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最新专利技术
  • 一种基于芯片电性测试方法、系统及装置
    一种基于芯片电性测试方法、系统及装置_华中科技大学_202511871359.0
    本发明涉及芯片测试技术领域，具体地说，涉及一种基于芯片电性测试方法、系统及装置。该方法通过在待测芯片硅通孔阵列周围部署辅助激励线圈生成补偿磁场，与涡流磁场叠加形成椭圆极化磁场，通过磁场传感器捕捉长轴方向提取原始电流磁场真实相位信息，基于所述...
    2026-03-20
  • 一种用于小电流吸合锁的故障诊断装置及诊断方法
    一种用于小电流吸合锁的故障诊断装置及诊断方法_芜湖埃泰克汽车电子股份有限公司_202511867244.4
    本发明公开了一种用于小电流吸合锁的故障诊断装置及诊断方法，包括微控制器单元MCU，控制单元，吸合锁单元，检测单元；微控制器单元MCU与控制单元连接；控制单元与吸合锁单元连接；吸合锁单元与检测单元连接；检测单元与微控制器单元MCU连接。本发明...
    2026-03-20
  • 一种基于电子开关矩阵的多端口矢量网络测试系统
    一种基于电子开关矩阵的多端口矢量网络测试系统_深圳市极致汇仪科技有限公司_202511860231.4
    本发明提供一种基于电子开关矩阵的多端口矢量网络测试系统。本发明包括矢量网络分析仪和电子开关矩阵，所述矢量网络分析仪设有M个测试结构及分别与M个测试结构对应的M组测试端口，每个测试结构包括第一耦合器、R接收机和A接收机，每组测试端口包括第一端...
    2026-03-20
  • 一种芯片测试方法及芯片测试设备
    一种芯片测试方法及芯片测试设备_石家庄路抖网络科技有限公司_202511856544.2
    本发明公开了一种芯片测试方法及芯片测试设备，涉及芯片测试相关技术领域，包括通断底座，所述通断底座下端四角处均连接有连接柱，并通过连接柱以及连接柱内部贯穿的螺栓连接有安装座，所述通断底座上端内部卡接有芯片测试座，且芯片测试座上端内部卡接有下端...
    2026-03-20
  • 一种多工位集成电路振动测试装置
    一种多工位集成电路振动测试装置_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511764557.7
    本发明属于集成电路测试技术领域，特别涉及一种多工位集成电路振动测试装置。包括装置本体，还包括：钢套，所述装置本体的四个侧面和上表面分别布设有多个用于安装不同规格测试夹具的所述钢套；柱形槽腔，所述装置本体的上表面中心开设有用于放置传感器的所述...
    2026-03-20
  • 一种多通道数据采集系统测量同步性验证方法
    一种多通道数据采集系统测量同步性验证方法_中国船舶集团有限公司第七〇四研究所_202511763929.4
    本发明公开了一种多通道数据采集系统测量同步性验证方法，旨在解决现有技术中对多通道数据采集系统测量同步性能验证操作复杂、缺乏标准流程的问题。该方法通过向系统的不同层级通道输入同一标准方波信号，并基于信号上升沿特征计算时间差，以分层验证的方式，...
    2026-03-20
  • 批量化测试装置及其测试方法
    批量化测试装置及其测试方法_天津市英贝特航天科技有限公司_202511741027.0
    本申请涉及一种批量化测试装置及其测试方法，批量化测试装置包括电源模块、FPGA控制模块、隔离模块、输出模块、输出源叠加模块、槽位切换模块和测试槽位模块；实现了电流检测板卡的批量化自动测试，并可以智能叠加干扰源，智能判别板卡检测结果的对错，测...
    2026-03-20
  • 用于智能电表的音叉型直插晶振的可靠性筛选方法及系统
    用于智能电表的音叉型直插晶振的可靠性筛选方法及系统_武汉盛帆电子股份有限公司_202511633374.1
    本发明涉及晶振筛选技术领域，提供一种用于智能电表的音叉型直插晶振的可靠性筛选方法及系统，其中方法包括：获取多个待筛选音叉型直插晶振的初始电性能参数；对多个待筛选音叉型直插晶振进行高温老化处理，获得老化后电性能参数；基于初始电性能参数和老化后...
    2026-03-20
  • MEMS晶圆的测试方法、装置、设备及存储介质
    MEMS晶圆的测试方法、装置、设备及存储介质_珠海市中芯集成电路有限公司_202511627137.4
    本申请公开了一种MEMS晶圆的测试方法、装置、设备及存储介质, 方法包括：确定第一MEMS晶圆的第一晶圆类型，基于探针的探针类型和第一晶圆类型从参考映射表中确定对应的关联有第一OD的目标OD；控制探针下降，扎入第一MEMS晶圆第一OD；控制...
    2026-03-20
  • 一种集成电路测试数据管控方法、系统、终端及介质
    一种集成电路测试数据管控方法、系统、终端及介质_山东芯通微电子科技有限公司_202511506272.3
    本发明提供一种集成电路测试数据管控方法、系统、终端及介质，属于集成电路测试技术领域，方法采集测试设备的工艺参数及对应任务参数，依据特征相似性、任务关联性或数据分布对参数进行分类聚合；继而采用预测模型判定各参数集合的测试状态，状态可以涉及正常...
