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  • 本发明公开了基因修饰的小鼠, 其免疫球蛋白基因座被改造以插入人免疫球蛋白可变区的基因区段, 所述小鼠能够正常繁殖并且产生人鼠嵌合抗体, 所述人鼠嵌合抗体包含人可变区和小鼠恒定区。本发明还提供了制备所述基因修饰的小鼠的方法以及所述小鼠的用途。
  • 本发明提供一种pH指示剂的选择自由度高的排泄物处理材料及其制造方法。排泄物处理材料具备吸收动物的尿的粒状体(10)。粒状体(10)含有添加剂(12)和指示剂(14)。添加剂(12)溶解于动物的尿中, 使该尿的pH变动。指示剂(14)根据溶解...
  • 本公开涉及用于清洁和/或臭味控制的组合物和方法。更特别地, 本公开涉及用于清洁和/或臭味控制的包含侧孢短芽孢杆菌发酵物提取物或其级分的组合物及其使用方法。含有侧孢短芽孢杆菌发酵物提取物的组合物适合用作洗涤剂和用于织物和硬表面的清洁和臭味控制...
  • 本发明涉及一种用于地板覆盖物的纵向构件, 该地板覆盖物适用于饲养动物、特别是牛的围场的地面。纵向构件(1)包括由弹性材料制成的主型材(5), 该主型材包括:形成肋的中央条带(53), 该肋用于容纳在该地面中形成的互补槽缝(R)中, 该中央条...
  • 一种系统包括悬挂带, 该悬挂带还包括多个层和形成在悬挂带的主体中的至少一个狭槽, 以及被配置为保持土壤水分并防止杂草生长的田间可堆肥土壤密封屏障。
  • 本发明涉及一种至少一个农业机器人地块作业路径的半自动化测定方法。一种至少一个农业机器人(1)在整个给定地块(P)上的作业路线和路径的半自动化测定方法。所述方法包括:计算平行于初始基准方位(OR1)的路径, 确定一个或多个非最佳区域(Z2),...
  • 本发明公开一种电容结构以及其制作方法, 其中该电容结构包括半导体基底、在垂直方向上设置在半导体基底之上的第一电极、设置在第一电极上的电容介电层、设置在电容介电层上的第二电极、设置在第二电极上的图案化掩模层以及共形地设置在图案化掩模层、电容介...
  • 本发明公开了一种混合式相变射频开关装置, 属于微波射频器件领域。混合式相变射频开关装置包括:第一输入端, 用于接收射频信号;第一输出端, 用于输出射频信号;射频传输模块, 用于传输射频信号, 当第一微加热器加热第一相变材料层, 第一射频传输...
  • 本发明涉及一种光控电型存储器及其制备方法, 该存储器包括自下而上依次层叠而成的底电极、铁电层和顶电极, 顶电极为二硫化钼薄膜, 其与铁电层和底电极组成铁电薄膜异质结构;顶电极与底电极电连接;铁电层的极化方向可实现光电调控切换:其初始极化方向...
  • 本发明提供一种基于In2S3/ZnIn2S4异质结光电突触器件阵列的制备方法及其应用。所述光电突触器件的结构由下至上依次为FTO导电衬底、In2S3/ZnIn2S4异质结功能层和ITO顶电极。本发明首次使用三硫化二铟/四硫化二铟锌作为忆阻器...
  • 本发明公开了一种具有自适应性的自整流忆阻器及其制备方法, 属于半导体领域。本发明旨在解决现有的忆阻器存在潜流现象影响系统精度以及记忆的动态调节能力不足造成系统缺乏适应性和灵活性的问题, 本发明的忆阻器包括:顶电极、功能层和底电极, 所述顶电...
  • 本发明公开了一种基于Ga2O3/TiO2异质结结构的模拟型忆阻器及其制备方法, 属于非易失性阻变存储器领域, 制备方法包括:在真空条件下, 采用物理气相沉积方法在预处理后的绝缘衬底上沉积导电薄膜, 作为底电极;采用磁控溅射法依次在底电极上沉...
  • 本发明涉及忆阻器技术领域, 具体涉及一种高开关比钙钛矿忆阻器的制备方法, 在基于MXene材料构建忆阻器功能层的技术领域, 针对传统氧化法制备器件普遍面临重复性差与可靠性不足的问题, 采用Ti3C2Tx/FA0.1MA0.9PbI3‑BAI...
  • 本发明的实施例提供了一种用于片上电流测量的霍尔电流传感器及其制造方法, 属于半导体磁传感的技术领域。霍尔电流传感器包括:两个霍尔单元, 成对贴靠布置在电流排上方表面的两侧, 每个霍尔单元是至少一组霍尔阵列;第一聚磁部, 其两端分别设置在两个...
  • 本发明公开了一种场控氢离子和自旋轨道矩协同耦合的磁存储逻辑器件, 包括磁性层、重金属层、氢离子导体层和顶栅电极, 其中:磁性层具有面外磁各向异性;具有强自旋轨道耦合的重金属层, 与磁性层形成异质结;覆盖于重金属层上的氢离子导体层, 用于储存...
  • 本发明公开了一种磁性二维GaN材料及其电磁性质的调控和模拟方法, 调控方法包括选择过渡金属原子取代GaN超胞结构中部分Ga原子, 得到过渡金属元素掺杂的二维GaN;对过渡金属元素掺杂的二维GaN施加双轴应变, 然后对获得的结构进行优化, 即...
  • 本发明提供了一种磁性神经形态存储器件及存储信息方法, 磁性神经形态存储器件包括:依次叠放的第一神经形态信息存储层、非磁中间层以及第二神经形态信息存储层;其中:非磁中间层设置有对称性破缺, 用于产生作用于第一神经形态信息存储层以及第二神经形态...
  • 本发明公开一种基于钛酸铋钠‑银复合纳米线的多层柔性压电材料及制备方法和在电刺激针灸贴片中的应用, 属于压电材料技术领域。本发明通过熔盐法合成银梯度负载的钛酸铋钠铁电纳米线, 并分层复合柔性基体制备得到本发明的压电材料。本发明材料的制备方法,...
  • 本发明公开了一种高可靠性压电复合材料的制备工艺, 属于压电材料和压电器件技术领域。本发明通过首次切割将压电陶瓷切割成均等的陶瓷柱后灌注聚合物, 再采用二次切割灌注工艺将AlN基板与压电陶瓷/聚合物复合材料的上下表面贴合形成夹心结构, 引入螺...
  • 本发明公开了一种适用于水压自激发反应的压电催化管成型工艺, 具体涉及压电催化管成型领域, 包括通过将压电复合材料进行分散分类与流质调节, 生成频率均匀和流质稳定的预成型基材数据;采用限域流道分割和空间定位压制处理, 构成压效敏感路径区域与流...
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