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最新专利技术
  • 用于减少后连续渗透合成缺陷的方法
    用于减少后连续渗透合成缺陷的方法_应用材料公司_202480026981.9
    本文所公开的实施例描述了用于处理基板的方法。在一个实例中，处理膜堆叠的层的方法包括预处理形成在基板上的膜堆叠的底层的表面，并通过在靠近膜堆叠的处理环境中加热含甲基材料以在膜堆叠的光致抗蚀剂层中形成金属氧化物。膜堆叠包括布置在底层顶部上并与底...
    2025-11-21
  • 通过混合工艺于高深宽比结构中制造硅化物的方法
    通过混合工艺于高深宽比结构中制造硅化物的方法_应用材料公司_202480024143.8
    本公开案涉及一种通过使用多步沉积工艺在高深宽比结构中选择性形成硅化物的方法。将第一前体气体输送至设置在维持在第一工艺压力下的工艺腔室的处理区域内的表面，其中所述基板在第一温度下维持持续第一时间段。在所述第一时间段已经过去后输送所述净化气体持...
    2025-11-21
  • 用于导电特征的室温物理气相沉积的低能量底层
    用于导电特征的室温物理气相沉积的低能量底层_应用材料公司_202480027361.7
    本揭露的实施例通常涉及在基板上形成电导特征的方法。在一个实施例中，该方法包括在基板的开口处透过物理气相沉积(PVD)形成第一导电层。第一导电层的厚度小于20埃。该方法进一步包括透过PVD在第一导电层上形成第二导电层。第一导电层和第二导电层是...
    2025-11-21
  • 保护片和电子器件的制造方法
    保护片和电子器件的制造方法_日东电工株式会社_202480021910.X
    本发明提供保护片等，所述保护片具备保护层，所述保护层待贴合于具有保护对象面的电子器件的所述保护对象面、或连结多个所述电子器件而得到的电子器件连结体的保护对象面，浸渍于25℃的水中180秒后的所述保护层的质量减少率WW为0质量％以上且30质量...
    2025-11-21
  • 接合体及接合体的制造方法
    接合体及接合体的制造方法_日本碍子株式会社_202380094498.X
    一种接合体，该接合体具有：压电材料基板11；支撑基板13，其接合于压电材料基板；以及外周加工部，其是使压电材料基板11及支撑基板13的外周部相对于压电材料基板11的主表面倾斜而得到的，外周加工部包括：压电材料基板11面对的第一倾斜面、以及位...
    2025-11-21
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480021449.8
    基板处理方法包括：准备基板，所述基板具有第一主面以及朝向与所述第一主面的朝向相反的第二主面，并且在所述第一主面具有起伏；以及进行所述基板的所述第一主面的激光加工。基板处理方法包括：在所述激光加工之前获取所述第一主面的起伏的映射数据；基于所述...
    2025-11-21
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480021450.0
    基板处理方法包括以下处理：准备基板，所述基板具有第一主面以及朝向与所述第一主面的朝向相反的第二主面，并且在所述第一主面具有起伏；以及进行所述基板的所述第一主面的激光加工。基板处理方法包括以下处理：在所述激光加工之前获取所述第一主面的起伏的映...
    2025-11-21
  • 基板处理装置及基板处理方法
    基板处理装置及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480023339.5
    本发明提供一种无论基板的主面的湿润性如何，均能抑制处理液被挡板溅起而附着于基板的主面的技术。基板处理装置具备基板保持部(2)、喷嘴(3)、挡板(7)、挡板升降驱动部(8)及控制部(90)。喷嘴(3)向由基板保持部(2)保持的基板(W)的主面...
    2025-11-21
  • 具有提升的表面纯度的含硅及锗材料的选择性蚀刻
    具有提升的表面纯度的含硅及锗材料的选择性蚀刻_应用材料公司_202380097434.5
    示例性半导体处理方法可包括将含氧前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可容纳在处理区域内。第一层含硅及锗材料、第二层含硅及锗材料、及含硅材料层可设置在基板上。方法可包括使基板与含氧前驱物接触。接触可氧化第二层含硅及锗材料的至少部分。方法...
    2025-11-21
  • 等离子体处理装置和终点检测方法
    等离子体处理装置和终点检测方法_东京毅力科创株式会社_202480026054.7
    一种等离子体处理装置，其具备测定发光强度的分光计，基于由上述分光计计测的计测结果，控制蚀刻的终点检测的控制部，上述控制部在将包含硅和氧的第1层与包含硅和氮的第2层交替层叠的层叠膜利用等离子体蚀刻时，执行以下步骤：(a)由上述分光计取得上述氧...
