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最新专利技术
  • 一种高防护的芯片防火盒
    一种高防护的芯片防火盒_深圳市易甲文技术有限公司_202511043884.3
    本发明公开一种高防护的芯片防火盒，包括：封装壳，设置在所述封装壳内的核心盒，设置在核心盒与封装壳之间的防火棉层，设置在所述核心盒内的芯片防护盒，安装在所述芯片防护盒内的芯片，与所述芯片电连接的柔性线路板；所述柔性线路板穿过所述芯片防护盒、核...
    2025-11-23
  • 一种用于计算机网络安全的数据储存装置
    一种用于计算机网络安全的数据储存装置_厦门聚财钱网络科技有限公司_202511049618.1
    本发明公开了一种用于计算机网络安全的数据储存装置，属于计算机数据存储技术领域，包括下壳体及通过螺栓固定于其上的上壳体，所述上壳体的上表面及下壳体的外侧面均设置有凹通槽，且上壳体和下壳体上的凹通槽内均设置有用于散热的条形气孔，上壳体和下壳体均...
    2025-11-23
  • 一种城乡规划信息化存储设备
    一种城乡规划信息化存储设备_杨玉桃_202510972875.6
    本发明涉及信息存储装置技术领域，具体公开了一种城乡规划信息化存储设备，包括：存储机构，存储机构包括存储设备主体，存储设备主体包括有显示模块、操控模块以及数据接口模块，收纳机构，收纳机构包括设置在存储设备主体下表面的支腿，支腿上插接有第一活动...
    2025-11-23
  • 内容寻址寄存器及其操作方法、处理器和存储器系统
    内容寻址寄存器及其操作方法、处理器和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410537604.3
    本申请实施例提出一种内容寻址寄存器及其操作方法、处理器和存储器系统。该内容寻址寄存器包括：每条字线和位线总线耦接的多个存储单元；时序控制电路，被配置为：根据接收的总线命令，确定工作模式并产生相应工作模式下的控制信号；工作模式包括读取模式、写...
    2025-11-23
  • 一种内存控制器、内存训练方法及处理器
    一种内存控制器、内存训练方法及处理器_海光信息技术(成都)有限公司_202510846510.9
    本发明实施例公开一种内存控制器、内存训练方法及处理器，涉及计算机技术领域，能有效缩短内存训练的时长，提高系统性能。所述内存控制器包括：获取模块，用于获取多个延时扫描点，所述延时扫描点为内存训练中对数据信号进行延时调整时需要扫描到的时间点；分...
    2025-11-23
  • 一种用于RRAM存储芯片读写电路的温度检测型ISPP算法及其硬件实现方法
    一种用于RRAM存储芯片读写电路的温度检测型ISPP算法及其硬件实现方法_南京邮电大学_202510968699.9
    本发明将ISPP算法应用于RRAM存储芯片读写电路，结合温度检测并利用FPGA可编程性特点，结合模数转换器(ADC)，数模转换器(DAC)及相关外围硬件电路，搭建硬件平台对RRAM存储芯片进行读操作与写操作。为了在保证写入数据准确性的同时提...
    2025-11-23
  • 数据存储器
    数据存储器_无锡江南计算技术研究所_202511027350.1
    本申请涉及一种数据存储器。其中一个方面的数据存储器包括：输入触发电路，用于接收外部写入数据；FIFO电路，用于接收输入触发电路传递的写入数据，可以在实现先进先出结构的基础上减小数据写入延迟。
    2025-11-23
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_美光科技公司_202510992553.8
    本申请案涉及存储器装置及其操作方法。在一个实例中，根据所描述技术的存储器装置可包含存储器阵列、感测放大器阵列及信号开发高速缓冲存储器，所述信号开发高速缓冲存储器经配置以存储与可存储于所述存储器阵列处(例如，根据各种读取或写入操作)的逻辑状态...
    2025-11-23
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_长江存储科技有限责任公司_202410545033.8
    本申请实施例提供一种存储器装置及其操作方法。其中，存储器装置包括：存储单元阵列；控制逻辑电路，与存储单元阵列耦接，被配置为，接收命令地址信号，在第一时刻输出第一控制信号；以及，在第二时刻输出第二控制信号；第一时刻不同于第二时刻；时钟生成电路...
    2025-11-23
  • 占空比检测装置及随机存储器
    占空比检测装置及随机存储器_珠海横琴芯存半导体有限公司_202510716680.5
    本申请提供一种占空比检测装置及随机存储器，占空比检测装置包括：占空比检测模块被配置为在执行校准过程中接收校准时钟信号并对校准时钟信号执行占空比检测得到占空比检测结果；调节控制模块连接占空比检测模块，调节控制模块被配置为在执行校准过程中基于占...
