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最新专利技术
  • 一种晶圆晶面弯曲的测试方法和电子设备
    一种晶圆晶面弯曲的测试方法和电子设备_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511305822.5
    本发明公开了一种晶圆晶面弯曲的测试方法和电子设备。该晶圆晶面弯曲的测试方法包括：获取待测试晶圆的XRT形貌图集；其中，XRT形貌图集包括两个衍射方向对应的形貌图组，形貌图组包括在同一衍射方向下采用多个入射角对待测试晶圆进行测试得到的形貌图，...
    2026-01-19
  • 晶圆表面颗粒物光谱与电子束联合检测方法和装置
    晶圆表面颗粒物光谱与电子束联合检测方法和装置_中国计量科学研究院_202511358036.1
    一种晶圆表面颗粒物光谱与电子束联合检测方法和装置，包括：利用散射光预检测单元扫描样品台上的晶圆表面，获取污染物位置坐标集合，将所述坐标集合输入定位控制单元；两台脉冲激光器发射脉冲激光分别经脉冲展宽器展宽至皮秒级后合束，通过所述物镜聚焦至所述...
    2026-01-19
  • 一种基于双光梳的图案晶圆多参量同步检测系统及方法
    一种基于双光梳的图案晶圆多参量同步检测系统及方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511695768.X
    本发明公开了一种基于双光梳的图案晶圆多参量同步检测系统及方法，属于晶圆质量检测领域。该系统包括信号光路、参考光路、检测光路和一个同步探测模块。探测光束和参考光束干涉后，经偏振分束器分解为H、V两路，由第一相机和第二相机同步探测。本发明还提供...
    2026-01-19
  • 晶圆检测方法、装置及其应用
    晶圆检测方法、装置及其应用_有为图像技术(苏州)有限公司_202511705999.4
    本发明公开了一种晶圆检测方法、装置及其应用，晶圆检测方法包括：获取第一参考数据以构建第一坐标系，获取待测晶粒与模板晶粒的位置关系，并基于第一参考数据和位置关系获取待测晶粒的参考坐标，基于图像采集的最大扫描视野和第一参考数据计算最大扫描视野下...
    2026-01-19
  • 光阻颗粒物检测方法
    光阻颗粒物检测方法_上海光通信有限公司_202410750819.3
    一种光阻颗粒物检测方法，所述方法包括：提供监控晶圆；在所述监控晶圆上涂覆光阻层；在所述光阻层上喷涂第一光阻稀释剂；对所述监控晶圆进行第一表面颗粒物检测。本发明可以提高光阻内部和表面的颗粒物检测准确性，还可以提高溯源分析的准确性。
    2026-01-19
  • 监测系统及其监测方法、UV固化设备
    监测系统及其监测方法、UV固化设备_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410779227.4
    本发明提供了一种监测系统及其监测方法、UV固化设备，监测系统包括光线检测模块和控制模块，光线检测模块设置于真空窗背向UV光源的表面，以用于检测透过真空窗的光线信息，光线信息包括红外线信息和紫外线信息中的至少一种；控制模块分别与光线检测模块和...
    2026-01-19
  • 晶圆处理装置
    晶圆处理装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410782703.8
    本申请的实施例提供了一种晶圆处理装置，包括腔体、调节板和设置在腔体内的喷淋头，腔体的顶壁开设有窗口，调节板通过至少两个升降组件架设在顶壁的上方，喷淋头通过穿过窗口的连接杆与调节板相连接；其中，升降组件包括连接件、升降件和活动件，连接件设置在...
    2026-01-19
  • 保温结构及半导体工艺设备
    保温结构及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410783080.6
    本申请公开了一种保温结构及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种保温结构，应用于半导体工艺设备，所述半导体工艺设备包括工艺门和晶舟，所述保温结构设于所述工艺门与所述晶舟之间；所述保温结构包括：第一承载件、第二承载件、多个连接件和多个保温件；所...
    2026-01-19
  • 一种集成化芯片封装设备
    一种集成化芯片封装设备_晶尖半导体(常州)有限公司_202410784647.1
    本发明公开了一种集成化芯片封装设备，包括：底座、第一运动平台、压焊横梁、点胶横梁、贴片横梁、压焊组件、点胶组件、贴片组件以及Y轴位移机构，所述底座的一侧设置所述Y轴位移机构，所述底座的上端固定安装所述压焊横梁，所述Y轴位移机构从上至下依次安...
    2026-01-19
  • 加热承载装置及半导体工艺设备
    加热承载装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410796722.6
    本申请实施例提供了一种加热承载装置及半导体工艺设备，其中，所述加热承载装置包括：第一加热组件、散热组件和第二加热组件；所述散热组件夹于所述第一加热组件和所述第二加热组件之间，所述第一加热组件的背离所述散热组件的一侧为加热侧部，所述加热侧部用...
