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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备
    半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备_华为技术有限公司_202410459001.6
    本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备， 涉及半导体技术领域， 用于提高源极和漏极对沟道的压应力。半导体器件包括衬底、设置于衬底上的堆叠结构、沿第一方向分别设置于对堆叠结构相对两侧的第一极和第二极、设置于第一极和堆叠...
    2025-11-22
  • 半导体电路结构及其制作方法
    半导体电路结构及其制作方法_日日新半导体架构股份有限公司_202510532479.1
    本申请提供了一种半导体电路结构， 包括 : 具有原始半导体表面的半导体基材、位于半导体基材内的主动区、以及以形成在主动区中的电晶体。此电晶体包括闸极结构、邻近闸极结构的第一侧壁的第一间隙壁、以及邻接闸极结构的第二侧壁的第二间隙壁。其中， 第...
    2025-11-22
  • 具有阶梯式屏蔽电极的分裂栅极沟槽半导体器件及其制造方法
    具有阶梯式屏蔽电极的分裂栅极沟槽半导体器件及其制造方法_半导体元件工业有限责任公司_202410941738.1
    本公开涉及具有阶梯式屏蔽电极的分裂栅极沟槽半导体器件及其制造方法。一种半导体器件， 该半导体器件包括半导体材料的主体和位于半导体材料的主体内的沟槽。阶梯式屏蔽电极位于沟槽内并且包括宽的第一部分和位于第一部分下方的较窄的第二部分。第一电介质将...
    2025-11-22
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411076811.X
    提供能够减少导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式， 半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域、导电部、栅极电极以及第二电极。第一半导体区域包含第一部分。第二半导体区域设于第一部分之上。栅极电...
    2025-11-22
  • 一种抗辐射LDMOS器件结构及其制作方法
    一种抗辐射LDMOS器件结构及其制作方法_电子科技大学_202510866560.3
    本发明公开了一种抗辐射LDMOS器件结构及其制作方法， 属于半导体功率器件技术领域。本发明所述抗辐射LDMOS器件包括P型衬底、N型埋层、P型外延、N型深阱、P型深阱、浅槽隔离氧化层、栅氧化层、HTO氧化层、多晶硅、N型阱区、P型阱区、P型...
    2025-11-22
  • 一种抗单粒子烧毁的高压Resurf LDMOS器件结构
    一种抗单粒子烧毁的高压Resurf LDMOS器件结构_电子科技大学_202510867189.2
    本发明提供一种抗单粒子烧毁效应的高压Resurf LDMOS器件结构， 该器件包括P型衬底、N型外延、P型埋层、P型阱区、源区P+注入、N型阱区、源区N+注入、漏区N+注入、栅氧层、场氧化层、多晶硅、金属。本发明在N型漂移区中引入非等长的P...
    2025-11-22
  • 一种横向双扩散型场效应管及其制作方法
    一种横向双扩散型场效应管及其制作方法_东莞市金誉半导体有限公司_202511080484.X
    本发明公开了一种横向双扩散型场效应管及其制作方法， 通过在衬底上形成阱区、本征外延层、第一离子注入区和第二离子注入区， 本征外延层位于阱区和第二离子注入区之间， 第二金属层施加电压使器件正常开启， 增加本征外延层使得导电沟道更宽， 降低了导...
    2025-11-22
  • 碳化硅MOSFET器件
    碳化硅MOSFET器件_西安交通大学_202510729938.5
    公开了碳化硅MOSFET器件， 碳化硅MOSFET器件中， 功率MOSFET单元包括漏极金属电极、功率MOSFET多晶硅栅极和源极金属电极；钳位MOSFET单元设于功率MOSFET旁边， 钳位MOSFET漏极与功率MOSFET金属栅极形成肖...
    2025-11-22
  • 一种4kV低阻超结平面栅SiC VDMOS器件结构及其制备方法
    一种4kV低阻超结平面栅SiC VDMOS器件结构及其制备方法_深圳市港祥辉电子有限公司_202511041654.3
    本发明公开了一种4kV低阻超结平面栅SiC VDMOS器件结构及其制备方法， 涉及碳化硅功率器件技术领域， 包括有漏极金属， 漏极金属的上方设置有n+SiC衬底、n型漂移层， n型漂移层的中间设置有n型区， n型区的下方设置有p型屏蔽层， ...
    2025-11-22
  • 一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件及其制作方法
    一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件及其制作方法_江苏吉莱微电子股份有限公司_202511361231.X
    本发明公开了一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件及其制作方法， 器件具有栅极宽度不同的主副MOS区， 器件整体以N型衬底进行二次外延， 按最优条件拓展出多个功能层。本发明通过两次外延的N型衬底来缓解因刻蚀角度导致的槽宽不等所造成的...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410490675.2
    一种半导体结构及其形成方法， 方法包括：提供基底， 基底包括沟道区域以及位于其两侧的源漏区域， 基底上形成有沟道叠层结构， 沟道叠层结构包括一个或多个在纵向上依次堆叠设置的沟道叠层， 沟道叠层包括牺牲层以及位于牺牲层上的沟道层， 沟道区域的...
