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最新专利技术
  • 数据压缩方法、模块、电子设备及调试系统
    数据压缩方法、模块、电子设备及调试系统_上海安路信息科技股份有限公司_202510524014.1
    本申请属于数据编码压缩处理技术领域，提出了一种数据压缩方法、模块、电子设备及调试系统，该方法包括：读取处理模块生成的程序块得到原始指令集；按照预设规则，滤除原始指令集中被判定为顺序指令类的指令信息，得到第一指令集；差分压缩第一指令集中指令信...
    2026-01-19
  • 消除射频信号传输端口回波空间反射的转接结构及方法
    消除射频信号传输端口回波空间反射的转接结构及方法_中国电子科技集团公司第十研究所_202510519796.X
    本发明涉及毫米波传输结构技术领域，具体涉及消除射频信号传输端口回波空间反射的转接结构及方法，结构包括产品腔，产品腔上形成有转接平面，转接平面上形成有用以配合转接波导的连接结构，连接结构包括嵌入孔和框架板，框架板顶部与转接平面之间形成的下沉腔...
    2026-01-19
  • 一种动态环境自适应语义通信系统及方法
    一种动态环境自适应语义通信系统及方法_山东大学_202510519327.8
    本发明涉及一种动态环境自适应语义通信系统及方法，用于实现整个面向任务的语义通信，包括：发射端网络、码本空间、无线信道和接收端网络，发射端网络包括特征提取器和联合信源信道编码器即JSC编码器；特征提取器用于：从原始输入数据中识别并提取出与特定...
    2026-01-19
  • 基于离群值的手机USIM侧信道分析方法
    基于离群值的手机USIM侧信道分析方法_观源(上海)科技有限公司_202510524274.9
    本发明公开了基于离群值的手机USIM侧信道分析方法，包括如下步骤：S1、采集USIM卡在执行AES算法过程中产生的功耗信号；S2、对采集的功耗信号进行滤波与对齐，生成标准化侧信道曲线数据；S3、针对AES第一轮中参与S盒操作的每个密钥字节位...
    2026-01-19
  • 消息收发的性能测试方法、系统以及存储介质
    消息收发的性能测试方法、系统以及存储介质_深圳市前海研祥亚太电子装备技术有限公司_202510524114.4
    本申请公开了一种消息收发的性能测试方法、系统以及存储介质，涉及通信技术领域，该方法应用于locust，该locust至少包括第一locust和第二locust，其中，第一locust和第二locust通过TCP与服务端同时进行连接，该方法包...
    2026-01-19
  • 基于混合异构单时滞混沌的彩色图像加密方法和电子设备
    基于混合异构单时滞混沌的彩色图像加密方法和电子设备_常州工业职业技术学院_202510524296.5
    本发明涉及图像加密技术领域，具体公开了一种基于混合异构单时滞混沌的彩色图像加密方法和电子设备，彩色图像加密方法包括以下步骤：利用多个异构单时滞混沌系统生成伪随机序列集合，所述异构单时滞混沌系统通过在混沌系统的不同状态变量上施加时滞，构成至少...
    2026-01-19
  • 一种图像数据的存储方法、系统、装置
    一种图像数据的存储方法、系统、装置_苏州国芯科技股份有限公司_202510523430.X
    本申请涉及一种图像数据的存储方法、系统、装置。所述方法包括：接收第一图像数据地址、待存储的图像数据；所述第一图像数据地址包括基于预设的地址映射规则、第二图像数据地址转换后的地址，所述第一图像数据地址的排列顺序与所述第二图像数据地址的排列顺序...
    2026-01-19
  • 一种网络控制设备及其路径控制系统
    一种网络控制设备及其路径控制系统_无锡凡琉智能科技有限公司_202510520643.7
    本发明公开了一种网络控制设备及其路径控制系统，包括网络控制结构，网络控制结构包括控制器、外壳、固定杆和固定槽块，外壳的侧面设置有盖板，外壳上开设有多个插口，外壳上设置有防护结构，外壳上设置有吹风结构。本发明利用网络控制结构和防护结构相配合的...
    2026-01-19
  • 基于AI语音增强的对讲机对讲系统
    基于AI语音增强的对讲机对讲系统_福建北峰通信科技股份有限公司_202510521170.2
    本发明公开了基于AI语音增强的对讲机对讲系统，涉及LC谐振变换器技术领域，包括监控中心，所述监控中心通信连接有语音采集模块、语音处理模块、AI语音增强模块以及数据更新模块；通过将对讲机所要传输的语音信号进行独立处理，并在完成对讲机所要传输的...
    2026-01-19
  • 混合激励源驱动的高性能宽带中频换能器及其制备方法
    混合激励源驱动的高性能宽带中频换能器及其制备方法_西安交通大学_202510523352.3
    本发明属于换能器技术领域，公开了一种混合激励源驱动的高性能宽带中频换能器及其制备方法，该换能器包括PMN‑PT弛豫铁电单晶单元、安装在PMN‑PT弛豫铁电单晶单元两端的第一支架和第二支架，所述第一支架远离PMN‑PT弛豫铁电单晶单元的一端设...