    2026-03-20
  • 一种芯片测试治具、测试系统及测试方法
    一种芯片测试治具、测试系统及测试方法_南京国博电子股份有限公司_202411295942.7
    本发明公开了一种芯片测试治具、测试系统及测试方法，芯片测试治具包括：依次层叠设置的底座、缓冲件、电路板和电连接件，电连接件与电路板电连接，底座用于承载缓冲件和电路板，电路板用于承载被测芯片，电连接件用于向外部设备传输电信号，缓冲件用于在被测...
    2026-03-20
  • 一种自动测试方法、装置、设备及存储介质
    一种自动测试方法、装置、设备及存储介质_富泰华工业(深圳)有限公司_202411204782.0
    本申请提供一种自动测试方法、装置、设备及存储介质，自动测试方法应用于自动测试设备，自动测试设备包括驱动机构、检测机构及双探针机构，自动测试方法包括：控制驱动机构带动双探针机构中的探针移动至待检测物料的探测点位置；在探针与探测点接触时，通过检...
    2026-03-20
  • 一种功率半导体器件的功率循环试验方法及装置
    一种功率半导体器件的功率循环试验方法及装置_中国科学院近代物理研究所_202610189980.7
    本发明提供一种功率半导体器件的功率循环试验方法及装置，涉及半导体器件测试技术领域，应用于包含多个功率单元的测试电路，方法包括：对所述测试电路施加周期性的开关驱动信号，使该测试电路内的开关管工作在模拟实际工况的动态开关模式，以对所述测试电路中...
    2026-03-20
  • 基于半导体结构的缺陷检测方法及缺陷检测装置
    基于半导体结构的缺陷检测方法及缺陷检测装置_重庆奕能科技有限公司_202610181923.4
    本申请公开了一种基于半导体结构的缺陷检测方法及缺陷检测装置，方法包括：在多个温度下，执行以下操作：向半导体结构施加电压形成稳定耗尽层并记录初始电容值，向半导体结构施加脉冲电压，关闭脉冲电压，获取半导体结构的电容在多组时间参数下的多组电容参数...
    2026-03-20
  • 光电子半导体器件性能损失评估方法
    光电子半导体器件性能损失评估方法_浙江大学_202610080158.7
    本申请提出了光电子半导体器件性能损失评估方法，包括：获得光电子半导体器件的单张发光强度分布图像；确定光电子半导体器件的主导损失和次要损失；对于每个像素点，将次要损失参数固定为该光电子半导体器件同结构标准器件出厂时的值，基于物理模型求解主导损...
    2026-03-20
  • 一种基于多物理场耦合的功率器件失效定位方法及系统
    一种基于多物理场耦合的功率器件失效定位方法及系统_重庆平伟实业股份有限公司_202511979155.9
    本发明提供的一种基于多物理场耦合的功率器件失效定位方法及系统，该方法包括：对被测功率器件施加动态电应力，并同步采集所述被测功率器件的热场数据、电场数据和机械场数据；其中，所述热场数据用于表征所述待测功率器件表面温度分布，所述电场数据用于表征...
    2026-03-20
  • IGBT过温及导热硅脂垂流的检测方法及装置
    IGBT过温及导热硅脂垂流的检测方法及装置_天津瑞源电气有限公司_202511907433.X
    本发明提出IGBT过温及导热硅脂垂流的检测方法及装置，检测装置包括散热器、IGBT、控制器，IGBT具有基板，基板通过导热硅脂与散热器热耦合，IGBT内部设置有第一温度传感器，基板上设置有基板温度检测组件，基板温度检测组件包含至少一个基板温...
    2026-03-20
  • 一种基于双偏置电压的SiC MOSFET老化诊断方法
    一种基于双偏置电压的SiC MOSFET老化诊断方法_合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)_202511854640.3
    本发明涉及芯片老化诊断技术领域，尤其涉及一种基于双偏置电压的SiC MOSFET老化诊断方法。其技术方案包括以下步骤：建立被测SiC MOSFET的温敏电参数与结温之间的第一映射关系；建立被测SiC MOSFET在加热电流下的导通压降与结温...
    2026-03-20
  • 一种MMC换流阀子模块功率器件故障定位方法、设备及介质
    一种MMC换流阀子模块功率器件故障定位方法、设备及介质_国网上海市电力公司_202511828841.6
    本发明涉及一种MMC换流阀子模块功率器件故障定位方法、设备及介质，采集各子模块中功率器件的开关信号和功率器件电压，功率器件电压为功率器件的集电极与发射极之间的电压；基于功率器件电压和正常状态下的功率器件电压，生成表征故障子模块位置的故障监测...
    2026-03-20
  • 一种功率器件导通压降测量电路及方法
    一种功率器件导通压降测量电路及方法_华润电力技术研究院有限公司_202511669670.7
    本发明涉及电力电子技术领域，公开了一种功率器件导通压降测量电路及方法，该电路用于测量待测功率器件的导通压降，包括开关管M、直流电压源VCC、稳压二极管D2、电阻R1，开关管M的栅极与直流电压源VCC的正极电连接，直流电压源VCC的输出电压值...
    2026-03-20
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