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最新专利技术
  • 磁控溅射装置及其溅射阴极
    磁控溅射装置及其溅射阴极_东莞市科盛机电设备有限公司_202511360144.2
    本申请涉及一种磁控溅射装置及其溅射阴极，该溅射阴极包括靶材、第一磁场发生装置和第二磁场发生装置，靶材具有靶材表面；第一磁场发生装置用于在靶材表面形成平行于靶材表面的第一磁场；第二磁场发生装置用于在靶材表面形成垂直于靶材表面的第二磁场；其中，...
    2026-01-27
  • 一种半导体芯片镀膜装置及镀膜方法
    一种半导体芯片镀膜装置及镀膜方法_南通优睿半导体有限公司_202511418777.4
    本发明属于半导体技术领域，具体的说是一种半导体芯片镀膜装置及镀膜方法，包括工作台，所述工作台的上端面转动设置有镀膜盘，所述镀膜盘的上端面固定安装有多个呈圆周阵列设计的支撑架，每个所述支撑架的内侧均设置有吸附管，每个所述支撑架的上方均设置有芯...
    2026-01-27
  • 一种具有可调角度样品架的镀膜设备
    一种具有可调角度样品架的镀膜设备_广东振华科技股份有限公司_202511031669.1
    本发明公开了一种具有可调角度样品架的镀膜设备，包括：主舱体、真空泵组件、浮动座、法兰座、伞型样品架、传动杆和第一驱动器，主舱体内设有真空腔，真空泵组件与真空腔连通；浮动座可升降设于主舱体的安装孔的上部，浮动座与安装孔之间连接有弹性密封套，法...
    2026-01-27
  • 一种用于镀膜机的运行状态监测方法
    一种用于镀膜机的运行状态监测方法_常熟众特汽车饰件有限公司_202511431621.X
    本申请涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种用于镀膜机的运行状态监测方法，方法包括：获取镀膜过程的传感器时序数据，并结合成品质量数据和工件几何模型识别出关键几何区域；构建评估多参数协同状态的工艺轨迹健康指标，并构建融合了关键几何区域温度与工艺健...
    2026-01-27
  • 一种带加热装置的连续真空镀膜设备
    一种带加热装置的连续真空镀膜设备_苏州普瑞赛半导体设备有限公司_202511102893.5
    本发明涉及真空镀膜技术领域，且公开了一种带加热装置的连续真空镀膜设备，包括操作平台，所述操作平台的上端设置有输送组件，且输送组件的下端安装有翻转组件，所述翻转组件的一侧安装有取放组件，且取放组件的一侧设置有升降组件和转向切换组件，所述升降组...
    2026-01-27
  • 一种真空镀膜设备
    一种真空镀膜设备_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202511315032.5
    本发明公开了一种真空镀膜设备，包括进料腔室和工艺腔室，所述进料腔室与所述工艺腔室之间设置有供载盘通过的狭缝通道，所述狭缝通道的侧壁设置有防着板，所述防着板用于吸附灰尘。本发明在进料腔室与工艺腔室之间设置狭缝通道，并在狭缝通道的侧壁上布置防着...
    2026-01-27
  • 一种CVDSiC涂层石墨产品及其制备方法
    一种CVDSiC涂层石墨产品及其制备方法_湖南云思半导体科技有限公司_202511091596.5
    本发明提供了一种CVD SiC涂层石墨产品，包括石墨基体和依次附着于所述石墨基体表面的SiC过渡层和SiC主涂层。所述的SiC过渡层表面有大量的亚微米孔洞，厚度为10‑30μm；所述的SiC主涂层为结构致密的β‑SiC，厚度为30‑100μ...
    2026-01-27
  • 一种集流体材料制备方法及集流体材料
    一种集流体材料制备方法及集流体材料_广东微电新能源股份有限公司_202510880529.5
    本发明公开了一种集流体材料制备方法，包括如下步骤：将多孔镍放置于流化床中，在氩气环境下通入硅烷气体进行硅沉积，沉积后降至室温得到硅/多孔镍材料；再以金属镍作为靶材，对得到的硅/多孔镍材料进行PVD沉积，得到镍包覆硅材料；最后将镍包覆硅材料涂...
    2026-01-27
  • 一种大面积二硫化钼薄膜及其制备方法
    一种大面积二硫化钼薄膜及其制备方法_河南工业大学_202510954897.X
    本发明提出了一种大面积二硫化钼薄膜及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将NaCl添加到氨水溶液中，超声混匀，得到混合溶液1；将MoO3添加到混合溶液1中，超声混匀，得到混合溶液2；将混合溶液2干燥，得到改性钼源涂层；将衬底面朝改性钼源涂...
    2026-01-27
  • 一种导电浆料用炭黑复合材料的制备方法
    一种导电浆料用炭黑复合材料的制备方法_河北大学_202511076793.X
    本发明属于导电浆料领域，尤其涉及一种导电浆料用炭黑复合材料的制备方法，包括以下步骤：采用气相沉积的方式在待包覆炭黑的表面沉积金属，得到具有金属包覆层的炭黑复合材料。采用本发明方法制备的炭黑复合材料具有良好的导电性和稳定性，由该炭黑复合材料制...
