硒;S30、保持基底的温度为第二温度,在基底上共蒸铟、镓和硒,获得铜铟镓硒薄膜;其中,...
  • 本发明提供一种粘接树脂组合物和半导体封装的制造方法,所述粘接树脂组合物包含(a)含有液态环氧树脂、苯氧树脂和多官能性环氧树脂的环氧树脂;(b)酸酐系固化剂;(c)含有选自由化学式2所表示的化合物和化学式3所表示的化合物所组成的组中的一种以上...
  • 本发明公开一种半导体级异丙醇连续纯化系统及工艺,针对传统工艺中重金属离子等痕量杂质脱除不彻底等问题,集成了气态吸附脱水、双塔精馏及三级离子交换等步骤,形成新型工艺。原料异丙醇经汽化、气态吸附脱水后,通过多级滤芯过滤;随后进入精馏系统脱除轻、...
  • 本发明涉及铸造技术领域,尤其涉及一种高强度高伸长率QT400‑18球墨铸铁及制备方法,所述球墨铸铁的化学成分按质量百分比计为:C:3.6%~3.9%,Si:2.2%~2.6%,Mn:≤0.15%,P:≤0.02%,S:≤0.015%,Cr:...
  • 本发明公开了一种高结合强度高性能绝缘涂层的制备方法,包括以下步骤:①基体处理:在基体表面加工细槽,采用抛光的方式去除细槽顶部尖角,进行喷砂毛化;②制备粉末:采用机械混合的方式制备喷涂粉末,混合时间2~3h;③制备涂层:采用大气等离子喷涂技术...
  • 本发明公开了一种季铵化曼尼希碱、季铵化曼尼希碱多功能燃油添加剂及其制备方法和应用。所述季铵化曼尼希碱,其结构式如下所示:其中,m=10~90,优选m=15~80;n=0~20,优选n=2~10;R11、R22、R33相同或者不相同,分别独立...
  • 本发明公开了一种有机‑无机杂化锑(III)基卤化物闪烁玻璃陶瓷及其制备方法和应用,属于光电材料技术领域。该闪烁玻璃陶瓷的化学结构通式为[(C1515H2525N22)33]SbCl66•A。其制备方法包括:通过气相扩散法合成目标闪烁体单晶;...
  • 本发明公开了一种降低2‑二甲氨基‑2‑甲基‑1‑丙醇中甲醛含量的方法。该方法以含甲醛的DMAMP粗品为原料,加入胺类去除剂和Pd/C或R‑Ni催化剂,在氢气氛围下进行氢化脱醛反应;反应完成后,滤除催化剂,滤液经脱溶剂和减压精馏后,得到甲醛含...
  • 一种铝合金扁锭坯料及其制备方法,它涉及一种扁铸锭坯料及其制备方法,本发明是为了解决合金铸造成型困难及探伤通过率低的问题导致成品率低的问题。扁铸锭坯料成分为按质量百分比:1.5~2.1%的Cu、2.1~3.0%的Mg、9.0~10.0%的Zn...
  • 本发明涉及含氟化合物领域,具体涉及一种七氟异丁腈的制备方法。该制备方法包括步骤:S1:以六氟丙烯、氟化盐和双(三氯甲基)碳酸酯为原料,采用“一锅法”反应制备得到双(七氟异丙基)酮;S2:将双(七氟异丙基)酮氨解得到七氟异丁酰胺;S3:将七氟...
  • 本发明公开了一种6‑氟‑3‑甲基‑2, 4‑二硝基苯胺的制备方法,包括以下步骤:将3, 4‑二氟甲苯在160 ℃的高温下,使用发烟硫酸和硝酸钠作为硝化剂,反应6小时后,冷却,温度降低至室温后用冰水析出,过滤、洗涤、干燥,得到1, 2‑二氟‑...
  • 本发明公开了镓铝共掺杂n‑ZnO/p‑GaN异质结及制备和应用,属于半导体技术领域。包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、u‑GaN层和p‑GaN层、ZnO籽晶层以及镓铝共掺杂ZnO纳米棒。通过p‑GaN层生长结束后进行高温分解步骤形成多孔GaN,...
  • 本发明提供了一种气体传输系统及薄膜沉积设备。气体传输系统包括:第一管路,其第一端连接工艺腔室,而其第二端连接远程等离子系统;第二管路,其第一端连接第一反应气源,而其第二端经由第一接口连接到所述第一管路,其中,所述第一接口位于所述工艺腔室和所...
  • 本发明提供了一种稀土金属掺杂二氧化铈纳米棒催化剂及其制备方法和应用,属于化工技术领域。本发明将铈盐、稀土金属盐和水混合,得到金属前驱体溶液;将所述金属前驱体溶液滴加至沉淀剂溶液中进行水热反应,得到催化剂前驱体;将所述催化剂前驱体进行煅烧,得...
  • 本发明涉及金属增材制造技术领域,提供了一种钼合金增材制备方法。本发明采用喷雾造粒后等离子球化的技术路线,通过在喷雾造粒过程中加入适量碳源降低钼合金粉体氧含量,制得粒径小、氧含量低的球形钼合金粉末;并将粉末通过激光粉末床熔融(LPBF)技术成...
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