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最新专利技术
  • 一种虚拟感知反馈器件及其制备方法
    一种虚拟感知反馈器件及其制备方法_能芯(常州)电子科技有限公司_202511790402.0
    本发明公开了一种虚拟感知反馈器件及其制备方法，属于柔性电子与虚拟现实技术领域。所述器件包括柔性基底、一体成型于基底内的散热微流道、由多个独立控制的热电单元组成的热电单元阵列、以及用于热电臂互联的蛇形电极。其制备方法通过3D打印模具、激光刻蚀...
    2026-03-21
  • 一种压电复合材料元件装配工装及装配方法
    一种压电复合材料元件装配工装及装配方法_中船西安东仪科工集团有限公司_202511780986.3
    本发明公开了一种压电复合材料元件装配工装及装配方法，属于换能器制造技术领域，包括：底座、盖板、定位紧固机构及自适应压力控制单元，连接外联计算机的专用工装，配合粘接工艺替代传统锡焊，扩大压电复合材料与金属焊片接触面积，解决锡焊点位少、强度不足...
    2026-03-21
  • 氮化铝基压电层结构及制作方法
    氮化铝基压电层结构及制作方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202411270979.4
    本发明提供一种氮化铝基压电层结构及制作方法，氮化铝基压电层结构包括衬底和压电层，压电层包括层叠的第一氮化铝基压电薄膜层和第二氮化铝基压电薄膜层；在水平方向上，压电层划分为第一区域和第二区域，在第一区域中，第二氮化铝基压电薄膜层和第一氮化铝基...
    2026-03-21
  • P(VDF-TrFE)基同源共聚物高感驱一体器件及其制备方法
    P(VDF-TrFE)基同源共聚物高感驱一体器件及其制备方法_西安理工大学_202511753075.1
    本发明公开了P(VDF‑TrFE)基同源共聚物高感驱一体器件及其制备方法，感驱一体器件包括电致伸缩层、压电传感层以及胶水层，胶水层将压电传感层与电致伸缩层进行集成；压电传感层宽度与电致伸缩层一致、长度小于电致伸缩层。当将驱动输入电压施加到电...
    2026-03-21
  • 超声换能器阵列、超声换能器阵列应用方法及相关产品
    超声换能器阵列、超声换能器阵列应用方法及相关产品_武汉中科声美科技有限公司_202511904688.0
    本申请公开了一种超声换能器阵列、超声换能器阵列应用方法和相关产品，该超声换能器阵列包括：多个阵元；所述每个阵元的发射面呈弧形，使多个阵列的发射的声波汇聚；将所述多个阵列按照预设阵型进行排列。本申请通过设置多个阵元，且每个阵元的发射面呈弧形，...
    2026-03-21
  • 钉扎结构和存储位元
    钉扎结构和存储位元_中电海康集团有限公司_202411177226.9
    本发明提供一种钉扎结构和存储位元，其中钉扎结构包括：自下而上依次堆叠的第一钉扎复合层、耦合增强复合层、耦合层和第二钉扎复合层；第一钉扎复合层包括至少一层钉扎堆叠膜，钉扎堆叠膜包括自下而上依次堆叠的铁磁层和非磁金属层，铁磁层的材料包括磁性材料...
    2026-03-21
  • 磁存储装置
    磁存储装置_铠侠股份有限公司_202510275397.3
    本发明涉及能够抑制磁阻效应元件的性能劣化的磁存储装置。磁存储装置包括磁阻效应元件。磁阻效应元件包括第1强磁性层、第2强磁性层、第3强磁性层、设置于第1强磁性层与第2强磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2强磁性层与第3强磁性层之间的第2非磁性...
    2026-03-21
  • 基于Nb2CTx材料的电解质栅控晶体管及其制备方法
    基于Nb2CTx材料的电解质栅控晶体管及其制备方法_北京科技大学_202511755854.5
    本发明公开了一种基于Nb2CTX材料的电解质栅控晶体管及其制备方法，涉及半导体器件的技术领域，本发明旨在解决现有EGT器件中沟道材料导电性差、响应速度慢、稳定性差、突触模拟性能弱的问题，本发明包括以下步骤：S1：精准制备少层Nb2CTX材料...
    2026-03-21
  • 一种阻变式存储器及其制造方法
    一种阻变式存储器及其制造方法_厦门半导体工业技术研发有限公司_202511791535.X
    本发明提供的一种阻变式存储器及其制造方法，其中，阻变式存储器包括阻变层、底电极和顶电极，底电极和顶电极分别位于阻变层的两侧；底电极包括至少两层的底电极层，其中，第一底电极层的电极材料在氧亲和力上大于相邻层的第二底电极层且其横向尺寸小于第二底...
    2026-03-21
  • 用于存储器装置的分割柱架构
    用于存储器装置的分割柱架构_美光科技公司_202511887091.X
    本申请案涉及用于存储器装置的分割柱架构。存储器装置可包含经布置有呈一图案的导电触点的衬底及穿过导电及绝缘材料的交替层的开口，此可减小所述开口之间的间距，同时维持电介质厚度以使电压持续施加于阵列。在蚀刻材料之后，可将绝缘材料沉积于沟槽中。可移...
