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最新专利技术
  • 一种睫毛膏用再生纤维素纤维的制备方法
    一种睫毛膏用再生纤维素纤维的制备方法_杭州优标科技有限公司_202511198643.6
    本发明涉及化妆品材料技术领域， 具体涉及一种睫毛膏用再生纤维素纤维的制备方法， 包括以下步骤：(1)低温碱化：将木浆纤维素经NaOH溶液3‑5℃低温预处理， 获得碱化纤维素；(2)阳离子化改性：将碱化纤维素与改性环氧丙基三甲基氯化铵(GTA...
    2026-01-14
  • 一种异型纤维和高透性面料
    一种异型纤维和高透性面料_福建赛隆科技有限公司_202510948092.4
    本发明提供一种异型纤维和高透性面料， 涉及聚酯纺织技术领域。异型纤维包含多根子纤维， 子纤维的横截面具有多个子结构， 多个子结构具有大致以横截面中心点为对称点的对称结构， 子结构大致为正方形、平行四边形或十字形。本发明的异型纤维具有较高的机...
    2026-01-14
  • 一种挤出丝、纱线和面料及其制备方法
    一种挤出丝、纱线和面料及其制备方法_安踏(中国)有限公司_202510852972.1
    本发明涉及一种挤出丝、纱线和面料及其制备方法， 该申请涉及服装领域。现有遮热面料是对面料进行后整理方式获得， 尤其是通过涂层整理的方式将遮热功能的材料涂覆于面料表层， 但是涂层整理后获得的面料厚度大， 手感偏硬， 不适合穿着， 且其遮热功能...
    2026-01-14
  • 一种长效抗菌抗病毒多叶绒中空纤维的制备方法
    一种长效抗菌抗病毒多叶绒中空纤维的制备方法_浙江佳宝新纤维集团有限公司_202511043348.3
    本发明公开一种长效抗菌抗病毒多叶绒中空纤维的制备方法， 属于纤维制备技术领域。本发明包括以下步骤：S1、主原料和辅原料的处理；S2、将处理后的主、辅原料混合， 进行熔融， 随后进行纺丝， 经喷丝板得到初生纤维；喷丝板上的出料孔为a结构或b结...
    2026-01-14
  • 一种干法纺高性能芳纶的方法
    一种干法纺高性能芳纶的方法_东华大学_202511295114.8
    本发明涉及一种干法纺高性能芳纶的方法， 包括如下步骤：(1)在保护气体条件下， 将二甲酰氯和二胺溶解在混合溶剂中， 得到反应体系；(2)步骤(1)反应体系进行反应后向反应体系中加入氢氧化钙或氨气， 得到芳纶纺丝液；(3)将步骤(2)的芳纶纺...
    2026-01-14
  • 用于将喷丝头组件安装在纺丝箱体的喷丝头支承件上的方法
    用于将喷丝头组件安装在纺丝箱体的喷丝头支承件上的方法_欧瑞康纺织有限及两合公司_202510425673.X
    本发明涉及一种用于将喷丝头组件(2)安装在纺丝箱体的喷丝头支承件(1)上的方法， 其中， 将喷丝头组件(2)通过旋转转动运动安装在喷丝头支承件(1)的螺纹(11)上(S1)， 转动运动使喷丝头支承件(1)的熔体通道(10)的熔体出口嘴(12...
    2026-01-14
  • 一种基于浒苔原料的环保型纤维材料制备装置
    一种基于浒苔原料的环保型纤维材料制备装置_山东汇高智慧海洋生物科技集团有限公司_202511285969.2
    本发明涉及纤维制备技术领域， 具体为一种基于浒苔原料的环保型纤维材料制备装置， 包括第一水冷槽、第二水冷槽以及牵引收卷部， 第一水冷槽内固定安装有料箱， 料箱的一侧设置有喷丝板， 喷丝板与料箱之间连接有水管， 料箱顶部固定安装有调速电机， ...
    2026-01-14
  • 单晶硅材料的退火方法
    单晶硅材料的退火方法_宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司_202510882902.0
    本发明提供一种单晶硅材料的退火方法， 属于半导体材料热处理技术领域， 包括以下步骤：S1、从室温以第一预设速率升温至第一温度， 对单晶硅材料进行第一步退火处理， 以使间隙氧充分转换为热施主；S2、第一步退火处理完成后， 以第二预设速率降温至...
    2026-01-14
  • 金属离子掺杂的铌酸锂单晶薄膜、其掺杂方法及其制备方法
    金属离子掺杂的铌酸锂单晶薄膜、其掺杂方法及其制备方法_索罗曼(常州)合金新材料有限公司_202510950527.9
    本发明涉及半导体元件制备技术领域， 具体而言， 涉及金属离子掺杂的铌酸锂单晶薄膜、其掺杂方法及其制备方法。该掺杂方法包括：向晶圆1注入掺杂金属离子产生注入损伤形成晶圆1注入体， 晶圆1注入体依次包括薄膜层、损伤层和余质层；其中， 晶圆1为未...
    2026-01-14
  • 一种单晶叶片内腔CVD渗钴铝涂层的制备方法
    一种单晶叶片内腔CVD渗钴铝涂层的制备方法_中船重工龙江广瀚燃气轮机有限公司_202510978283.5
    本发明提供一种单晶叶片内腔CVD渗钴铝涂层的制备方法， 包括：S1， 获取经过预处理的单晶叶片；S2， 将单晶叶片置于化学气相沉积装置中， 通过两步法进行钴铝涂层沉积， 首先进行渗钴处理， 随后进行渗铝处理， 得到内腔带有钴铝涂层的单晶叶片...