    2025-11-22
  • 垂直式薄膜晶体管及其制造方法
    垂直式薄膜晶体管及其制造方法_友达光电股份有限公司_202511081427.3
    本发明公开一种垂直式薄膜晶体管及其制造方法。所述垂直式薄膜晶体管包括第一半导体层、牺牲层、第二半导体层、第三半导体层、第一栅极、源极及漏极。第一半导体层设置在基板上， 且具有第一重掺杂部分与延伸部分。牺牲层覆盖第一半导体层的延伸部分， 并显...
    2025-11-22
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511339998.2
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法， 半导体器件包括：至少两个浮栅区， 形成于阱区内， 浮栅区包括相邻设置的浮栅层和浮栅介质层， 浮栅层和浮栅介质层垂直于衬底上表面所在的平面；以及隔离介质层， 形成于浮栅区和阱区之间；电压施加端， 连接于...
    2025-11-22
  • 一种嵌入式硅锗外延层结构及制作方法
    一种嵌入式硅锗外延层结构及制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510991765.4
    本发明提供一种嵌入式硅锗外延层结构及制作方法， 通过于SiGe种子层表面形成SiGe非晶层， 由于SiGe非晶层无长呈有序的结构， 以SiGe非晶层为基底生长SiGe主体层时， 无法为SiGe主体层提供明确的晶格指导， 使得成核位点随机分布...
    2025-11-22
  • 晶体管及其制备方法、集成电路、电子设备
    晶体管及其制备方法、集成电路、电子设备_华为技术有限公司_202410482561.3
    本申请实施例公开一种晶体管及其制备方法、集成电路、电子设备， 涉及半导体技术领域。晶体管包括栅极、沟道层、第一极和第二极。栅极包括间隔层叠的多个第一栅导电层。沟道层位于相邻两个第一栅导电层之间， 沟道层具有伸出第一栅导电层的第一端和第二端。...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其版图设计方法
    半导体器件及其版图设计方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510783320.7
    本发明提供一种半导体器件及其版图设计方法。该半导体器件包括有源单元区和设置在其外围的至少两圈保护环结构， 仅最靠近有源单元区的第一圈保护环通过引出结构与外部电连接点电连接， 其余保护环不通过独立的引出结构与外部电连接点电连接。本发明的方法通...
    2025-11-22
  • 一种提高碳化硅MOSFET栅氧可靠性的结构和制造方法
    一种提高碳化硅MOSFET栅氧可靠性的结构和制造方法_深圳市华南微电子有限公司_202511035250.3
    本发明公开了一种提高碳化硅MOSFET栅氧可靠性的结构和制造方法， 结构包括N－漂移区， N－漂移区的顶面沉积有互连金属层；在N－漂移区的顶端中部离子注入形成P阱；P阱内注入形成N+源区， N+源区的两侧和底面与P阱接触， N+源区包括重掺...
    2025-11-22
  • 金属氧化物层的制造方法、半导体装置的制造方法
    金属氧化物层的制造方法、半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202510476049.2
    提供一种载流子迁移率高的金属氧化物层、金属氧化物层的制造方法、半导体装置的制造方法。该金属氧化物层的制造方法包括形成结晶部的第一步骤及以结晶部为核形成具有结晶性的金属氧化物层的第二步骤。金属氧化物层包含铟。利用原子层沉积法形成金属氧化物层，...
    2025-11-22
  • 一种顺电-铁电薄膜、顺电-铁电FET及顺电-铁电FeMFET
    一种顺电-铁电薄膜、顺电-铁电FET及顺电-铁电FeMFET_上海深明奥思半导体科技有限公司_202511065750.1
    本申请涉及半导体非易失性存储设备技术领域， 特别是涉及一种顺电‑铁电薄膜、顺电‑铁电FET及顺电‑铁电FeMFET。所述顺电‑铁电薄膜包括：顺电‑铁电层；所述顺电‑铁电层为铪硅氧化物和过渡材料形成的量子阱层状结构， 或由独立的顺电层和独立的...
    2025-11-22
  • 一种改善遮蔽栅极沟槽空隙的方法及沟槽结构
    一种改善遮蔽栅极沟槽空隙的方法及沟槽结构_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202410497476.4
    本发明涉及半导体技术领域， 公开了一种改善遮蔽栅极沟槽空隙的方法， 包括：提供具有沟槽的半导体基板；在半导体基板的表面和沟槽处进行氧化物沉积形成栅极氧化层；对沟槽处的氧化层进行刻蚀， 刻蚀后沟槽由底部向开口处的沟槽宽度逐渐变大；在沟槽处进行...
    2025-11-22
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