    2026-03-21
  • 一种阻变存储器及制备方法
    一种阻变存储器及制备方法_厦门半导体工业技术研发有限公司_202511926896.0
    本申请公开了一种阻变存储器及制备方法，制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成底电极、阻变部和储氧部，其中，所述阻变部位于所述底电极上，所述储氧部位于所述阻变部上，或者所述储氧部位于所述阻变部的侧面并与所述阻变部电接触；在所述储氧部的侧...
    2026-03-21
  • 一种用于腺病毒浓度检测的忆阻器及其制备方法
    一种用于腺病毒浓度检测的忆阻器及其制备方法_西安交通大学医学院第二附属医院_202511877934.8
    本发明属于外诊断器件技术领域，具体涉及一种用于腺病毒浓度检测的忆阻器及其制备方法。忆阻器沿厚度方向，包括自下而上依次组成的底电极层、金属氧化物层、功能层和上电极层，底电极层为FTO导电玻璃层，金属氧化物层为五氧化二钽，功能层为明胶‑β环糊精...
    2026-03-21
  • 一种在封装基板内形成电容的方法、封装基板及封装芯片
    一种在封装基板内形成电容的方法、封装基板及封装芯片_北京平头哥信息技术有限公司_202411223662.5
    本发明实施例公开了一种在封装基板内形成电容的方法、封装基板及封装芯片。本发明实施例会在提供的芯板上形成至少一个开口结构，再形成覆盖各开口结构的部分侧壁的第一电极层和第二电极层，进而形成位于第一电极层与第二电极层之间的介电材料层，其中，开口结...
    2026-03-21
  • 一种低位错密度的衬底结构及其生长方法与应用
    一种低位错密度的衬底结构及其生长方法与应用_苏州纳维科技有限公司_202511867501.4
    本发明涉及一种低位错密度的衬底结构及其生长方法与应用，属于半导体材料技术领域。本发明的生长方法包括以下步骤：S1、将基础衬底放入反应室中；S2、向反应室中通入第一生长源、第二生长源以及掺杂金属源，并周期性调整掺杂金属源的流量，以在基础衬底上...
    2026-03-21
  • 基于深度学习的12英寸晶圆原生缺陷机理建模与高分辨率识别方法
    基于深度学习的12英寸晶圆原生缺陷机理建模与高分辨率识别方法_安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司_202511772236.1
    本申请涉及基于深度学习的12英寸晶圆原生缺陷机理建模与高分辨率识别方法技术，旨在解决现有缺陷检测与修复技术难以兼顾高分辨率识别、物理机理建模与工艺协同优化的问题。该方法包括：通过激光扫描共聚焦显微镜对晶圆进行高精度三维成像以获取表面形貌数据...
    2026-03-21
  • 薄膜处理方法和存储装置制造方法
    薄膜处理方法和存储装置制造方法_株式会社EGTM_202511245350.9
    本发明公开的薄膜处理方法，包括如下步骤：向置有基板的上述腔体内部供应覆盖用前驱体，以在上述基板上形成的薄膜上吸附上述覆盖用前驱体；净化所述腔体内部；向所述腔体内部供应第一反应物质，形成应激源层；净化所述腔体内部；热处理上述基板；向所述腔体内...
    2026-03-21
  • 减小器件LOD效应的方法
    减小器件LOD效应的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511787218.0
    本发明公开了一种减小器件LOD效应的方法，沉积刻蚀停止层并降低刻蚀停止层表面反射率后再执行后续工艺。本发明能改善LOD效应，使ILD0内空洞率显著下降，M0A短路失效基本消除，工艺兼容性强且良率提高。
    2026-03-21
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411196412.7
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，在基底上依次形成覆盖金属件的氧化硅层、氮氧化硅过渡层及氮化硅层，通过在氧化硅层与氮化硅层之间制备氮氧化硅过渡层，可使氧化硅层与氮化硅层之间的界面过渡更加平滑，减小氧化硅层与氮化硅层之间的应力不匹配，从而...
    2026-03-21
  • 硅片吸杂方法、硅片、电池及制备方法、组件及光伏系统
    硅片吸杂方法、硅片、电池及制备方法、组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511772338.3
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种硅片吸杂方法、硅片、电池及制备方法、组件及光伏系统，该方法包括：从拉晶炉产出的多个硅片中确定含杂硅片；含杂硅片为多个硅片中少子寿命小于多个硅片的少子寿命均值的硅片；对含杂硅片进行吸杂处理，以吸收硅片内...
    2026-03-21
  • 一种半导体器件的刻蚀工艺
    一种半导体器件的刻蚀工艺_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411261033.1
    本发明公开了一种半导体器件的刻蚀工艺，至少包含以下步骤：提供一硅衬底，硅衬底放置于反应腔内；向反应腔内通入刻蚀气体和钝化气体，对硅衬底进行刻蚀，以形成沟槽；刻蚀气体为含卤素气体，钝化气体为CxHyFz气体，其中，x，y，z分别为碳、氢、氟的...
    2026-03-21
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