    2026-01-19
  • 一种全自动晶圆贴膜键合机
    一种全自动晶圆贴膜键合机_深圳市和盛半导体设备有限公司_202511049627.0
    本发明涉及半导体制造技术领域，为了解决现有HBM芯片制造中存在的制程复杂、成本高和良率低的技术问题，本发明公开了一种全自动晶圆贴膜键合机，包括机架，位于机架前侧的卡塞上料机构，卡塞上料机构包括晶圆卡塞和玻璃卡塞；机架上设有多轴活动的机械手；...
    2026-01-19
  • 晶体片的自停止减薄方法及其应用
    晶体片的自停止减薄方法及其应用_甬江实验室_202511049995.5
    本申请公开了一种晶体片的自停止减薄方法及其应用，属于晶圆加工技术领域。该方法包括：提供晶体片，以及在所述晶体片一侧的表面进行刻蚀以制备至少一个所述凹腔；在所述凹腔的底部制备金属层；使用减薄机对所述晶体片的加工面进行减薄至所述减薄机的磨轮接触...
    2026-01-19
  • 检测设备、半导体系统及半导体设备的检测方法
    检测设备、半导体系统及半导体设备的检测方法_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511106038.1
    本申请提供一种检测设备、半导体系统及半导体设备的检测方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体设备处理后的晶圆的合格率较低的问题。检测设备用于检测半导体设备的反应腔的内部状态。检测设备包括驱动结构和控制器。驱动结构与一根或者多根探针的固定端连...
    2026-01-19
  • 硅片倒角机清洗槽加工后硅片背面残留水珠清理方法
    硅片倒角机清洗槽加工后硅片背面残留水珠清理方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511224626.5
    本发明涉及一种硅片倒角机清洗槽加工后硅片背面残留水珠清理方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片在经过倒角机左右两个砥石完成倒角作业后逐枚进入清洗槽进行清洗。第二步：通过PLC自动控制气缸下降带动升降推动杆前端的毛刷组件沿...
    2026-01-19
  • 一种具有分组驱动晶圆支撑盘的单片晶圆清洗装置
    一种具有分组驱动晶圆支撑盘的单片晶圆清洗装置_江苏亚电科技股份有限公司_202511253840.3
    本申请涉及一种具有分组驱动晶圆支撑盘的单片晶圆清洗装置，属于晶圆生产设备技术领域。本申请的具有分组驱动晶圆支撑盘的单片晶圆清洗装置，第一驱动组件驱动的三个卡紧件，根据三点必然能够确定一个圆的原理，必然能形成固定晶圆卡紧结构。其他的卡紧件则由...
    2026-01-19
  • 一种提高单片式晶圆清洗能力的清洗机及方法
    一种提高单片式晶圆清洗能力的清洗机及方法_上海晶盟硅材料有限公司_202511288198.2
    本发明属于半导体制造技术领域，具体的说是一种提高单片式晶圆清洗能力的清洗机及方法，包括：工作台，所述工作台顶部固定有底座，所述底座上方固定设置有清洗桶，所述清洗桶内部设置有用于固定支撑晶圆的支撑组件；所述支撑组件包括立柱及设于其顶部的支撑块...
    2026-01-19
  • 一种半导体工件体积型缺陷的修复方法
    一种半导体工件体积型缺陷的修复方法_沈阳睿昇精密制造有限公司_202511295548.8
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种半导体工件体积型缺陷的修复方法，包括以下步骤：S1、通过铆合工具对半导体工件的体积型缺陷的外周区域进行反复均匀敲击，以将体积型缺陷进行铆合变形填充；S2、通过打磨工具对半导体工件的表面进行打磨抛光...
    2026-01-19
  • 一种外延生长的调控方法
    一种外延生长的调控方法_中电化合物半导体有限公司_202511296473.5
    本发明公开一种外延生长的调控方法，包括：提供一标准第一外延炉和多个第一衬底；将多个第一衬底依次放置在不同设定温度的第一外延炉内预设时间，获得多个第一外延片；对第一外延片进行缺陷分析，获得第一外延片中的缺陷尺寸；根据每个缺陷尺寸和设定温度，获...
    2026-01-19
  • 排气控制方法、控制器、可读存储介质及软烘烤腔室
    排气控制方法、控制器、可读存储介质及软烘烤腔室_京东方科技集团股份有限公司_202511300227.2
    本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种排气控制方法、控制器、可读存储介质及软烘烤腔室，旨在解决如何避免光刻胶层局部消失导致的不良的技术问题。为此目的，本申请的软烘烤腔室包括腔室门、排气口、热气团出气孔。根据软烘烤腔室的腔室门的开闭状态，控制...
    2026-01-19
  • 离子注入方法、设备、存储介质及程序产品
    离子注入方法、设备、存储介质及程序产品_浙江创芯集成电路有限公司_202511312758.3
    本发明提供一种离子注入方法、设备、存储介质及程序产品，方法包括：提供多个测试结构，每个测试结构包括基底，基底具有至少一个有源区，每个有源区具有预设的有源区宽度；分别对每个测试结构执行离子注入，在有源区的基底内形成离子注入层，不同测试结构之间...
    2026-01-19
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