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最新专利技术
  • 射频馈入结构及等离子体设备
    射频馈入结构及等离子体设备_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511129825.8
    本申请公开了一种射频馈入结构及等离子体设备，涉及半导体技术领域，射频馈入结构具体包括：射频馈入件、馈入连接组件和弹性导电件；射频馈入件将射频发生组件所产生的射频传导至馈入连接组件，馈入连接组件的第一连接端与射频馈入件连接以接收射频，馈入连接...
    2025-11-30
  • 一种长形RF离子源及其使用方法
    一种长形RF离子源及其使用方法_肇庆市科润真空设备有限公司_202511153185.4
    本发明公开一种长形RF离子源及其使用方法，离子源包括栅网组件、放电室体、挡罩、磁铁和RF线圈，栅网组件设于放电室体顶部，放电室体外周设有RF线圈，栅网组件下方设有磁铁和挡罩，放电室体、磁铁和RF线圈分别位于挡罩内，放电室体底部设有工作气体进...
    2025-11-30
  • 一种快速响应端窗反射式光电倍增管
    一种快速响应端窗反射式光电倍增管_南京三乐集团有限公司_202511123371.3
    本发明公开了一种快速响应端窗反射式光电倍增管，属于光电倍增管测试领域，包含包含微曲球面入射窗、聚焦圆盘、平面反射式阴极、栅网、固定片、加速杆、倍增极DY1‑DYn和阳极；本发明优化了光电阴极的有效工作面积，根据电场分布放置加速杆，改变倍增极...
    2025-11-30
  • 一种光电倍增管MnOx/MnNx梯度复合增透膜及其制备方法
    一种光电倍增管MnOx/MnNx梯度复合增透膜及其制备方法_南京三乐集团有限公司_202511053313.8
    本发明公开了一种光电倍增管的梯度复合增透膜及其制备方法，该梯度复合增透膜是由MnOx/MnNx构成，本发明通过“焦耳热‑辉光放电”耦合技术，利用辉光放电产生高密度等离子体，促进锰层与反应气体(O2/N2)的原子级混合，实现MnOx/MnNx...
    2025-11-30
  • 一种等离子体解吸电离源系统及其方法和质谱分析系统
    一种等离子体解吸电离源系统及其方法和质谱分析系统_东华理工大学_202510945376.8
    本发明提供一种等离子体解吸电离源系统及其方法和质谱分析系统，属于质谱分析领域。等离子体解吸电离源系统包括：低压电源，为电弧等离子体的产生提供低电压的能量；能量调节模块，用于调节低电压的能量输出时间和周期；升压模块，用于将低电压转换为高电压；...
    2025-11-30
  • 一种离子阱芯片快速更换系统、方法及量子计算机
    一种离子阱芯片快速更换系统、方法及量子计算机_合肥幺正量子科技有限公司_202511116331.6
    本发明提供了一种离子阱芯片快速更换系统，所述系统包括：真空组件，包括能依次连通的第一真空腔、桥接机构以及第二真空腔；传送组件，包括送样机构以及设在其传送端的芯片载板架，所述送样机构与第一真空腔连接，且所述的传送端能依次穿过第一真空腔和桥接机...
    2025-11-30
  • 一种多功能离子阱芯片快速更换装置、方法及量子计算机
    一种多功能离子阱芯片快速更换装置、方法及量子计算机_合肥幺正量子科技有限公司_202511116421.5
    本发明提供了一种多功能离子阱芯片快速更换装置，所述系统包括：真空组件，包括能依次连通的第一真空腔、桥接机构以及第二真空腔；传送组件，包括送样机构以及设在其传送端的芯片载板架，所述送样机构与第一真空腔连接，且所述的传送端能依次穿过第一真空腔和...
    2025-11-30
  • 降低能量发散的质量分析器
    降低能量发散的质量分析器_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511098433.X
    本发明提供了降低能量发散的质量分析器，沿离子的飞行方向依次设置有：推斥电极，加速电极，分离电极，用于提供分离电场，分离电场沿第二方向设置；分离电场用于减小离子团中质荷比相同的离子之间的距离；分离电场还用于增加离子团中质荷比不同的离子之间的距...
    2025-11-30
  • 聚酰亚胺层的去除方法
    聚酰亚胺层的去除方法_无锡华润上华科技有限公司_202410641932.8
    本申请涉及一种聚酰亚胺层的去除方法，包括：刻蚀晶圆表面的聚酰亚胺层；对刻蚀后的晶圆进行第一清洗，去除刻蚀晶圆表面的聚酰亚胺层形成的副产物；对第一清洗后的晶圆进行第二清洗，继续去除副产物。本实施例的聚酰亚胺层的去除方法，在对聚酰亚胺层的去除过...
