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数据构建方法、模型训练方法、信息处理方法以及设备
本申请提供一种数据构建方法、模型训练方法、信息处理方法以及设备,其中方法包括:获取初始数据集,所述初始数据集中的初始数据包括基础信息、基础信息对应的至少一个关联信息、以及各关联信息对应的行为信息,所述行为信息用于表示用户针对关联信息的行为;...
数据处理方法、系统及装置
本说明书实施例提供数据处理方法、系统及装置,其中所述数据处理方法包括:获取关联存储设备的多源日志数据,其中,所述多源日志数据包含至少两种业务类型的子日志数据;基于所述多源日志数据构建日志特征矩阵,并将所述日志特征矩阵输入至类型识别模型,获得...
一种信息处理方法、装置、电子设备、计算机可读介质
本申请公开了一种信息处理方法、装置、电子设备、计算机可读介质,该方法包括:在获取到需求描述信息之后,先根据该需求描述信息的语义是否清楚,生成分析结果;再依据该分析结果,确定该需求描述信息是否属于模糊需求类;响应于该需求描述信息属于模糊需求类...
一种项目代码中的内存问题的检测方法和相关设备
本申请提供了一种项目代码中的内存问题的检测方法和相关设备。该方法包括:获得项目代码;对项目代码进行编译,确定项目代码中的至少一个内存接口;根据至少一个内存接口,确定每个内存接口对应的内存的信息;根据每个内存接口对应的内存的信息,确定项目代码...
用于数据中心的分布式电力单元
公开了用于向数据中心提供辅助电力的技术,数据中心通常由电力公用设施服务。该系统包括控制器、第一模组和第二模组。公共DC母线在DC侧将第一模组耦合到第二模组。公共AC母线将第一模组耦合到AC侧上的第二模组(例如,模组的输出)。AC断路器被设置...
微型发光二极管及其制备方法和显示面板
本发明提供一种微型发光二极管及其制备方法和显示面板。该微型发光二极管,包括:基板,第一电极和第二电极,第一电极和第二电极依次叠置于基板的一侧,还包括Ga极性外延部和多个N极性外延部,位于第一电极和第二电极之间,N极性外延部和Ga极性外延部同...
一种IBC电池及其制备方法
本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法,其中,本发明实施例中,硼掺杂后进行激光掺杂处理,可以在正极栅线与硅片接触的第一区域进行高浓度硼掺杂,而在其他区域进行低浓度掺杂,既降低了硅片和正极栅线之间的接触电阻,又降低了寄生吸收及表面复合,...
一种光伏电池组件、光伏电池装置、光伏电池系统及光伏电池组件的制作方法
本申请实施例涉及光伏电池技术领域,具体涉及一种光伏电池组件、光伏电池装置、光伏电池系统及光伏电池组件的制作方法。本申请实施例旨在解决光伏电池产生的电压较低的问题。本申请实施例提供了一种光伏电池组件,包括导电层、第一电池单元以及第二电池单元。...
集成电路及其制备方法、功率放大电路及电子设备
本申请实施例提供一种集成电路及其制备方法、功率放大电路及电子设备,涉及半导体技术领域,用于减少寄生电容和寄生电感,提高集成电路的性能。集成电路包括衬底、HEMT器件和第一匹配电路。HEMT器件包括外延层、栅极、第一极、第二极和第一焊盘,栅极...
一种晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本发明公开了一种晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置,以改善有源层坡度角过大时,上方绝缘层容易发生断裂,进而导致水汽入侵,致使发生显示不良的问题。所述晶体管包括:衬底,以及位于所述衬底一侧的有源层,以及位于所述有源层背离所述衬底一侧、且与...
环栅晶体管及其制备方法、电子设备
本申请提供一种环栅晶体管及其制备方法、电子设备。其中,环栅晶体管包括衬底、多个沟道层、多个栅极功能层、多个第一隔离部、源极和漏极,每个沟道层的相对两侧具有第一侧面和第二侧面,每个第一隔离部包括第一隔离层和第二隔离层,第一隔离层具有第一面,第...
晶体管、集成电路、电子设备以及晶体管的制造方法
本申请的实施例提供了一种晶体管、集成电路、电子设备以及晶体管的制造方法,涉及半导体器件技术领域。该晶体管可以同时实现较小的尺寸与较大的导通电流。该晶体管包括:有源区;有源区中包括源区、沟道区以及漏区;晶体管还包括:设置于沟道区上的绝缘层,以...
半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备,涉及半导体技术领域,用于提高半导体器件的击穿电压。该半导体器件包括:沟道层;势垒层,势垒层覆盖沟道层;钝化层,钝化层覆盖势垒层,钝化层的第一区域延伸至势垒层内部;栅极结构,栅极结...
半导体结构及其制备方法、电子设备
本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域,用于降低半导体结构的记忆效应。半导体结构包括由层叠设置的沟道层和势垒层组成的外延叠层,设置于势垒层远离沟道层一侧的源极、栅极以及漏极,设置于源极和漏极之间的离子注入区...
半导体开关器件及制作方法、晶圆、封装结构及电子设备
本申请实施例提供一种半导体开关器件及制作方法、晶圆、封装结构及电子设备,涉及半导体技术领域,用于在满足功率开关器件击穿电压要求的情况下,降低功率开关器件的导通电阻。该半导体开关器件包括衬底、沟道层、势垒层、至少一个晶体管以及再生长半导体层。...
半导体器件及其制备方法、电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域,用于降低栅极漏电,提高器件稳定性和可靠性。半导体器件包括衬底、异质结构、栅帽层、栅极和阻隔层。异质结构位于衬底上。栅帽层位于异质结构远离衬底的一侧。栅帽层包括朝向异质...
功率半导体封装及其制造方法
本申请涉及功率半导体封装及其制造方法。功率半导体封装包括:基底,其定义有单元区以及围绕所述单元区的外围区,且包括衬底和位于所述衬底上方的外延层;结接层,其设置于所述外围区内且位于所述外延层上方;势垒层,其设置于所述单元区内且位于所述外延层上...
转移基板及发光基板的制备方法
本公开的实施例提供了一种转移基板及发光基板的制备方法,涉及显示技术领域,用于提高发光基板的制备效率。该转移基板包括第一衬底和多个粘接件。多个粘接件设置于第一衬底上,且被配置为粘接发光器件;粘接件在第一预设温度下的黏着力为第一黏着力,粘接件在...
半导体器件及其制造方法
本发明提供一种半导体器件及其制造方法,该制造方法在以多晶硅栅极为掩膜,刻蚀去除所述多晶硅栅极暴露出的栅氧化层之后,且在进行后续结构的制造工序之前,采用包含第一离子的掺杂离子进行倾斜离子注入,从而使第一离子至少被注入到所述栅氧化层边缘与所述衬...
一种预检分诊流程的确定方法和应用方法
本发明公开了一种预检分诊流程的确定方法和应用方法,包括:定义患者类型,患者类型包括第一特征和第二特征;确定预检分诊用户信息,定义用户信息组的名称、属性和内容;所述用户信息组的内容包括一项或多项用户信息;所述用户信息组的属性包括采集来源、优选...
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