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一种丙烯酸树脂正性光刻胶及其制备方法和应用
本发明属于聚合物材料及半导体化学品制造技术领域,具体涉及一种丙烯酸树脂正性光刻胶及其制备方法和应用。所述制备方法如下:将甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、丙烯酸、甲基丙烯酸羟乙酯和丙烯酸正丁酯与引发剂DTBP组成的中间体聚合原料滴加到含有有机溶剂A的...
一种感光性分隔壁树脂组合物及其制备方法、分隔壁结构物和有机电致发光显示器
本申请提供一种感光性分隔壁树脂组合物及其制备方法、分隔壁结构物和有机电致发光显示器,涉及分隔壁材料领域。感光性分隔壁树脂组合物的原料按质量份计,包括:6‑10份有机硅树脂、10‑30份碱溶性树脂、50‑70份光聚合性化合物、3‑5份引发剂、...
一种用于干法刻蚀的纳米压印光刻胶及其制备方法和应用
本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种用于干法刻蚀的纳米压印光刻胶及其制备方法和应用,包括:胶体基体80%‑99.5%; 含有不饱和双键的有机金属化合物0.5%‑20%;所述含有不饱和双键的有机金属化合物在光固化过程中,其不饱和双键可与所...
光刻结构的制备方法及装置
本申请公开了一种光刻结构的制备方法及装置,包括:在光刻基底上旋涂光刻胶的过程中,针对光刻基底上划分的多个区域中的每个区域,以每个区域对应的加热温度加热每个区域上的光刻胶,得到具有设定厚度分布的光刻胶层,多个区域中至少部分区域的加热温度与其他...
一种光刻材料涂布装置及方法
本发明公开了一种光刻材料涂布装置及方法,装置包括喷涂机构,所述喷涂机构设有喷射部,所述喷射部的底面设有条形喷口,所述喷口用于将光刻材料喷涂在下方的处理对象表面一定半径的预设区域上。本发明能够使光刻材料更好地均匀分布在处理对象上,提高了光刻材...
基片处理方法和基片处理装置
本发明提供能够使在金属氧化物抗蚀剂形成的图案为所需的图案的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括:对形成有抗蚀剂膜的基片进行用于使所述抗蚀剂膜中包含的烃减少的减少处理的步骤,其中,所述抗蚀剂膜由金属氧化物抗蚀剂构成并且在曝光后被显影而...
检查图案化掩模以及监控其晶片图案行为的装置与方法
一种检查图案化掩模的方法包括将极紫外(EUV)光束辐射到图案化掩模的表面,并将来自图案化掩模的表面的反射的极紫外光束导向图像传感器。该方法还包括基于反射的极紫外光束产生图案化掩模的表面的图像,并基于图案化掩模的表面的图像确定图案化掩模的临界...
集成电路版图的OPC处理方法与计算机设备
本发明提供了一种集成电路版图的OPC处理方法与计算机设备。其中集成电路版图的OPC处理方法包括:对目标集成电路版图进行分块化解析,得到若干局部区域;针对每个局部区域构建特征;利用预先训练好的学习模型对所有局部区域进行推理判断,其中学习模型建...
一种光刻机带轮驱动式可动镜组及其光刻机
本发明公开了一种光刻机带轮驱动式可动镜组及其光刻机。一种光刻机带轮驱动式可动镜组,包括镜片、镜座、同步带组件;同步带组件包括主动同步带轮以及从动同步带轮,主动同步带轮以及从动同步带轮之间通过皮带传动连接;主动同步带轮以及从动同步带轮均安装在...
消除芯片保护环非预期印刷图案的方法
本发明公开了一种消除芯片保护环非预期印刷图案的方法,包括:采用保护环光刻版图仿真得到在光刻形成芯片保护环时产生的非预期印刷图案的位置和尺寸,并在保护环光刻版图的相应位置形成大小适配的辅助图形;在保护环光刻版图上减去辅助图形,得到保护环修正版...
