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  • 本发明公开了一种光纤端面低应力滤光薄膜的制备方法、夹具及器件,属于光学薄膜技术领域。所述方法包括:使用可量化控制夹持力的专用夹具固定光纤;在0.5~0.6Pa的低工作气压下,于光纤端面磁控溅射沉积长波通滤光膜;随后在不破真空条件下,依次沉积...
  • 本申请涉及折射膜制备技术领域,主要涉及一种碳锗共溅射的折射膜及其制备方法。其中碳锗共溅射的折射膜的制备方法包括以下步骤:配置衬底进行预处理;再将衬底置于多靶磁控溅射设备中,抽真空,通入氩气,等离子活化衬底;放入石墨靶和锗靶,保持通入氩气,新...
  • 本申请涉及低表面能薄膜技术领域,主要涉及一种含氟低表面能薄膜及其制备方法。制备方法包括以下步骤:配置衬底,对衬底进行预处理;将衬底置于多靶磁控溅射设备,抽真空,先通入氩气和含氟气体,等离子体源对气氛预解离;启动复合靶材溅射,在衬底表面进行原...
  • 本申请的实施例涉及涂层制备技术领域,具体涉及一种适用于在反应堆内部件的表面制备钨基涂层的方法。本申请的实施例提供的制备方法,在温度达到预定温度且真空度达到预定真空度时,采用磁控溅射的方式在部件的表面制备钨基涂层,这样制备获得的钨基涂层晶粒为...
  • 本申请的实施例涉及涂层制备技术领域,具体涉及一种适用于在反应堆内部件的表面制备多孔Ni‑W涂层的方法。本申请的实施例提供的制备方法,先采用磁控溅射的方式在部件的表面沉积制备Ni‑W涂层,然后通过分段加热的方式对制备有Ni‑W涂层的部件进行加...
  • 本发明适用于玻璃镀膜技术领域,提供了一种玻璃生产用镀膜装置,包括装置主体、辊式传输系统、真空室、导轨、靶材架、镀膜靶材、磁控系统、电控系统、滑块和靶轴,还包括往复驱动机构、旋转调节机构和喷气机构,旋转调节机构由定心连接组件、过渡轴和旋转组件...
  • 本申请公开一种磁体可多级调节的阴极组件,包括阴极腔,所述阴极腔限定有空间坐标系,所述坐标系具有相互垂直的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向,所述阴极腔内设有多个磁体单元、移动平台、多组驱动装置,所述驱动装置对单个磁体单元的调节与所述移动平台对全部...
  • 本申请涉及抽真空设备的技术领域,尤其是涉及一种溅射离子泵。其包括泵体、至少一个吸附单元和多个第一磁组,多个第一磁组位于所述泵体中,且沿第一方向依次间隔排列,每个所述第一磁组均具有相对设置的第一磁性面和第二磁性面,每个所述吸附单元在所述泵体上...
  • 本发明公开了一种大功率离子源放电腔的高热流沉积部件,属于核聚变装置中性束注入系统热管理技术领域,包括:自上而下依次设置的热沉积部件上板、热沉积部件中板、热沉积部件下板;热沉积部件中板上下表面均开设凹槽;热沉积部件中板与热沉积部件上板焊接成整...
  • 本发明公开了一种用于薄膜沉积设备中沉积环的夹紧装置及其使用方法,其属于半导体设备应用技术领域,所述夹紧装置包括沿待夹持沉积环圆周设置的若干组夹紧组件,每组夹紧组件包括上夹板和下夹板,下夹板底部固定,上夹板的中部下方设有第一连接板,下夹板的中...
  • 本发明涉及真空蒸镀设备技术领域,具体为一种具有多层膜沉积结构的镜片真空蒸镀设备,包括真空室以及转动安装在真空室内腔顶部的旋转支架,还包括:支撑机构,所述支撑机构包括可拆卸安装在旋转支架上且呈圆锥伞状的基片伞架,所述基片伞架上周向均匀开设有若...
  • 本发明公开了一种刀片装炉方法,包括:步骤S1,根据不同的炉子涂层区域高度以及刀片的尺寸,确定装炉层数、小盘的直径以及轴数;步骤S2,将整扎或单支刀片需要涂层的面朝外,并竖向装夹到炉子单根小轴的每层小托盘上,最下层小托盘通过大托盘进行支撑。本...
  • 本发明提供了一种基座及一种半导体器件的加工设备。所述基座包括:背板,其上设有进气口;以及匀气板,其上设有至少一个连接部及多个出气孔,其中,所述匀气板经由所述至少一个连接部与所述背板固定连接,并与所述背板的边缘保持第一出气间隙,用于提升气体在...
  • 本发明提供一种棱镜形滤光片镀膜夹具、装配方法及二向色镜薄膜设计。夹具包括载片盘、卡块挡槽和棱镜基片;载片盘设45°斜坡支撑孔和定位孔,通过卡块挡槽限定棱镜位置;载片盘外圆设方向识别豁口、限位棱边及三角形排列的环形支撑孔。膜系设计采用38层N...
  • 本发明涉及刀具涂层镀膜技术领域,尤其为一种PCBN刀具的涂层镀膜装置及其使用方法,包括底座,底座包括圆盘,圆盘中间内侧安装有主动齿轮,主动齿轮四周均啮合有从动齿圈;从动齿圈上端焊接固定连接有中心组件,中心组件四周内侧均安装有组装件,组装件内...
  • 本发明涉及真空镀膜机技术领域,具体涉及真空镀膜机的自重构模块化腔室系统及快速换线方法,包括机架和基板,还包括洁净腔,开设在机架中;镀膜腔室组,设置在机架顶部,包括多个腔室,且相邻腔室之间设有插板阀,镀膜腔室组一侧设有放料口,且放料口处设有消...
  • 本申请公开一种双工艺镀膜系统。所述双工艺镀膜系统包括第一工艺腔、第二工艺腔以及用于工件转运的转运腔,所述转运腔包括彼此独立的第一对接区和第二对接区,所述第一工艺腔包括第一配接区,所述第二工艺腔包括第二配接区;所述转运腔具有接合第一工艺腔的第...
  • 本申请公开一种用于翻转待镀膜基片的真空翻转室,包括两相对布置的第一腔壁、夹持组件和驱动机构,夹持组件包括:一枢转轴、至少一支撑件、至少一夹紧件,枢转轴可受驱动地绕自身轴线转动,并可受驱动地沿其自身轴线方向在第一位置与第二位置之间移动,支撑件...
  • 本申请公开一种连续式真空镀膜设备,包括真空腔室以及依次进入所述真空腔室的多个工件架,相邻前工件架和后工件架具有相对设置的第一磁性件和第二磁性件,所述第一磁性件和所述第二磁性件的极性相同,用于产生防止前工件架和后工件架在追逐过程中相撞的斥力。...
  • 本申请提供了一种设有加热装置的半导体工艺设备,其中,边部加热机构包括若干边部支撑结构和第一边部加热本体,边部支撑结构上开设有第一卡槽,第一边部加热本体活动卡设于各第一卡槽内,并通过固定结构被固定在第一卡槽内,通过固定结构遮蔽第一卡槽以形成限...
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