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最新专利技术
  • 一种彩色光伏组件
    一种彩色光伏组件_杭州玻美光能科技有限公司_202411160048.9
    本发明公开了一种彩色光伏组件，包括依次层叠封装的透明彩釉面板、透明粘结层A、电池层、粘结层B、背板；所述的透明彩釉面板包括玻璃基板、覆盖在玻璃基板外侧表面的透明彩色涂层、覆盖在透明彩色涂层外侧表面的透明釉层；透明釉层与透明彩色涂层以共价键相...
    2026-03-25
  • 太阳能电池及其制造方法、光伏组件、用电装置以及发电装置
    太阳能电池及其制造方法、光伏组件、用电装置以及发电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411280319.4
    本申请公开了一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件、用电装置和发电装置，太阳能电池包括：基板，位于基板上的第一电极层；至少一个第一沟槽，贯穿第一电极层；功能层，至少覆盖第一电极层和第一沟槽；至少一个第二沟槽，贯穿功能层；每一第二沟槽包括第一子...
    2026-03-25
  • 一种基于掺杂碳化锡背接触层的碲化镉薄膜太阳能电池及制备方法
    一种基于掺杂碳化锡背接触层的碲化镉薄膜太阳能电池及制备方法_中茂绿能科技(西安)有限公司_202510979323.8
    本发明公开了基于掺杂碳化锡背接触层的碲化镉薄膜太阳能电池及制备方法，包括依次设置的衬底层、透明导电氧化物薄膜层、高阻缓冲层、窗口层、碲化镉吸收层、背接触层和背电极层；其中，背接触层由β元素掺杂的碳化锡沉积而成；β元素为硼、铝、镓、铟、铊中的...
    2026-03-25
  • 背接触太阳能电池及光伏组件
    背接触太阳能电池及光伏组件_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610179720.1
    本申请提供了一种背接触太阳能电池及光伏组件，背接触太阳能电池包括：基底，基底具有背光面，背光面包括第一极性区、第二极性区以及设于第一极性区和第二极性区之间的隔离区；第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层设于第一极性区，第二掺杂层设于第二极性区，...
    2026-03-25
  • 一种基于砷/铟共掺杂的背接触太阳能电池及其制备方法
    一种基于砷/铟共掺杂的背接触太阳能电池及其制备方法_四川高景太阳能科技有限公司_202511764323.2
    本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种基于砷/铟共掺杂的背接触太阳能电池及其制备方法。该背接触太阳能电池，包括n型硅基体，n型硅基体的背表面从内到外依次包括，交替排列的n型背接触区和p型背接触区，SiO2层以及钝化层；n型背接触区包含As...
    2026-03-25
  • 具有分布式ESD防护网络的硅转接板和ESD防护结构
    具有分布式ESD防护网络的硅转接板和ESD防护结构_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511954428.4
    本发明公开了一种具有分布式ESD防护网络的硅转接板和ESD防护结构，包括转接板本体和分布式ESD防护网络，所述分布式ESD防护网络包括设置于转接板本体上端的RC触发MOS钳位单元层和嵌入式ESD二极管网络层、设置于转接板本体下端的地网结构以...
    2026-03-25
  • 半导体二极管结构及形成半导体结构的方法
    半导体二极管结构及形成半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511721228.4
    本申请的实施例公开了半导体二极管结构及形成半导体结构的方法。半导体二极管结构包括半导体层、位于半导体层上方的第一p型掺杂结构、位于半导体层上方的第一n型掺杂结构、位于第一p型掺杂结构与第一n型掺杂结构之间的中心结构、位于第一p型掺杂结构与中...
    2026-03-25
  • 集成电路及制造集成电路的方法
    集成电路及制造集成电路的方法_三星电子株式会社_202510996758.3
    提供了一种集成电路和制造集成电路的方法。该集成电路包括在第一水平方向上延伸的第一行单元，第一行单元包括：外壁单元，外壁单元包括第一图案隔离壁、第一有源图案和第一栅电极，其中第一图案隔离壁在第一水平方向上沿着外壁单元的边界延伸，并且在与第一水...
    2026-03-25
  • 电子装置
    电子装置_睿生光电股份有限公司_202411272582.9
    本公开提供一种电子装置，其包括扫描线、主动元件、内部短路环以及静电防护元件。主动元件设置于主动区中，且与扫描线电性连接。内部短路环设置于周边区中，且环绕主动区。静电防护元件设置于周边区中，且与内部短路环以及扫描线电性连接。静电防护元件为晶体...