    2025-11-21
  • 选择性蚀刻氮化硅的方法
    选择性蚀刻氮化硅的方法_应用材料公司_202480026950.3
    本公开内容的实施例针对选择性蚀刻工艺。工艺包括使前驱物流入含有基板的半导体处理腔室中，前驱物包括卤素间化合物、含卤素物质、伪卤素物质中的一者或多者、卤素间化合物、含卤素物质或伪卤素物质中的一者或多者与胺或膦的混合物，或卤素间化合物、含卤素物...
    2025-11-21
  • 选择性蚀刻氮化硅的方法
    选择性蚀刻氮化硅的方法_应用材料公司_202480027260.X
    本发明的实施例关于选择性蚀刻处理。处理包括蚀刻化学(含氟前驱物与第一气体混合物的等离子体)，及钝化化学(含硫前驱物与第二气体混合物的等离子体)。在一实施例中，含硫前驱物与第二气体混合物以含硫前驱物与第二气体混合物的比例在从0.01至5的范围...
    2025-11-21
  • 绝缘膜形成材料、半导体装置的制造方法及半导体装置
    绝缘膜形成材料、半导体装置的制造方法及半导体装置_艾曲迪微系统股份有限公司_202480026473.0
    一种具有感光性的绝缘膜形成材料，其为包含(A)聚酰亚胺前体、(B)溶剂和(C)填料的绝缘膜形成材料，将所述绝缘膜形成材料成型而成的绝缘膜的i线透射率为5%~40%。
    2025-11-21
  • 外延膜缺陷确定
    外延膜缺陷确定_应用材料公司_202480027568.4
    一种方法包括以下步骤：由处理设备获得包括外延膜的基板的第一图像数据。所述方法进一步包括以下步骤：向所述第一图像数据应用频域过滤器以获得经过滤的图像数据。所述方法进一步包括以下步骤：通过对所述经过滤的图像数据执行特征检测，确定所述第一图像数据...
    2025-11-21
  • 巨量转移装置及其巨量转移方法
    巨量转移装置及其巨量转移方法_深超光电(深圳)有限公司_202480021370.5
    提供一种巨量转移装置(100)及其巨量转移方法。所述巨量转移装置(100)包含承载部(110)、取放部(120)、检测部(130)以及控制部(140)。承载部(110)用以固定第一基板(SUB1)及第二基板(SUB2)至少其中之一。取放部(...
    2025-11-21
  • 用于基板处理设备的气化设备以及基板处理设备
    用于基板处理设备的气化设备以及基板处理设备_周星工程股份有限公司_202480025014.0
    本发明涉及一种用于基板处理设备的气化设备以及基板处理设备，用于基板处理设备的气化设备包括：第一流入单元，第一流入单元被供应液体或固体的前体和第一载气；扩散单元，扩散单元包括比第一流入单元宽的扩散空间，并且前体在扩散空间中扩散；第二流入单元，...
    2025-11-21
  • 用于预测和监测腔室元件的温度的虚拟感测器
    用于预测和监测腔室元件的温度的虚拟感测器_应用材料公司_202480026963.0
    公开了一种用于虚拟感测半导体处理腔室的硬件元件的温度的方法及装置。在一或多个实施例中，一种适用于半导体制造的处理腔室的操作方法包括接收用于制造工艺的工艺配方，及使用感测器监测处理腔室的第一硬件元件的第一温度。该方法进一步包括基于接收到的工艺...
    2025-11-21
  • 包括能带间隙材料的测量系统、处理系统以及相关设备与方法
    包括能带间隙材料的测量系统、处理系统以及相关设备与方法_应用材料公司_202480027261.4
    本案的实施例系关于包括用于温度测量校准的能带间隙材料的测量系统、处理系统以及相关设备及方法。在一或多个实施例中，测量系统包括基板支撑组件，该基板支撑组件包括内部部分及外部部分。内部部分包括第一面、与第一面相对的第二面、形成于第一面中的一或多...
    2025-11-21
  • 组合设备
    组合设备_东京毅力科创株式会社_202480020778.0
    本发明的组合设备具有等离子体处理装置和移动式更换装置，等离子体处理装置具有：具有第一面和第二面的等离子体处理模块；和在第一面与等离子体处理模块连接的真空运送模块，等离子体处理模块具有支承部件和消耗环，移动式更换装置具有：环保管部；环更换机器...
    2025-11-21
  • 处理装置以及处理方法
    处理装置以及处理方法_松下知识产权经营株式会社_202480025935.7
    处理装置(100)具备定位装置(10)、头(5)和载台(6)。定位装置(10)具备摄像机(1)、具有第1反射面(31)和第2反射面(32)的棱镜(3)、和运算装置(8)。在棱镜(3)配置于头(5)与载台(6)之间时，第1反射面(31)使从头...
    2025-11-21
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