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最新专利技术
  • 一种基于氯化塑料提升有机光伏活性层拉伸性能的方法及应用
    一种基于氯化塑料提升有机光伏活性层拉伸性能的方法及应用_闽江学院_202610155712.3
    本发明公开了一种基于氯化塑料提升有机光伏活性层拉伸性能的方法及应用。具体是将氯化塑料作为功能调节剂引入给受体共混物中得到活性层溶液，将该溶液旋涂至PSS层玻璃基板表面，旋涂结束后，进行热退火处理以形成有机光伏活性层薄膜，其中氯化塑料占有机光...
    2026-05-09
  • 太阳能电池、光伏组件、发电装置、用电装置
    太阳能电池、光伏组件、发电装置、用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411595492.3
    本申请提供一种太阳能电池，包括：层叠设置的空穴传输层和钙钛矿吸光层，其中，所述空穴传输层包括第一化合物，第一化合物包括Q1基团、L1基团和A1基团，其中，Q1选自取代的二苯胺基、噻吩基、苯基、咔唑基或三苯胺基，A1选自含氧酸基团，L1用于连...
    2026-05-09
  • 一种热电发电器件制作方法
    一种热电发电器件制作方法_浙江先导热电科技股份有限公司_202511625661.8
    本发明公开了一种热电发电器件制作方法，旨在解决现有的热电发电器件耐受温度低，影响发电效率的不足。该发明包括以下步骤：S1，在热电材料表面附着保护层，并切割热电材料形成热电粒子；S2，将热电粒子排列摆放到定位模具中；S3，向定位模具中倒入耐热...
    2026-05-09
  • 一种半导体制冷器加工工艺
    一种半导体制冷器加工工艺_浙江先导热电科技股份有限公司_202511940568.6
    本发明公开了一种半导体制冷器加工工艺，旨在解决半导体制冷器加工效率低，容易出现混料现象的不足。该发明包括以下步骤：S1，将定位治具装入振动框中，定位治具包括底板和格栅板，通过振动使半导体粒子落入到格栅板上的定位孔中；S2，在两印刷治具上装载...
    2026-05-09
  • 一种复合P型碲化铋基材料及其制备方法
    一种复合P型碲化铋基材料及其制备方法_浙江先导热电科技股份有限公司_202511974601.7
    本发明属于热电材料技术领域，为了提高热电材料的热电性能，本发明提供一种复合P型碲化铋基材料及其制备方法，复合P型碲化铋基材料包括P型碲化铋基体的化学式为Bi0.5Sb1.5Te3.2，及用于复合的化合物，所述复合化合物的化学式选自Cu2Ge...
    2026-05-09
  • 一种低温P型热电材料及其制备方法与应用
    一种低温P型热电材料及其制备方法与应用_浙江先导热电科技股份有限公司_202511949853.4
    本发明涉及热电半导体材料领域，为了解决P型热电材料在低温环境下存在显著问题，本发明提供了一种低温P型热电材料及其制备方法与应用，所述的P型热电材料的化学式为BixSb2‑xTe3My，其中，x=0.5‑0.7，y=0.001‑0.003，M...
    2026-05-09
  • 一种高灵敏度PMUT及其制备方法
    一种高灵敏度PMUT及其制备方法_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202610165039.1
    本发明属于传感器领域，具体涉及一种高灵敏度PMUT及其制备方法，制备方法包括制备压电微机械超声换能器的振膜结构，其包括从下至上的硅基底、埋氧层、被动层、下电极层、压电层及上电极层；在压电微机械超声换能器的振膜结构的非锚固区域和/或中心振动区...
    2026-05-09
  • 一种基于压电薄膜的驱动感应装置的制备方法
    一种基于压电薄膜的驱动感应装置的制备方法_安徽华鑫微纳集成电路有限公司_202610153639.6
    本发明公开了一种基于压电薄膜的驱动感应装置的制备方法，涉及半导体技术领域，本发明通过对第一电极层、感应/驱动层、第二电极层和振动功能层进行同时刻蚀，区别于现有技术中对多层薄膜进行分别刻蚀，在整个刻蚀过程中无需考虑套刻误差。另外，由于同时刻蚀...
    2026-05-09
  • 双铝层掺杂的铪锆氧化物铁电薄膜材料及制备方法和应用
    双铝层掺杂的铪锆氧化物铁电薄膜材料及制备方法和应用_南方电网科学研究院有限责任公司_202610199480.1
    本申请属于铁电材料技术领域，尤其涉及双铝层掺杂的铪锆氧化物铁电薄膜材料及制备方法和应用；本申请提供的双铝层掺杂的铪锆氧化物铁电薄膜材料的制备方法，通过原子层沉积工艺制备HZO薄膜和双铝层氧化物薄膜，双铝层氧化物薄膜掺杂在HZO薄膜材料中，在...