    2026-01-14
  • 一种高稳定性的硫代极性金属卤化物钙钛矿晶体及其制备方法和用途
    一种高稳定性的硫代极性金属卤化物钙钛矿晶体及其制备方法和用途_江西师范大学_202510922609.2
    本发明公开了一种高稳定性的硫代极性金属卤化物钙钛矿晶体及其制备方法和用途， 属于功能晶体材料领域中的人工晶体材料技术领域。该晶体化学式为(4‑SP)4Pb3Br10·2H2O， 属于正交晶系， 空间群为Aea2， 晶胞参数为：α＝90°， ...
    2026-01-14
  • 流量可调式碳化硅生长装置、方法及碳化硅晶体
    流量可调式碳化硅生长装置、方法及碳化硅晶体_通威微电子有限公司_202511068977.1
    本发明的实施例提供了一种流量可调式碳化硅生长装置、方法及碳化硅晶体， 涉及碳化硅晶体生长技术领域， 以改善现有技术中由于气相流量无法精确控制从而影响晶体质量的技术问题。其包括坩埚以及设置在坩埚内的气相流量调节组件；坩埚包括坩埚本体以及坩埚盖...
    2026-01-14
  • 一种刻蚀用多晶硅的制备方法
    一种刻蚀用多晶硅的制备方法_扬州晶格半导体有限公司_202511193863.X
    本发明公开了刻蚀用多晶硅领域内的一种刻蚀用多晶硅的制备方法。该方法包括以下步骤：S1：先喷涂低浓度氮化硅浆料， 再刷涂高浓度氮化硅浆料， 从而制备坩埚的复合氮化硅涂层；S2：将多晶硅硅料放入坩埚中， 将坩埚置于铸造炉中；S3：关闭铸造炉， ...
    2026-01-14
  • 一种区熔炉单晶棒保温装置
    一种区熔炉单晶棒保温装置_连科半导体有限公司_202510832414.9
    本发明涉及单晶领域， 具体是一种区熔炉单晶棒保温装置， 包括设置在炉体内的高频主加热线圈， 高频主加热线圈下方设有保温单元， 所述保温单元包括保温筒， 保温筒上设置多层加热组件；多层加热组件沿保温筒轴线上下均匀设置， 且每层加热组件包括多个...
    2026-01-14
  • 一种控制生长多晶金刚石膜翘曲率的方法及系统
    一种控制生长多晶金刚石膜翘曲率的方法及系统_深圳市库比克科技有限公司_202511271105.5
    本发明涉及金刚石薄膜制备技术领域， 一种控制生长多晶金刚石膜翘曲率的方法及系统， 包括：对种晶硅衬底进行基底表面沉积操作得到金刚石膜；在基底表面沉积操作的过程中， 当金刚石膜厚度小于期望厚度值时， 根据沉降次数变量及预设的分段沉积值， 获取...
    2026-01-14
  • 一种金刚石薄膜及其制备方法和应用
    一种金刚石薄膜及其制备方法和应用_北京科技大学_202511286009.8
    一种金刚石薄膜及其制备方法和应用， 所述制备方法包括：采用与金刚石薄膜材料的晶格常数匹配的衬底材料作为衬底， 并对衬底进行表面处理；通入包括80%‑95%氢气、3%‑8%甲烷及2%‑12%辅助气体的混合反应气体， 其中辅助气体包括氩气、氯气...
    2026-01-14
  • 一种调控Si衬底界面态进而制备高质量GaN薄膜的方法
    一种调控Si衬底界面态进而制备高质量GaN薄膜的方法_西南交通大学_202510995595.7
    本发明提供一种调控Si衬底界面态进而制备高质量GaN薄膜的方法， 涉及GaN薄膜制备领域， 包括以下步骤：S1、将Si衬底置于有机化学气相沉积设备的反应室并抽真空处理， 通过处理气体对Si衬底表面进行预处理；S2：在预处理后的Si衬底上， ...
    2026-01-14
  • 分层衬底、分层衬底制造方法和用分层衬底生长外延层的方法
    分层衬底、分层衬底制造方法和用分层衬底生长外延层的方法_硅晶体有限公司_202510275263.1
    本公开涉及分层衬底、分层衬底制造方法和用分层衬底生长外延层的方法。用于在反应器中沿生长方向(Y)生长外延层的分层衬底包括：单晶生长层(110)， 其具有用于生长外延层的生长表面(112)和相对的用于将单晶生长层(110)结合到散热衬底(14...
    2026-01-14
  • 晶片托环、晶片承载装置及MOCVD外延设备
    晶片托环、晶片承载装置及MOCVD外延设备_一塔半导体(安徽)有限公司_202510926116.6
    本发明公开了一种晶片托环、晶片承载装置、MOCVD外延设备， 所述晶片托环包括周缘、延伸部、环状的连接部， 所述周缘沿着所述连接部的径向外端向上延伸， 所述延伸部沿着所述连接部的径向内端向下延伸， 所述延伸部径向外侧与所述连接部底部形成安装...
    2026-01-14
  • 获得高质量立方碳化硅的方法和系统
    获得高质量立方碳化硅的方法和系统_LPE公司_202510414945.6
    公开了一种方法(200)。该方法(200)包括：提供(205)碳质衬底(S)；使用前体气体混合物在碳质衬底上执行(210)化学气相沉积过程， 前体气体混合物包括：包含三氯硅烷的硅前体气体， 以及选自碳‑碳双键烃和碳‑碳三键烃的碳前体气体；通...
    2026-01-14
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