Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种新植蕉苗防寒增效的栽培方法
    一种新植蕉苗防寒增效的栽培方法_广西壮族自治区农业科学院_202510859626.6
    本发明涉及植物种植技术领域，具体涉及一种新植蕉苗防寒增效的栽培方法，所述方法包括：在9月1日‑9月30日，将8叶左右的抗黄叶病香蕉营养杯苗移植于种植沟并覆银黑色地膜；在10月15日前，对新长3‑5片叶且健壮的蕉苗施用200‑300mL多效唑...
    2026-03-07
  • 一种提升盆架树生物碱的胁迫诱导种植方法
    一种提升盆架树生物碱的胁迫诱导种植方法_昆明医科大学_202510861601.X
    本发明公开了一种提升盆架树生物碱的胁迫诱导种植方法，涉及药材原植物种植技术领域，该方法包括以下具体步骤：植株选择与培育：选择生长健壮、无病虫害的盆架树植株进行培育，在疏松肥沃、排水良好的微酸性红壤中，施加腐熟有机肥和过磷酸钙后翻耕，培育时保...
    2026-03-07
  • 一种光风协同的植物冠层环境优化方法及补光灯
    一种光风协同的植物冠层环境优化方法及补光灯_深圳市朗科智能电气股份有限公司_202510860857.9
    本发明公开了一种光风协同的植物冠层环境优化方法及补光灯，根据采集到的当前环境参数，与环境基准值进行比对，若当前环境参数与环境基准值在允许的差异范围内，执行常规策略，维持基础光照强度和基础送风速度；若当前环境参数与环境基准值存在允许之外的差异...
    2026-03-07
  • 一种基于废弃资源回收的纸箱生产用原料处理装置及工艺
    一种基于废弃资源回收的纸箱生产用原料处理装置及工艺_陕西鸿德恩纸业有限公司_202510861159.0
    本发明公开了一种基于废弃资源回收的纸箱生产用原料处理装置及工艺，属于秸秆加工技术领域。一种基于废弃资源回收的纸箱生产用原料处理装置，包括支撑台，支撑台的对应内侧面皆开设有滑槽，两个滑槽之间共同滑动连接有与其相匹配的升降板，升降板的一侧固定安...
    2026-03-07
  • 一种便于茶园土壤深耕及碎土的多功能机具
    一种便于茶园土壤深耕及碎土的多功能机具_罗甸县药茶产业发展中心_202510855311.4
    本发明涉及农业机具技术领域，具体涉及一种便于茶园土壤深耕及碎土的多功能机具，包括柴油发动机组件以及设置在所述柴油发动机组件下方的驱动轮，所述柴油发动机组件用于驱动所述驱动轮转动，所述柴油发动机组件一侧转动安装有液压升降机构，所述液压升降机构...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510872228.8
    本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区和第一区域；第一表面设置有凹槽，凹槽从第一表面延伸至阱区；凹槽包括连通的第一子凹槽和第二子...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510871672.8
    本发明实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括第一表面、第二表面、阱区和第一区域，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧，并沿着第一区域表面延伸至第一表面，包括第四表面和第五表...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510871585.2
    本发明实施例公开半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括第一表面、第二表面、阱区和第一区域，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧，并沿着第一区域表面延伸至第一表面，包括第四表面和第五表面；...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510871503.4
    本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：半导体本体，半导体本体还包括阱区和第一区域；阱区的离子浓度小于第一区域的离子浓度；第一表面还设置有栅极沟槽，栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中；半导体本...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510870580.8
    本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：半导体本体；半导体本体还包括阱区和第一区域；二维导电层，包括第一导电部和第二导电部；第一导电部位于第一表面并覆盖阱区远离第二表面的一侧并沿第一区域的表面延...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510870235.4
    本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：半导体本体，包括阱区和第一区域；阱区为重掺杂；第一表面还设置有栅极沟槽；半导体本体还包括第一绝缘层，第一绝缘层位于栅极沟槽的侧壁；二维导电层，位于栅极沟槽...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510869981.1
    本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：半导体本体；半导体本体还包括阱区和第一区域；二维导电层，包括第一导电部和第二导电部；第一导电部位于第一表面并覆盖阱区远离第二表面的一侧；第二导电部和第一导...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510871499.1
    本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该制造方法包括：提供半导体本体；半导体本体设置为第一导电类型，且包括相对设置的第一表面和第二表面；在半导体本体形成阱区和第一区域，第一区域设置为第一导电类型且位于第一表面，...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510871283.5
    本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该制造方法包括：提供半导体本体和二维导电层；半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面设置有凹槽；二维导电层设置于凹槽内；半导体本体还包括阱区和第一区域，第一区域...
    2026-03-07
  • 一种功率模块封装结构及功率模块
    一种功率模块封装结构及功率模块_通富微电子股份有限公司_202510869372.6
    本公开实施例提供一种功率模块封装结构及功率模块，该结构包括载板、多个金属底板、多个基板、多个芯片、多个外接端子和塑封体，载板的边缘区域设置有多个贯穿其厚度的通孔；金属底板设置于载板的上表面；基板设置于与其对应的金属底板；芯片设置于与其对应的...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510872037.1
    本发明实施例公开半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：半导体本体，包括第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区、第一区域和第一绝缘层；第一栅极，位于第一绝缘层远离半导体本体的一侧；第二绝缘垫层，位于阱区和第一...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510871675.1
    本发明实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，半导体本体还包括阱区和第一区域；第一表面还设置有栅极沟槽，栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中；二维材料层，二维材料层设置为第一导电类型且位...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510871029.5
    本发明实施例公开半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，包括第一表面、第二表面、阱区和第一区域；第一表面设置有包括连通的第一栅极沟槽和第二栅极沟槽的栅极沟槽，第二栅极沟槽位于第一栅极沟槽远离第一表面的...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510870582.7
    本发明公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：半导体本体；半导体本体还包括阱区和第一区域；第一表面设置有第一栅极沟槽和第二栅极沟槽，第二栅极沟槽位于第一栅极沟槽远离第一表面的一侧；半导体本体还包括第一...
    2026-03-07
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_武汉山拓微电子有限公司_202510869988.3
    本发明实施例公开一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括半导体本体，半导体本体还包括阱区和第一区域；第一表面还设置有沟槽，沟槽包括连通的耐压层填充沟槽和栅极沟槽，栅极沟槽从第一表面延伸至半导体本体中，耐压层填...
    2026-03-07
首页 上一页 5 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证