    2025-11-30
  • 制造具有高品质成核区域的III族氮化物功率器件用工程化生长衬底的方法
    制造具有高品质成核区域的III族氮化物功率器件用工程化生长衬底的方法_威弗洛得有限公司_202510673624.8
    根据本发明的实施方式提供了一种制造III族氮化物功率器件用工程化生长衬底的方法，在该工程化生长衬底中形成有成核区域，该方法包括：籽晶衬底制备步骤(S100)，制备具有设定厚度的由单晶SiC制成的籽晶衬底；成核区域形成步骤(S200)，在籽晶...
    2025-11-30
  • 半导体器件的金属元素扩散方法及其制造方法
    半导体器件的金属元素扩散方法及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511127676.1
    本公开提供了一种半导体器件的金属元素扩散方法及其制造方法，该方法包括：在半导体层的正面形成金属层；令所述金属层与硅反应形成金属硅化层；去除未反应的残余所述金属层，保留所述金属硅化层作为扩散源；以及采用微波退火或激光退火对所述金属硅化层进行加...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511160285.X
    本公开提供了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件的形成方法包括：提供基底；基底包括第一半导体结构、多个与第一半导体结构沿第一方向堆叠排布的第二半导体结构、位于在第二方向上相邻的两个第二半导体结构之间的第一沟槽；第二半导体结构包括衬底和器件...
    2025-11-30
  • 一种引线框制作方法和引线框结构
    一种引线框制作方法和引线框结构_江苏凯嘉电子科技有限公司_202511110677.5
    本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种引线框制作方法和引线框结构，包括：在框架基材放置加工台的表面，利用引线框冲压设备对框架基材进行冲压成引线框，基岛表面冲压出放置槽，基岛利用支撑板支撑固定，引线框冲压设备对内引脚表面冲压凹槽和放料槽；有...
    2025-11-30
  • 玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构
    玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构_成都奕成集成电路有限公司_202511115317.4
    本申请提供一种玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构。首先，提供一待制作玻璃芯板，待制作玻璃芯板包括第一导电走线、玻璃基板以及贯穿玻璃基板的基板通孔，第一导电走线填充在基板通孔内，填充于基板通孔内的第一导电走线的长度小于基板通孔深度。接...
    2025-11-30
  • 嵌埋封装结构及其制作方法
    嵌埋封装结构及其制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202510929143.9
    本发明公开了一种嵌埋封装结构及其制作方法，涉及封装基板技术领域。该方法包括：准备框架；在空腔内放置至少一个第一器件，并从框架的第一面对空腔内的第一器件进行塑封；在框架的第二面设置第一线路层，通过第一线路层将第一器件的第一信号端子扇出至第一器...
    2025-11-30
  • 一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构
    一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构_成都奕成集成电路有限公司_202511198619.2
    本申请公开了一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域。该方法包括提供一基板和一载板，载板具有贯穿载板的多个第一通孔和多个第二通孔；在基板的一侧形成多个第一导电柱和多个芯片组件，芯片组件包括芯片、位于芯片远离基板一侧的引...
    2025-11-30
  • 电子装置和制造电子装置的方法
    电子装置和制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510557325.8
    本发明公开了电子装置和制造电子装置的方法。在一个示例中，一种电子装置包括下基板、上基板、内部互连件、桥接部件、下包封体和电子部件。内部互连件将下基板的上侧耦接到上基板的下侧。桥接部件包括耦接到上基板的桥接第一互连件、耦接到下基板的第二互连件...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511176173.3
    本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底结构；基底结构包括沿第一方向并列排布的第一区域和第二区域；第一方向垂直于基底结构的厚度方向；在第一区域上形成第一铝垫结构，并在第二区域上形成第二铝垫结构；第一铝垫结构包括第一阻挡层、第...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511176202.6
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供基底结构；所述基底结构包括第一区域；在第一区域上形成图案化的复合铝垫层；复合铝垫层包括复合铝垫结构，复合铝垫结构包括沿第一方向依次层叠的第一阻挡层、第一铝垫层、第二...
    2025-11-30
  • 电子器件及其形成方法
    电子器件及其形成方法_星科金朋私人有限公司_202410639960.6
    本申请提供了一种形成电子器件的方法。所述方法包括：提供封装基板，所述封装基板具有形成于其上的第一组导电衬垫；在所述封装基板上形成多个支撑元件，所述多个支撑元件不覆盖所述第一组导电衬垫；将焊料材料沉积到所述第一组导电衬垫上；将具有第二组导电衬...
    2025-11-30
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