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最新专利技术
  • 一种二元接触曲率纳米盾隔膜及其制备方法和应用
    一种二元接触曲率纳米盾隔膜及其制备方法和应用_福建师范大学_202510441163.1
    本发明公开一种二元接触曲率纳米盾隔膜及其制备方法和应用，属于碱金属电池技术领域，本发明将聚偏氟乙烯‑六氟丙烯和三氟甲磺酸铝溶解于N,N‑二甲基甲酰胺中，得到前驱体溶液；将所述前驱体溶液通过肩并肩双针头进行静电纺丝，得到二元接触曲率纳米盾隔膜...
    2025-08-12
  • 一种光伏储能充电设备
    一种光伏储能充电设备_恒隆通信技术有限公司_202510438153.2
    本发明属于光伏储能技术领域，具体公开了一种光伏储能充电设备，壳体的侧壁上设置有散热槽，壳体的内部靠近下方的位置处安装有固定轨和导杆，固定轨和导杆上滑动设有下框，下框的上方活动卡接有上框，电池模组安装在上框和下框之间，壳体的内部靠近上方的位置...
    2025-08-12
  • 一种直冷一体式储能柜
    一种直冷一体式储能柜_苏州恒格新能源科技有限公司_202510440398.9
    本申请涉及储能柜领域，尤其是涉及一种直冷一体式储能柜，包括柜体，所述柜体内设有直冷舱、电池舱和电气集成舱，所述柜体中安装有电池系统、冷却系统和电气控制系统，所述冷却系统安装在直冷舱中，所述电池系统包括电芯和线路组件，所述电芯和线路组件可拆卸...
    2025-08-12
  • 固态软包电池制备方法
    固态软包电池制备方法_威海金宏科技有限公司_202510439867.5
    本发明涉及电池制备技术领域，具体是指一种固态软包电池制备方法，包括以下步骤：第一步，制备电池正极片：将正极浆料涂覆在泡沫铝箔集流体上，制得正极片；第二步，制备电池负极片：将负极浆料涂覆在泡沫铜箔集流体上，制得负极片；第三步，制备固态电池：将...
    2025-08-12
  • 原位固化高压正极用有机固态电解质和电池及其制备方法
    原位固化高压正极用有机固态电解质和电池及其制备方法_青岛空天动力结构安全研究所_202510441380.0
    本发明涉及一种原位固化高压正极用有机固态电解质和电池以及制备方法，该有机固态电解质由醚类单体、酯类单体、锂盐以及溶剂通过双引发剂协同热引发原位聚合形成。本发明的优点是：该电解质是将酯类聚合物单体和醚类聚合物单体共混后，通过热引发的方式使两种...
    2025-08-12
  • 一种阻塞型针肋燃料电池流场板及燃料电池
    一种阻塞型针肋燃料电池流场板及燃料电池_西安交通大学_202510441106.3
    本发明属于燃料电池结构领域，具体涉及一种阻塞型针肋燃料电池流场板及燃料电池，阻塞型针肋燃料电池流场板包括双极板和流道，双极板的一端开设气体入口，另一端开设气体出口；流道内设有多排阻塞结构，每排阻塞结构中设置多个支撑柱，支撑柱之间通过堵塞壁相...
    2025-08-12
  • 一种高性能锂锰电池
    一种高性能锂锰电池_宜昌力佳科技有限公司_202510440400.2
    本发明提供了一种高性能锂锰电池，属于锂电池技术领域。针对锂锰电池长期存储时因金属锂/电解液界面副反应导致的SEI膜增厚、内阻增大并影响存储寿命的问题，本发明提出在隔膜负极侧构建石墨涂覆层的解决方案。注液封口时，金属锂可自发嵌入石墨层形成Li...
    2025-08-12
  • 一种用于提升空冷电堆寿命和耐高温的工艺
    一种用于提升空冷电堆寿命和耐高温的工艺_苏州智合铭新能源科技有限公司_202510436147.3
    本发明公开了一种用于提升空冷电堆寿命和耐高温的工艺，包括以下步骤：S1、配置燃料电池浆料：原料A、1‑2％，纯水、10‑20％，树脂、1‑3％，醇类溶剂、60％‑80％；S2、配置导电透气保水层浆料：原料B、0.7‑1.2％，纯水、10‑1...
    2025-08-12
  • 一种铅蓄电池负极铅膏及其制备方法、铅蓄电池
    一种铅蓄电池负极铅膏及其制备方法、铅蓄电池_华宇新能源科技有限公司_202510441075.1
    本发明公开了一种铅蓄电池负极铅膏及其制备方法、铅蓄电池，属于铅蓄电池技术领域。包括按重量份计的以下组分：70‑80份铅粉；3‑5份聚苯胺磺酸盐/三元复合碳材料；0.3‑0.5份腐殖酸；0.1‑0.2份木素；0.1‑0.2份短纤维；0.3‑0...
    2025-08-12
  • 高性能处理器芯片封装结构及封装方法
    高性能处理器芯片封装结构及封装方法_安吉芯锐科技有限公司_202510435738.9
    本发明公开了高性能处理器芯片封装结构及封装方法，属于芯片封装领域。高性能处理器芯片封装结构，包括高性能处理器芯片层，所述高性能处理器芯片层与中介层电连接，中介层与封装基板电连接，中介层的上方设置有散热盖，高性能处理器芯片层的顶部与散热盖之间...