    2025-11-23
  • 半导体装置
    半导体装置_爱思开海力士有限公司_202411711488.9
    一种半导体装置可包括：第一存储器单元阵列，其包括第一源极线、第一位线、第一存储器串和第一字线；第二存储器单元阵列，其包括第二源极线、第二位线、第二存储器串和第二字线；第一互连结构，其包括穿过第一存储器单元阵列并且共同连接到第一位线和第二位线...
    2025-11-23
  • 针对存储器装置中的命令队列的读取时间开销和电力优化
    针对存储器装置中的命令队列的读取时间开销和电力优化_美光科技公司_202510973527.0
    本公开涉及针对存储器装置中的命令队列的读取时间开销和电力优化。一种装置包含：存储器单元阵列，其具有耦合到所述阵列的至少一个子集的第一字线；队列；和控制逻辑。所述控制逻辑：检测从所述子集的第一页读取第一数据的第一读取命令；存取所述队列中的第二...
    2025-11-23
  • 一种参考电阻动态调整方法、装置、设备及可读存储介质
    一种参考电阻动态调整方法、装置、设备及可读存储介质_浙江驰拓科技有限公司_202410536403.1
    本发明公开了一种参考电阻动态调整方法、装置、设备及可读存储介质，应用于存储器技术领域，包括：读取第一子阵列；第一子阵列初始为全0矩阵；确定第一子阵列的失效位元数是否大于第一限定值；当确定第一子阵列的失效位元数大于第一限定值时，确定增大参考电...
    2025-11-23
  • 差分位元的读取电路
    差分位元的读取电路_浙江驰拓科技有限公司_202410538589.4
    本发明提供一种差分位元的读取电路，包括：差分位元，包括成对设置的存储位元和参考位元；串联的参考电阻和第三MOS管，参考电阻的第二端通过第三MOS管接地；电流源电路，用于产生大小相同的第一读电流、第二读电流和参考电流；电压型灵敏放大器，第一输...
    2025-11-23
  • 双工艺存储单元及其制备方法、双工艺存储单元阵列、双工艺存储器和芯片
    双工艺存储单元及其制备方法、双工艺存储单元阵列、双工艺存储器和芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202510990142.5
    本公开涉及存储技术领域，具体涉及一种双工艺存储单元及其制备方法、双工艺存储单元阵列、双工艺存储器和芯片。双工艺存储单元包括基于两种不同工艺的第一存储单元和第二存储单元。第一存储单元的抗磁场干扰能力小于第二存储单元，抗擦写能力大于第二存储单元...
    2025-11-23
  • 一种存储单元、存储阵列、存储器及电子设备
    一种存储单元、存储阵列、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202410532453.2
    本申请提供了一种存储单元、存储阵列、存储器及电子设备，存储阵列可以包括：多个存储单元、位线、板线、以及多条第一字线。每一个存储单元包括：存储电容、选通元件和防串扰元件。选通元件的第一控制极与第一字线电连接，选通元件的第一极与防串扰元件的第二...
    2025-11-23
  • 管理半导体装置中的字线
    管理半导体装置中的字线_长江存储科技有限责任公司_202410533583.8
    本公开提供了用于管理半导体装置中的字线的系统、装置和方法。在一方面，半导体装置包括多个块。每个块包括多行存储器单元。每行存储器单元沿第一方向延伸。存储器单元包括具有沿垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极的晶体管。半导体装置还包括多条字线。字线...
    2025-11-23
  • 一种内存控制系统、高速内存信号线训练方法及电子设备
    一种内存控制系统、高速内存信号线训练方法及电子设备_海光信息技术(成都)有限公司_202510819819.9
    本申请实施例公开一种内存控制系统、高速内存信号线训练方法及设备，涉及计算机内存技术领域，可以获得接近实际工作状态时的信号眼图。内存控制系统包括：内存控制器，配置为在训练存储颗粒进入可读写状态之后，通过至少一条高速内存信号线发送读写指令信号至...
    2025-11-23
  • 一种抗辐照的忆阻器突触电路
    一种抗辐照的忆阻器突触电路_湘潭大学_202510988706.1
    本发明公开了一种抗辐照的忆阻器突触电路，涉及神经网络集成电路技术领域，本发明在四忆阻器突触电路的基础上，保留两个忆阻器实现权重极性的转变，将另两个忆阻器更换为不变的电阻，减小四忆阻器给权重更新曲线带来的非线性与不对称性影响；同时当忆阻器突触...
    2025-11-23
  • 一种非晶碳忆阻器阵列光读出方法
    一种非晶碳忆阻器阵列光读出方法_东北师范大学_202510991780.9
    本发明涉及一种非晶碳忆阻器阵列光读出方法，提出一种忆阻器，从下至上依次包括底电极ITO、非晶碳介质层、顶电极Ag。忆阻器高阻状态下在光照期间光电流逐渐增加，在撤光后回落至基线；而对器件施加正向电压使其转变为低阻时，载流子沿导电细丝重组，重复...
    2025-11-23
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