    2026-03-25
  • 具有前侧接触和背侧接触的半导体器件
    具有前侧接触和背侧接触的半导体器件_三星电子株式会社_202511303307.3
    半导体器件包括基底图案和设置在基底图案的前侧上的第一有源图案。第二有源图案与第一有源图案间隔开并且设置在基底图案的前侧上。第一源极/漏极图案在基底图案的前侧上连接到第一有源图案。第二源极/漏极图案与第一源极/漏极图案间隔开，并且在基底图案的...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统
    半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411296088.6
    本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器和存储器系统。所述半导体结构包括：堆叠设置的第一半导体层、第一介质层和第二半导体层；设于所述第一半导体层远离所述第一介质层一侧的第一器件；设于所述第二半导体层远离所述第一介质层一侧的第二器件...
    2026-03-25
  • 多芯粒集成系统中平面薄膜无源均衡器及其制造方法
    多芯粒集成系统中平面薄膜无源均衡器及其制造方法_清华大学_202511573099.9
    本发明提供了一种多芯粒集成系统中平面薄膜无源均衡器及其制造方法，包括一个电阻区和一个电容区，电阻区和电容区并联后跨接于互连线的两点之间，共同构成一个并联R‑C均衡结构；其中，电容区和电阻区均为在同一硅衬底上采用薄膜生长制造的平面多层薄膜堆叠...
    2026-03-25
  • 阵列基板、显示面板及显示装置
    阵列基板、显示面板及显示装置_合肥京东方显示技术有限公司_202411239686.X
    本公开的实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，用于改善户外环境条件下的显示不良问题。阵列基板包括多个子像素，多个子像素中的至少一个子像素包括第一晶体管；阵列基板还包括衬底基板、栅极层、有源层和遮光导电层，栅极层包括...
    2026-03-25
  • 四栅场效应晶体管及其制备方法及双稳态电路
    四栅场效应晶体管及其制备方法及双稳态电路_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511927921.7
    本申请公开了一种四栅场效应晶体管及其制备方法及双稳态电路，包括：半导体基底；位于半导体基底上的埋氧层；位于埋氧层上的结栅层和有源层；结栅层包括第一结栅和第二结栅；有源层包括源区和漏区；位于源区和漏区之间的沟道区，沟道区位于第一结栅和第二结栅...
    2026-03-25
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511783998.1
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：形成有用于源区/漏区凹槽的半导体衬底；籽晶层，凹槽表面形成第一硅锗外延层，第一硅锗外延层厚度为10~300Å，第一硅锗外延层中含有至少1×1019 atoms/cm3掺杂剂；主体前叠层，所述籽晶层...
    2026-03-25
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_世界先进积体电路股份有限公司_202411191249.5
    本申请提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括一基底、位于基底上方的一隔离层、位于基底上方且覆盖前述隔离层的一外延层、以及在外延层中向下延伸并与前述隔离层连接的深沟槽隔离件。其中前述隔离层位于半导体结构的第二区域中，但不延伸至半导体...
    2026-03-25
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511721220.8
    本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件可以包括第一源极/漏极区域、位于第一源极/漏极区域的侧壁上的第一纳米结构、位于第一纳米结构周围的第一栅极结构、位于第一栅极结构上的第一隔离区域和第二隔离区域以及位于第一源极/漏极区域和第...
    2026-03-25
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202511661759.9
    本发明公开一种半导体元件，包括一基底、一埋入氧化层位于该基底中，该埋入氧化层邻近该基底的一表面、一栅极介电层位于该基底上并且覆盖该埋入氧化层、一栅极结构位于该栅极介电层上，并且重叠该埋入氧化层，以及一源极区及一漏极区分别位于该栅极结构两侧的...
    2026-03-25
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411284277.1
    本发明公开一种半导体装置及其形成方法，包括基底、第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管包括设置在基底上的两个第一源极/漏极结构、多个通道层和第一栅极结构。通道层分隔地设置在第一源极/漏极结构之间，而第一栅极结构环绕通道层。第二晶体管包括设置在...
    2026-03-25
  • 一种可软恢复的IGBT结构
    一种可软恢复的IGBT结构_济南千睿新广网络科技合伙企业(普通合伙)_202511857850.8
    本发明涉及IGBT结构技术领域，公开了一种可软恢复的IGBT结构，包括位于器件正面的MOS栅极结构、二极管阳极结构、承受器件耐压的n漂移层、位于n漂移层下方并用于优化器件内部电场的场截止层，所述n漂移层与场截止层之间设置有一层渐变掺杂的n型...
    2026-03-25
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