    2026-05-09
  • 压电器件以及超声波器件
    压电器件以及超声波器件_精工爱普生株式会社_202511598282.4
    本发明提供压电器件以及超声波器件，振动板的变形量大。压电器件具备：基板，其具有振动区域和围绕所述振动区域的非振动区域；第一电极，其跨越所述振动区域和所述非振动区域而设置；第二电极，其配置于所述振动区域的内部，与所述第一电极分离配置；压电体，...
    2026-05-09
  • 振动装置
    振动装置_荣成歌尔微电子有限公司_202512031899.4
    本发明属于力反馈技术领域，具体涉及一种振动装置。本发明中的压电陶瓷设于主体部的一侧，主体部朝向压电陶瓷的一侧设有第一焊盘，压电陶瓷朝向主体部的一侧设有第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘电连接，主体部和压电陶瓷之间连接有第一连接胶体，第一连接胶体分...
    2026-05-09
  • 一种具有增强电极的压电复合材料及制备方法
    一种具有增强电极的压电复合材料及制备方法_中国船舶集团有限公司第七一五研究所_202610141630.3
    本发明涉及一种具有增强电极的压电复合材料及制备方法，包括：压电陶瓷阵列、分别位于所述压电陶瓷阵列上、下表面的上层增强电极和下层增强电极以及填充于上层增强电极、压电陶瓷阵列、下层增强电极之间的缝隙中的聚合物。本发明从根本上提升了电极的机械强度...
    2026-05-09
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411580183.9
    本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括提供第一基底；在所述第一基底上进行一次或多次金属堆叠操作，所述金属堆叠操作包括：提供第二基底；在所述第二基底上形成金属层；对所述第二基底和所述金属层执行分离操作，并将所述金属层转移至所述第一基底上。采...
    2026-05-09
  • 磁阻式随机存取存储器及其制作方法
    磁阻式随机存取存储器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411632039.5
    本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该制作磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM)元件的方法主要先提供一基底包含一MRAM区域以及一逻辑区域，然后形成第一...
    2026-05-09
  • 自旋电子器件、制备方法及其应用
    自旋电子器件、制备方法及其应用_湖北大学_202512055481.7
    本发明公开了一种自旋电子器件、制备方法及其应用，其中制备方法包括以下步骤：步骤1、在真空条件下在衬底表面沉积Pt薄膜层，再对Pt薄膜层进行原位氩等离子体处理；步骤2、在步骤1处理后的Pt薄膜表面依次沉积Py铁磁层和SiN2层。本发明工艺简单...
    2026-05-09
  • 磁传感器及其制造方法
    磁传感器及其制造方法_TDK株式会社_202511556484.2
    本发明涉及一种磁传感器及其制造方法。磁传感器(1)具有至少一个磁场检测元件(2)和至少一个第一软磁性层(3)。至少一个磁场检测元件(2)具有第一磁化固定层(63)、磁化方向相对于外部磁场变化的磁化自由层(61)、以及第一非磁性层(62)。第...
    2026-05-09
  • 一种机械式忆阻器及其制备方法
    一种机械式忆阻器及其制备方法_深圳清华大学研究院_202610133784.8
    本发明公开了一种机械式忆阻器及其制备方法，所述机械式忆阻器包括：由上至下依次层叠的金膜层、单晶石墨层以及衬底层；两个相同的所述单晶石墨层对称设置在所述衬底层的上端，两个所述单晶石墨层的中间区域形成下沟道；所述金膜层分别跨设两侧的单晶石墨层上...
    2026-05-09
  • 亚稳态二维材料器件及其制备方法
    亚稳态二维材料器件及其制备方法_清华大学_202511889188.4
    本申请涉及器件技术领域，尤其涉及亚稳态二维材料器件及其制备方法。所述方法包括以下步骤：对聚对苯二甲酸乙二醇酯膜进行图案化激光切割处理，得到掩膜板；在所述掩膜板的一侧表面设置基底，所述基底朝向所述掩膜板的一侧的部分表面具有亚稳态二维材料层，所...
    2026-05-09
  • 一种高稳定大窗口的全光相变类脑计算材料与器件
    一种高稳定大窗口的全光相变类脑计算材料与器件_西安交通大学_202610104539.4
    本发明公开了一种高稳定大窗口的全光相变类脑计算材料与器件，所述器件结构自下而上依次为衬底、光波导层、介质层、相变层和顶部防氧化层；所述器件相变层为锗富集的锗锑碲相变材料，化学式为GexSbyTez，其中25≤x≤50, 15≤y≤25, 3...
    2026-05-09
  • 选通管、制造选通管的方法、芯片、电子组件和电子设备
    选通管、制造选通管的方法、芯片、电子组件和电子设备_华为技术有限公司_202610181124.7
    本申请的实施例提供了一种选通管、用于制造选通管的方法、芯片、电子组件和电子设备。该选通管包括第一电极、第二电极、多个介质层、以及第一隔离层。多个介质层位于第一电极和第二电极之间，并且包括第一介质层和第二介质层。第二介质层包围第一介质层。第一...
    2026-05-09
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