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最新专利技术
  • 反射器、室装置、半导体处理系统及材料层沉积方法
    反射器、室装置、半导体处理系统及材料层沉积方法_ASMIP私人控股有限公司_202511387144.1
    一种反射器包括主体，主体具有由主体厚度分开的第一表面和第二表面，第一表面具有第一孔，第二表面具有反射材料和第二孔。孔通过延伸穿过主体的通道流体联接，其中一个孔定位成比另一个孔更靠近侧面。通道成角度以相对于反射器主体以倾斜的流动角度从第二孔流...
    2026-04-23
  • 一种改善单片炉连长一致性的外延工艺
    一种改善单片炉连长一致性的外延工艺_南京盛鑫半导体材料有限公司_202610074848.1
    本发明公开了一种改善单片炉连长一致性的外延工艺，包括以下步骤：S1、将硅片放置于外延炉中，通入氢气，并将炉内温度升高；S2、在氢气氛围下，通入氯化氢进行气相抛光；S3、关闭氯化氢，在氢气氛围下烘烤；S4、在氢气氛围下，通入三氯氢硅、磷烷，在...
    2026-04-23
  • 基于氩气手套箱的高纯碳化硅合成工艺及双工位炉
    基于氩气手套箱的高纯碳化硅合成工艺及双工位炉_辽宁鸣舜科技有限公司_202610255408.6
    本发明涉及硅晶体合成技术领域，公开了基于氩气手套箱的高纯碳化硅合成工艺及双工位炉，包括以下步骤：碳化硅原料合成室通过过渡室一将原料合成坩埚放置在碳化硅原料合成室的坩埚托盘上，坩埚上升至预定位置后，执行原料合成工艺；所述过渡室一中，原料合成执...
    2026-04-23
  • 判断薄膜生长准确性的方法
    判断薄膜生长准确性的方法_上海新微半导体有限公司_202511965385.X
    本发明提供了一种薄膜生长准确性的判断方法，包括：S01：提供一参考片，分别获取参考片在暗态下的第一暗态阈值电压和在光态下的第一光态阈值电压，得到参考片的参考阈值电压；S02：测量并得到参考片的第一流片阈值电压；S03：将参考阈值电压与第一流...
    2026-04-23
  • 单晶炉
    单晶炉_青海晶科能源有限公司_202610007270.8
    本申请实施例涉及单晶生产领域，提供一种单晶炉，包括副室和拉晶装置，拉晶装置设置在副室内，拉晶装置包括：外衬组件，设于副室的内壁上；夹持组件，可转动地与外衬组件连接，夹持组件沿副室的延伸方向可运动地与外衬组件连接，夹持组件包括至少两个夹持部件...
    2026-04-23
  • 一种界面温度梯度精准可调的晶体生长装置及方法
    一种界面温度梯度精准可调的晶体生长装置及方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511791820.1
    本发明涉及材料制备技术领域，具体涉及一种界面温度梯度精准可调的晶体生长装置及方法。所述装置用于利用原料棒和籽晶杆生长晶体，包括：用于提供晶体生长空间的生长主体装置，分别与原料棒和籽晶杆连接以控制晶体的晶体生长界面处于第一设定位置处；用于对第...
    2026-04-23
  • III族氮化物半导体的制造方法
    III族氮化物半导体的制造方法_丰田合成株式会社_202511343486.3
    本发明提供一种能够提高成核率的III族氮化物半导体的制造方法。III族氮化物半导体的制造方法具有向混合了III族金属和助熔剂而得的混合熔液(101)中供给含氮气体，在晶种基板(9)上生长III族氮化物半导体的生长工序。晶种基板(9)具有基板...
    2026-04-23
  • 一种基于共结晶生长非富勒烯受体分子单晶的方法及应用
    一种基于共结晶生长非富勒烯受体分子单晶的方法及应用_国科大杭州高等研究院_202512008323.6
    本发明公开了一种基于共结晶生长非富勒烯受体分子单晶的方法，包括以下步骤：将非富勒烯受体分子和添加剂混合后得到前驱体溶液，将前驱体溶液旋涂在衬底形成均匀薄膜后，进行溶剂挥发与晶体自组装，得到非富勒烯受体分子单晶；所述的添加剂为2, 6‑二溴‑...
    2026-04-23
  • 一种电解抛光设备及其控制方法
    一种电解抛光设备及其控制方法_宁波江丰电子材料股份有限公司_202610046957.2
    本发明涉及一种电解抛光设备及其控制方法，具体涉及电解抛光领域，解决现有的电解抛光设备存在电解解析效果差，制样效率低，电解抛光液容易较差污染的缺陷，所述电解抛光设备包括：控制端、电解抛光端和分离端；所述电解抛光端包括：抛光平台和i个电解抛光液...
    2026-04-23
  • 一种金属退镀环境动态调控方法及相关设备
    一种金属退镀环境动态调控方法及相关设备_东莞市湃泊科技有限公司_202610168128.1
    本申请涉及金属退镀技术领域，提供了一种金属退镀环境动态调控方法及相关设备，方法包括：获取待退镀产品的基础信息；依据待退镀产品的基础信息，模拟得到退镀过程基准信息；基于退镀过程基准信息进行退镀处理，并动态获取多模态实时退镀数据；结合退镀过程基...