    2025-08-12
  • 一种光电共封的三维集成器件结构及其制造方法
    一种光电共封的三维集成器件结构及其制造方法_复旦大学_202510442855.8
    本发明公开一种光电共封的三维集成器件结构及其制造方法。该方法包括以下步骤：制备形成有彼此隔离的多种硅波导体结构的硅光芯片；将逻辑芯片，存储芯片切割成芯粒；采用异质集成的方式将逻辑芯粒和存储芯粒集成在硅光芯片上形成一个芯片组；制备光纤接口，硅...
    2025-08-12
  • 一种晶圆预对准方法和系统
    一种晶圆预对准方法和系统_广东华矽半导体设备有限公司_202510440011.X
    本发明涉及一种晶圆预对准方法和系统，其中，晶圆预对准方法，包括以下步骤：步骤S1：对预对准平台上晶圆的边缘进行采样，以获取所述晶圆的边缘上各处的坐标；步骤S2：根据所述晶圆的边缘上各处的坐标，获取所述晶圆的边缘上各处的曲率K；步骤S3：根据...
    2025-08-12
  • 输送机构、半导体故障检测设备、检测方法
    输送机构、半导体故障检测设备、检测方法_广州工程技术职业学院_202510442002.4
    本发明公开了一种输送机构、半导体故障检测设备、检测方法，属于半导体芯片封测的技术领域，其中，包括第一驱动件、转盘、多个承载座，转盘安装于第一驱动件的输出端，多个承载座分布于转盘的周向上；各承载座包括座体、第二驱动件、至少一个移动输送件，座体...
    2025-08-12
  • 一种覆铜陶瓷基板的显影收料设备
    一种覆铜陶瓷基板的显影收料设备_江苏富乐华半导体科技股份有限公司_202510438529.X
    本发明公开了一种覆铜陶瓷基板的显影收料设备，涉及收料技术领域，该覆铜陶瓷基板的显影收料设备包括安装框，所述安装框上安装有可折叠输送机，所述收料口内侧安装有扫描仪，所述安装框内安装有吸料模组滑轨，所述吸料模组滑轨上可滑动安装有吸料伸缩杆、调节...
    2025-08-12
  • 一种太阳能电池生产用硅片清洗装置及方法
    一种太阳能电池生产用硅片清洗装置及方法_江苏中清先进电池制造有限公司_202510440357.X
    本发明提供一种太阳能电池生产用硅片清洗装置及方法，涉及太阳能电池生产技术领域，包括：转动设置的支撑架，支撑架顶部设置有能够取下且跟随支撑架转动的定位座；定位座包括设置在支撑架顶部的安装架，安装架顶部的两侧对称设置有多对定位板，多对定位板相互...
    2025-08-12
  • 一种芯片封装焊线装置
    一种芯片封装焊线装置_池州睿成微电子有限公司_202510438742.0
    本申请涉及芯片制造技术领域，且公开了一种芯片封装焊线装置，主要包括辅助机构，所述辅助机构活动设置在待加工件上，且辅助机构由两个长辅助组件和两个短辅助组件拼接而成，且两个短辅助组件活动设置两个长辅助组件之间。本发明当使用时，辅助机构设置在待加...
    2025-08-12
  • 二维层状材料衬底上人工量子结构的原子操纵构筑方法
    二维层状材料衬底上人工量子结构的原子操纵构筑方法_西安交通大学_202510441811.3
    本发明公开了一种二维层状材料衬底上人工量子结构的原子操纵构筑方法，在超高真空条件下，通过分子束外延方法在二维层状材料表面蒸镀沉积贵金属原子和非金属原子，通过扫描隧道显微镜针尖施加电压脉冲，实现单分散贵金属原子精确提起和放置，通过扫描隧道显微...
    2025-08-12
  • 一种用于消除像弯曲的离子源引出电极系统
    一种用于消除像弯曲的离子源引出电极系统_中山大学_202510437352.1
    本发明公开了一种用于消除像弯曲的离子源引出电极系统，包括等离子体电极、被所述等离子体电极包围的引出电极、以及被所述引出电极包围的束流控制电极，各电极相互分离布置；该等离子体电极的离子引出部位设有带第一弧形开口的第一条状狭缝；该引出电极设有带...
    2025-08-12
  • 一种圆形单电子注G波段扩展互作用速调管的电子枪设计方法
    一种圆形单电子注G波段扩展互作用速调管的电子枪设计方法_电子科技大学_202510440446.4
    本发明属于真空电子器件领域，具体涉及一种圆形单电子注G波段扩展互作用速调管的电子枪设计方法。本发明在电子枪聚焦极表面，引入n(2≤n≤10)周期结构调控静电场分布，以提高电子枪阴极发射总电流，增大电子注功率；该方法采用圆形单电子注，保证磁聚...
    2025-08-12
  • 一种继电器控制电路及控制方法
    一种继电器控制电路及控制方法_北京汇能精电科技股份有限公司_202510440203.0
    本申请提供了一种继电器控制电路及控制方法，所述电路包括驱动开关电路和尖峰吸收及续流电路：驱动开关电路分别与尖峰吸收及续流电路和目标继电器相连；尖峰吸收及续流电路与目标继电器相连；驱动开关电路用于响应于接收到逻辑电平信号，导通或断开驱动开关电...
    2025-08-12
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