    2026-01-19
  • 实时动态混音器参数调节方法、装置、设备及介质
    实时动态混音器参数调节方法、装置、设备及介质_长春光华学院_202510517544.3
    本申请涉及一种实时动态混音器参数调节方法、装置、设备及介质。所述方法包括：获取输入音频信号、输出音频特性信息和反馈音频数据；对输入音频信号进行时频变换，提取多音轨相位特征和多音轨幅度特征，生成混音初始参数；基于输出音频特性信息和输入音频信号...
    2026-01-19
  • 一种双闭环控制的改进型X射线发生器
    一种双闭环控制的改进型X射线发生器_合肥海巍光电科技有限公司_202510522784.2
    本发明公开了一种双闭环控制的改进型X射线发生器，涉及X射线发生器领域，该X射线发生器包括分体式高压电源和X射线管组件，通过高压线缆可拆卸连接；高压电源由高压油箱和控制盒组成，高压油箱与控制盒通过导线连接；高压油箱内集成有倍压整流电路、灯丝变...
    2026-01-19
  • 金丝键合布局方法及PCB电路系统
    金丝键合布局方法及PCB电路系统_安徽大学_202510524074.3
    本发明提供了金丝键合布局方法，属于芯片封装技术领域，方法包括：将发射端信号焊盘通过发射端S金丝键合互连到发射射频走线，将接收端信号焊盘通过接收端S金丝键合互连到接收射频走线，发射端S金丝与接收端S金丝正交，发射端G金丝平行于发射端S金丝，接...
    2026-01-19
  • 线路板高精度开槽加工方法、系统、计算机设备、存储介质、程序产品及工件
    线路板高精度开槽加工方法、系统、计算机设备、存储介质、程序产品及工件_深圳市大族微电子科技有限公司_202510530422.8
    本申请涉及一种线路板高精度开槽加工方法、系统、计算机设备、计算机可读存储介质、计算机程序产品及工件。该方法包括：控制粗加工设备，在待开槽线路板上加工初始槽口结构，初始槽口结构与预设槽口区域轮廓位置之间设置有预设间隔距离；控制激光加工设备，对...
    2026-01-19
  • 一种需植球器件的装配工艺
    一种需植球器件的装配工艺_中国电子科技集团公司第十四研究所_202510520418.3
    本发明公开了一种需植球器件的装配工艺，具体包括以下步骤：S1、预装配；S2、一级装配；S3、二级装配；S4、回流焊接；本发明涉及需植球器件装配技术领域。该需植球器件的装配工艺，通过对焊球进行阵列预布设后，利用焊料的粘性对阵列后的焊球进行粘附...
    2026-01-19
  • 一种中央空调智能节能控制器
    一种中央空调智能节能控制器_杭州越悦信息科技有限公司_202510521198.6
    本发明涉及一种控制器，尤其是涉及一种中央空调智能节能控制器，包括支撑框体和控制器模块，支撑框体的两侧对称固定设置有安装板件，控制器模块通过螺丝固定设置在承载板体上；支撑框体中设置有装载辅助组件；通过设置的理线组件便于其线束收纳以及整理，即在...
    2026-01-19
  • 一种自清洁式自动开闭门机柜
    一种自清洁式自动开闭门机柜_深圳中鲲智能科技有限公司_202510524547.X
    本发明涉及通讯机柜技术领域，具体的说是一种自清洁式自动开闭门机柜，包括机柜本体，所述机柜本体上安装有开合机构，所述开合机构包括门板，机柜本体两侧通过铰链转动连接有对称的门板，两个所述门板上分别安装有清理机构；通过开合机构和控制机构的配合，利...
    2026-01-19
  • 一种立体式电容和功率模块集成散热结构
    一种立体式电容和功率模块集成散热结构_致瞻科技(上海)有限公司_202510523808.6
    本申请提供一种立体式电容和功率模块集成散热结构，包括：液冷散热壳体、散热盖板、薄膜电容、碳化硅功率模块和夹片；薄膜电容灌封于液冷散热壳体的内部空间；液冷散热壳体四侧外壁与散热盖板之间的空间形成冷却流道；长散热盖板固定于液冷散热壳体的前后两侧...
    2026-01-19
  • 非易失性两端存储部及其制备方法、存储部的相关产品
    非易失性两端存储部及其制备方法、存储部的相关产品_昕原半导体(上海)有限公司_202510530596.4
    本申请公开了一种非易失性两端存储部及其制备方法、存储部的相关产品。该非易失性两端存储部包括：依序布置的下电极、第一阻变层、第二阻变层、第三阻变层和上电极；其中，第一阻变层包括：第一金属元素和氧元素，第三阻变层中的氧元素浓度小于第一阻变层中的...
    2026-01-19
  • 一种基于电极改性工艺的氧化铪基铁电电容及制备方法
    一种基于电极改性工艺的氧化铪基铁电电容及制备方法_湘潭大学_202510521606.8
    本发明公开了一种基于电极改性工艺的氧化铪基铁电电容及其制备方法，包括由下至上的衬底层、合金底电极层、铁电层、合金顶电极层；其中，所述合金底电极层和所述合金顶电极层中Mo含量为80％～90％、Ti含量为10％～20％，合金厚度约为30～50n...
    2026-01-19
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