    2026-01-27
  • 一种刹车盘用板材坯料的制备方法
    一种刹车盘用板材坯料的制备方法_上饶中昱新材料科技有限公司_202511124895.4
    本发明公开了一种刹车盘用板材坯料的制备方法，涉及飞机刹车盘制造技术领域，在气相沉积炉内热场件与盘状工装组合形成腔体，盘状工装作为腔体的底部，盘状工装具有开孔，腔体内具有沿垂直方向延伸的支撑柱工装；板材预制体环绕支撑柱工装竖直放置于腔体内，板...
    2026-01-27
  • 基于织构α-Al2O3的复合涂层及其制备方法
    基于织构α-Al2O3的复合涂层及其制备方法_成都工具研究所有限公司_202511445663.9
    本发明涉及表面涂层制备技术领域，公开了一种基于织构的复合涂层及其制备方法，其方法包括以下步骤：采用热壁式化学气相沉积工艺，在基体表面依次沉积TiN层、MT‑TiCN层、结合层、改性层、层和最外层TiN，其中：层由三层子层组成，其沉积过程满足...
    2026-01-27
  • 一种基于中温α-Al2O3的复合涂层及其制备方法
    一种基于中温α-Al2O3的复合涂层及其制备方法_成都工具研究所有限公司_202511445664.3
    本发明涉及复合涂层制备技术领域，公开了一种基于中温的复合涂层及其制备方法，其方法包括以下步骤：采用热壁式化学气相沉积方法，在700–900℃的温度下，依次在基体表面沉积TiN层、TiCN层、结合层和层；所述结合层包括依次形成的TiCNO层、...
    2026-01-27
  • 一种LiF-CFx薄膜的制备方法以及LiF-CFx薄膜
    一种LiF-CFx薄膜的制备方法以及LiF-CFx薄膜_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202510883424.5
    本发明公开一种LiF‑CFx薄膜的制备方法以及LiF‑CFx薄膜，涉及半导体材料生长技术领域，包括：将锂离子电池正极材料放置于满足预设条件的ALD设备的反应腔中；以脉冲的形式依次向放置有锂离子电池正极材料的反应腔中通入第一前驱体以及第二前驱...
    2026-01-27
  • 一种可外挂的多腔同步成膜连续式ALD设备
    一种可外挂的多腔同步成膜连续式ALD设备_厦门韫茂科技有限公司_202511214900.0
    本发明提供了一种可外挂的多腔同步成膜连续式ALD设备，涉及半导体及集成电路设备技术领域。包括：EFEM装载系统、真空传输系统，以及通过隔离缝阀连接在所述真空传输系统周侧的工艺多内腔体结构；所述EFEM装载系统连接所述真空传输系统；所述真空传...
    2026-01-27
  • 一种原子层沉积装置
    一种原子层沉积装置_中国科学院山西煤炭化学研究所_202511261202.6
    本发明公开了一种原子层沉积装置，涉及催化剂合成技术领域，包括罐体、罩盖、样品台、进气管以及多个喷头，罐体的顶端开设有进出口，罐体的底端开设有出气口，罩盖能够拆卸地固定设于罐体的顶端上，罩盖能够将进出口封堵，罩盖与罐体围成腔室，所有喷头置于腔...
    2026-01-27
  • 一种应用于显示行业PECVD制程的腔体内关键零部件Back Plate气体均匀性分布改善的制造方法
    一种应用于显示行业PECVD制程的腔体内关键零部件Back Plate气体均匀性分布改善的制造方法_光晋科技(合肥)有限公司_202511340153.5
    本发明公开了一种应用于显示行业PECVD制程的腔体内关键零部件Back Plate气体均匀性分布改善的制造方法，属于显示行业领域，包括以下步骤：Back Plate结构设计、加工工装制造、孔内表面处理和效果验证与组装，设计主管路进气口缩小结...
    2026-01-27
  • 实心化气体分配盘和化学气相沉积装置
    实心化气体分配盘和化学气相沉积装置_宁波江丰芯创科技有限公司_202511346915.2
    本发明公开了一种实心化气体分配盘和化学气相沉积装置，属于化学气相沉积装置技术领域。实心化气体分配盘包括分配盘本体和环形结构件，分配盘本体的顶部中心处设置有进气孔，分配盘本体的底部设置有若干个排气孔，分配盘本体内的第一厚度层设置有导流通道，导...
    2026-01-27
  • 一种平板式原子层沉积装置
    一种平板式原子层沉积装置_南京原磊纳米材料有限公司_202511347349.7
    本申请涉及半导体生产制造设备，提供一种平板式原子层沉积装置，流场优化组件包括扩口块和排气块；扩口块包括导流部和扩口部，且扩口部上等距设置多个进气通道；扩口部与反应外腔体的进气端之间设置有进气筛板，进气筛板等距设置有多个第一通孔；排气块包括相...
    2026-01-27
  • 一种等离子体增强化学气相沉积设备
    一种等离子体增强化学气相沉积设备_上海微世半导体有限公司_202511319752.9
    本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括反应腔、设置在反应腔内的加热盘、设置在所述反应腔内位于所述加热盘上方的匀气盘，罩在所述匀气盘上的以在内部形成缓冲气腔的导电罩盖，所述反应腔外还设置有罩在所述炉门上的传送腔，所述传送腔内设置有...
    2026-01-27
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