    2026-04-23
  • 一种无磨料CMP的方法、无磨料CMP装置与抛光后的基板
    一种无磨料CMP的方法、无磨料CMP装置与抛光后的基板_湖州晶洲半导体科技有限公司_202512057838.5
    本发明提供了一种无磨料CMP的方法、无磨料CMP装置与抛光后的基板，所述方法包括：在抛光液喷出时对抛光液进行电解活化；和/或，对待抛光基板施加阳极电流，使待抛光基板表面氧化。本发明提供的无磨料CMP的方法，通过电解活化抛光液产生活性基团，和...
    2026-04-23
  • 一种探针的电镀监控方法及系统
    一种探针的电镀监控方法及系统_强一半导体(苏州)股份有限公司_202511906518.6
    本发明涉及一种探针的电镀监控方法及系统。该方法采用循环泵从主电镀槽中持续采集镀液并输送至测试槽，通过循环伏安法基于预设的扫描间隔时间扫描测试槽中的镀液得到循环伏安曲线；基循环伏安曲线通过特征分析得到特征信号值；将特征信号值输入至预设的校准模...
    2026-04-23
  • 一种VCP电镀挂具及其改善电镀均匀性的方法
    一种VCP电镀挂具及其改善电镀均匀性的方法_武汉新创元半导体有限公司_202512023063.X
    本发明公开了一种VCP电镀挂具，包括主框架、上横梁、下横梁及竖直边框，所述上横梁与所述主框架通过连接件固定连接，所述上横梁两端连接两个所述竖直边框的上端，两个所述竖直边框的下端分别与所述下横梁的两端连接；所述上横梁、所述下横梁上均设置有夹具...
    2026-04-23
  • 一种基于晶圆电镀机的翻转机构
    一种基于晶圆电镀机的翻转机构_苏州钧华半导体技术有限公司_202610016672.4
    本发明公开了涉及晶圆电镀技术领域，具体为一种基于晶圆电镀机的翻转机构，包括滑动安装于支座上的活动座，所述活动座的底部对称固定连接有连接座和安装座，所述连接座和安装座的底部之间设置有翻转组件，所述翻转组件的内部设置有定位组件通过翻转组件与定位...
    2026-04-23
  • 一种电镀加工用夹具
    一种电镀加工用夹具_贵州新安航空机械有限责任公司_202511862925.1
    本发明涉及电镀加工技术领域，特别涉及一种电镀加工用夹具，包括挂钩、保护套、固定板、盖板、垫片一和垫片二，所述挂钩与保护套连接，所述保护套为环状结构，保护套沿径向设有与挂钩配合的安装孔，固定板为圆盘状，中部设有贯穿的内孔，使用螺钉穿过保护套通...
    2026-04-23
  • 电镀装置和电镀系统
    电镀装置和电镀系统_娄底市中兴液压件有限公司_202610060745.X
    本发明提供一种电镀装置和电镀系统，电镀装置包括电镀槽、阴极到带你机构和阳极导电机构，电镀槽用于容纳工件且包括第一侧壁、第二侧壁和底壁，底壁的相对两端分别连接于第一侧壁和第二侧壁；阴极导电机构包括设于电镀槽内且沿第一方向间隔布置的两个相对的限...
    2026-04-23
  • 一种不锈钢外表面镀铬设备
    一种不锈钢外表面镀铬设备_阳江宏旺实业有限公司_202511909219.8
    本发明涉及不锈钢加工装置技术领域，尤其涉及一种不锈钢外表面镀铬设备；其技术方案包括：电镀池；引导辊，转动连接在电镀池内；滑动框，固定连接在电镀池前后侧池边；底轨，固定连接在电镀池池底前后侧；安装架，设于电镀池上；除沫辊，转动连接在安装架底部...
    2026-04-23
  • 一种电镀设备及电镀方法
    一种电镀设备及电镀方法_肖磊_202410390726.4
    本发明属于电镀加工技术领域，尤其涉及一种电镀设备及电镀方法，包括电镀箱，电镀箱上滑动连接有打捞部，电镀箱上滑动连接有移动部，移动部上滑动连接有滑套，滑套上滑动连接有夹持部，夹持部上连接有刮拭板，刮拭板能够沿着竖直方向上下移动，打捞部上表面为...
    2026-04-23
  • 一种金刚线生产用上砂装置及方法
    一种金刚线生产用上砂装置及方法_河南恒星科技股份有限公司_202610224498.2
    本发明属于金刚线生产技术领域，具体涉及一种金刚线生产用上砂装置，包括镀液母槽与多个上砂机构，上砂机构内自下而上依次同轴设置且相互连通有进液腔、上砂腔和加固腔，上砂机构上下两端均设置有阴极导电轮，加固腔内设有阳极网筒，上砂腔与加固腔下端均为漏...
    2026-04-23
  • 一种声表面波辅助掩膜电沉积的装置及方法
    一种声表面波辅助掩膜电沉积的装置及方法_河北大学_202610010493.X
    本发明公开一种声表面波辅助掩膜电沉积的装置及方法，包括：电沉积槽，电沉积槽内填充有电解液，电沉积槽内安装有阳极板和阴极工件；声表面波谐振器，声表面波谐振器固定在电沉积槽内的相对侧面上，声波辐射方向与阴极工件表面垂直；驱动电路，驱动电路与声表...
    2026-04-23
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