相位板的制作方法和相位板
本申请涉及一种相位板的制作方法和相位板,所述制作方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成交替分布的凹槽和凸起部;在所述衬底上设置遮挡框,所述遮挡框围设形成相位调制区;其中,所述凹槽的边沿被所述遮挡框覆盖。本申请所提供的相位板的制作方法,利用遮挡...
一种EUV微曝光装置及曝光方法
本发明公开一种EUV微曝光装置及曝光方法,该微曝光装置包括双腔室真空平台、EUV光学系统、掩膜版、微缩投影物镜组和涂有光刻胶的晶圆。在EUV光学系统中,椭球型收集镜收集EUV光源系统中PF点辐射出的EUV光,并经EUV反射镜模块将其照射到掩...
线边仓光阻管理系统
本发明涉及一种线边仓光阻管理系统。所述线边仓光阻管理系统能够获取入库线边仓的预包装光阻对应的唯一编码,并设置不同材料类型的入库光阻对应的光阻相关参数,输出光阻入库后的实时数据,便于查看、管理及数据分析,例如可以监控入库光阻的退冰状态和有效期...
一种用于阴影成像系统的激光照明与成像镜头组
本发明公开了一种用于阴影成像系统的激光照明与成像镜头组,所述激光照明与成像镜头组包括照明镜头和成像镜头,照明镜头将高斯光束整形为平顶光束,均匀照射待观测物体,成像镜头对目标区域成像得到被观测物体的阴影轮廓图像。照明镜头包括具有负光焦度的第一...
一种用于光斑位置偏移量装调的离线调节装置和调节方法
本发明公开了一种用于光斑位置偏移量装调的离线调节装置及方法,属于光学精密装调技术领域。所述装置包括可在同一离线平台上通过配置不同探测单元形成的单光束发光方向调节装置、单光束发光位置调节装置和多光束角度调节装置。方法包括:依次利用上述装置校准...
基于非结构网格到笛卡尔网格转换的光刻仿真方法及装置
提供一种基于非结构网格到笛卡尔网格转换的光刻仿真方法及装置。光刻仿真方法包括:利用非结构网格描述光刻胶的形貌变化,其中,非结构网格中的每个格点所代表的目标参数值已知;将非结构网格投影到笛卡尔网格中;基于非结构网格的边界处的格点在笛卡尔网格中...
一种高通量三维超分辨双光子激光直写系统和方法
本发明公开了一种高通量三维超分辨双光子激光直写系统和方法,该系统通过控制飞秒激光经过数字微镜阵列后反射产生的角色散和第三透镜的焦距,就能够使得飞秒激光在物镜入瞳处满瞳,从而实现高通量三维超分辨双光子激光直写,无需对飞秒激光的脉宽进行特殊的调...
一种分辨率可调的超分辨光纤数字化无掩模光刻装置及方法
本申请公开了一种分辨率可调的超分辨光纤数字化无掩模光刻装置及方法,涉及数字化无掩模光刻技术领域。其中,STED超分辨光源与光纤分束组件输出M×N份等比例光强的双波长光束;数字化图案编程器控制M×N个数字化光开关的通断与输出光束强度,编程并像...
光刻机的曝光控制方法、装置、设备及存储介质
本申请提供一种光刻机的曝光控制方法、装置、设备及存储介质,涉及半导体制造技术领域。该方法包括在曝光开始前,控制预加热装置对光刻机的光罩进行加热,使得光罩在加热后达到最大形变值;将加热后的光罩转移至光刻机内,并根据预设曝光参数采用加热后的光罩...
基板处理装置及基板处理方法
本发明提供一种基板处理装置,其以能够充分承受基板旋转的吸附力吸附保持基板,并利用处理液进行处理。在本发明中,吸盘主体的吸附区域被密封件的环状弹性部包围。在基板的下表面中央与吸盘主体的吸附区域抵接之前,环状弹性部包围基板的下表面中央并且追随基...
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