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  • 本发明涉及铜箔制备技术领域,特别涉及一种复合镀银铜箔及其制备方法。复合镀银铜箔的制备方法,包括如下步骤:步骤一:铜箔表面进行酸洗预处理;步骤二:酸洗后的铜箔进行粗化和固化处理;步骤三:光催化沉积法沉积银纳米颗粒;步骤四:合金化处理;步骤五:...
  • 本申请实施例提供一种薄膜及其制备方法、电子器件及电子设备,涉及通信技术领域,用于降低薄膜的制备温度,从而降低薄膜的制备温度和制备成本。该薄膜的制备方法包括:制备前驱体溶液;利用前驱体溶液制备干膜;在压强大于或等于1.5MPa,温度小于或等于...
  • 本发明提供一种立式热处理设备及其保温装置,保温装置用于设置在立式热处理设备的工艺管的底部,并与立式热处理设备的进气部件连通,保温装置包括支撑结构和保温结构,保温结构设置在支撑结构的用于支撑晶舟的支撑面的下方,且保温结构具有呈螺旋状的内部空间...
  • 本发明公开了采用PECVD沉积成膜的方法及其应用,其中,采用PECVD沉积成膜的方法包括:采用PECVD设备在基体表面沉积成膜,所述PECVD设备的射频功率脉冲为梯形波,沉积步骤的射频功率为16000W‑22000W;所述梯形波包括第一上升...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域,具体公开了一种管式PECVD沉积方法及管式PECVD沉积装置,该管式PECVD沉积方法包括以下步骤:按照设定温度条件,对反应腔室中承载区域的不同位置设定不同的加热温度;其中,承载区域中放置装有基片的载舟,设定温度...
  • 本发明公开了一种耐冲蚀高温下低摩擦固体润滑的低内应力厚纳米涂层制备工艺,包括以下步骤:基体预处理;抽真空加热;基体表面Ar离子刻蚀清洗;启动装有Ti、Cr等金属靶材或TiAl、TiZr等合金靶材的旋转阴极或平面阴极并通入N2气进行磁控反应溅...
  • 本发明公开了一种饰品表面着色的方法,包括前处理;沉积底膜层;沉积二氧化硅膜层;蒸镀防指纹膜层。上述方法采用ALD原子层沉积技术在黄铜饰品表面预沉积氧化钌或氧化铱薄膜形成底膜层,再在底膜层基础上沉积SiO2功能膜层,最后再采用全氟改性硅烷通过...
  • 本发明涉及原子层沉积装置技术领域,且公开了一种采用等离子体技术的原子层沉积装置,包括支撑座,所述支撑座的顶部固定装配有反应腔体,所述反应腔体的顶部设有切换组件,所述反应腔体的外壁转动连接有侧门,所述反应腔体的内壁开设有滑槽。该采用等离子体技...
  • 本发明涉及碳化硅制造技术领域,尤其涉及一种带混气结构的MTS输送装置。包括:混气罐、混气输送管路;混气罐通过混气输送管路与CVD工艺炉相连通;混气罐内设置有挡板;挡板的数量为多个;挡板由混气罐的一端排布至另一端;挡板上开设有溢流孔;溢流孔贯...
  • 本申请公开了一种氧化锡膜的制备方法及氧化锡膜、太阳电池、光伏组件,氧化锡膜的制备方法包括:采用原子层沉积法,以锡源和氧源作用反应物,在基底表面沉积得到氧化锡膜,锡源包括式Ⅰ化合物:式Ⅰ化合物中,n=1,2,3或4中的任意一种,通过在锡源中加...
  • 本发明公开了一种基于分阶段参数优化在多孔碳中多批次负压沉积硅的方法,涉及多孔材料表面与孔隙内气相沉积技术领域。本发明提出在负压条件下,根据沉积进程调整单批气量、惰性气比例、压力及温度控制沉积速率,分阶段优化通入硅烷。工艺流程为:前期通入低气...
  • 本发明涉及一种成膜装置和成膜方法,能够以大流量稳定地供给由低蒸气压原料产生的原料气体。本公开的一个方式的成膜装置通过载气来向处理容器输送由低蒸气压原料产生的原料气体,来在基板上形成膜,所述成膜装置具备:原料容器,其用于收容所述低蒸气压原料,...
  • 本发明涉及一种微通道热沉蒸铟夹具及使用方法,其中夹具包括固定板和与固定板相匹配的盖板;所述固定板一面开设有若干个凹槽;所述固定板另一面设置有镂空蒸铟区;每个凹槽内放置有若干组热沉对,所述热沉对包括两个对向设置的微通道热沉,每个凹槽一端的侧壁...
  • 本发明提供了一种固态电解质薄膜及其制备方法、锂电池,固态电解质薄膜的制备方法包括:将包含锂、氯、锆、氧、磷五种元素组成的至少一种化合物混合制作靶材,以惰性气体和氮气作为工作气体,采用磁控溅射的方法在基片表面沉积形成固态电解质薄膜层,固态电解...
  • 本发明公开了一种基于磁控溅射沉积工艺的高厚度Bi2Te3基热电薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)清洁磁控溅射腔室,固定Bi2Te3靶材;2)对磁控溅射腔室进行抽真空,然后通入载气,调节气压与功率进行预溅射;3)将洁净的衬底置于溅射台,调节气...
  • 本申请涉及一种异常靶材的判断方法、系统及装置。本申请的异常靶材的判断方法,包括如下步骤:通过靶材对待镀件进行镀膜处理,靶材包括支撑部、粘接层和坯靶,坯靶包括第一元素,粘接层包括第二元素,第一元素和所述第二元素不同,坯靶通过粘接层粘接于支撑部...
  • 本发明公开了一种脉冲激光沉积系统用高真空原位快速换靶装置及方法,属于制备高性能超导薄膜技术领域,该装置包括集成在一起的靶材托架和传样杆、靶材卡座,靶材托架整体结构包括由竖直的板的两端连接的上下两个部分;竖直的板第一端连接的下部分包括延伸的两...
  • 本发明涉及蒸发镀膜技术领域,提出了一种陶瓷基片蒸发镀膜装置及其镀膜方法,其中,一种陶瓷基片蒸发镀膜装置包括底部机架,底部机架上设置有真空镀膜腔室,真空镀膜腔室内设置有蒸发镀膜设备,还包括出料箱体、基片放置结构和矩形密封槽架,出料箱体设置在真...
  • 本申请提供一种蒸发舟及其制备方法、应用,蒸发舟包括蒸发舟基体和覆于所述蒸发舟基体表面的单涂层,所述单涂层中包含第一材料和第二材料,第一材料包括MoB/CoCr金属陶瓷,第二材料包括WB和/或W2B5。本申请提供的蒸发舟可兼顾对蒸镀过程中熔融...
  • 本申请提供一种蒸发舟及其制备方法、应用,蒸发舟包括蒸发舟基体和覆于所述蒸发舟基体表面的涂层,其中,所述蒸发舟基体中包含WB和/或W2B5,所述涂层中包含TiAl3。本申请提供的蒸发舟可兼顾对蒸镀过程中熔融金属液的耐腐蚀性和浸润性。
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