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信息存储应用技术
  • 具有堆叠晶体管对的非易失性存储器
    具有堆叠晶体管对的非易失性存储器_IMEC非营利协会_202511335538.2
    公开了一种位单元(100)，其包括非易失性存储器元件(110)和晶体管装置(120)，该晶体管装置被配置成提供切换存储器元件的状态的写信号。存储器元件的第一端子(111)被连接到位线(BL)，存储器元件的第二端子(112)被连接到晶体管装置...
    2026-03-26
  • 一种RHC-16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块
    一种RHC-16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块_安徽大学_202210942405.1
    本发明涉及一种RHC‑16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块。一种基于极性加固技术的RHC‑16T抗辐射SRAM单元包括四个PMOS晶体管P1～P4和十二个NMOS晶体管N1～N12；位线BL与N9和N11源极电连接，位线BLB与N10和N1...
    2026-03-26
  • 记忆体装置
    记忆体装置_台积电(南京)有限公司_202520734683.7
    记忆体装置包括耦接至第一记忆体段的第一读取数据线；耦接至第二记忆体段的第二读取数据线，且包括通过第一记忆体段的第一部分及通过第二记忆体段的第二部分；及插入第一记忆体段与第二记忆体段之间的第一带状单元。第二读取数据线的第一部分在第一带状单元处...
    2026-03-26
  • 位线补偿校准调谐系统、电子设备及方法
    位线补偿校准调谐系统、电子设备及方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511896003.2
    本申请涉及一种位线补偿校准调谐系统、电子设备及方法，其中，位线补偿校准调谐系统包括：开关控制模块，开关控制模块的一端通过位线与至少一个铁电存储单元相连；电容阵列模块，电容阵列模块的一端与开关控制模块的另一端相连，电容阵列模块的另一端与接地节...
    2026-03-26
  • 修复存储芯片的方法和装置
    修复存储芯片的方法和装置_华为技术有限公司_202080091993.1
    本申请提供了一种修复存储芯片的方法和装置，涉及计算机领域。该方法包括：获取芯片的自检参数，并根据自检参数对芯片进行修复操作，其中，自检参数包括温度和失效信息，失效信息又包括失效数据单元的地址和失效数据单元的检错信息。通过根据自检参数对芯片进...
    2026-03-26
  • 一种磺化聚苯胺包覆普鲁士蓝类似物衍生的锰铁氧化物复合电极的制备方法
    一种磺化聚苯胺包覆普鲁士蓝类似物衍生的锰铁氧化物复合电极的制备方法_长春工业大学_202411299377.1
    本发明提供了一种磺化聚苯胺包覆普鲁士蓝类似物衍生的锰铁氧化物复合电极的制备方法，首先通过苯胺与2‑氨基苯磺酸共聚合成了新型磺化聚苯胺(SPANi)，从而将磺酸集团(‑SO3H)固定到PANi主链上作为质子库为PANi提供质子，促进氧化还原反...
    2026-03-26
  • 一种高容量自支撑赝电容复合膜电极的量化制备方法
    一种高容量自支撑赝电容复合膜电极的量化制备方法_吉林大学_202610195565.2
    本发明提供了一种高容量自支撑赝电容复合膜电极的量化制备方法，属于超级电容器电极材料技术领域，步骤包括：将制备的高性能赝电容材料α‑Fe2O3与碳纳米管(CNT)按照一定的质量比混合于N‑甲基吡咯烷酮中，搅拌使其形成分散均匀的浆料。然后将所述...
    2026-03-26
  • 一种用于高密度元件的光学检测与标定方法及系统
    一种用于高密度元件的光学检测与标定方法及系统_苏州复力克智能制造有限公司_202511833706.0
    本发明涉及自动光学检测技术领域，具体公开了一种用于高密度元件的光学检测与标定方法及系统。所述方法首先依次对每个DLP投影仪进行标定，通过烧录特定图案建立测量基准；随后，控制所有已标定的DLP投影仪从不同方位向被测元件表面投射正弦结构光条纹；...
    2026-03-26
  • 一种存储器装置、存储器系统及操作方法
    一种存储器装置、存储器系统及操作方法_长江存储科技有限责任公司_202210427276.2
    本发明公开一种存储器装置、存储器系统及操作方法。存储器装置，包含存储器阵列，存储器阵列包括多个存储块；及耦接在所述存储器阵列且用于控制存储器阵列的控制电路；控制电路被配置为：确定未使用过的存储块中底部虚设单元的阈值电压的第一平均值；确定第一...
    2026-03-26
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510205161.2
    本发明提供能够抑制消耗电力的半导体存储装置。半导体存储装置(2)具备输入输出用焊盘组(32)、包含多个存储单元的存储单元阵列(21)、设置于输入输出用焊盘组(32)和存储单元阵列(21)之间的输入输出电路(22)。输入输出电路(22)具备：...
    2026-03-26
  • 一种含氮锰氧的酶解木衍生碳质电极材料及其制备方法与应用
    一种含氮锰氧的酶解木衍生碳质电极材料及其制备方法与应用_北华大学_202511862296.2
    本发明公开了一种含氮锰氧的酶解木衍生碳质电极材料及其制备方法与应用，涉及超级电容器电极材料技术领域。所述制备方法包括：对木材进行酶处理，得到酶解木材；将酶解木材浸泡于尿素溶液或三聚氰胺溶液中，水热反应，干燥，得到氮掺杂酶解木材；将所述氮掺杂...
    2026-03-26
  • 一种碳骨架锚定的硒化钛复合材料的制备方法及其产品和应用
    一种碳骨架锚定的硒化钛复合材料的制备方法及其产品和应用_浙江大学_202310820884.4
    本发明公开了一种碳骨架锚定的硒化钛复合材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、将MAX相材料Ti3AlC2刻蚀得到MXene材料；S2、将刻蚀得到的MXene材料和Se粉混合后煅烧，进行高温硒化处理制备得到碳骨架锚定的硒化钛复合材料...
    2026-03-26
  • 核壳结构硫化镍铜及其制备方法和基于其的超级电容器
    核壳结构硫化镍铜及其制备方法和基于其的超级电容器_西安热工研究院有限公司_202610075022.7
    本发明公开了核壳结构硫化镍铜及其制备方法和基于其的超级电容器，属于超级电容电极材料技术领域。首先将含有镍离子和铜离子的溶液与配体混匀，得到悬浊液；对悬浊液进行等离子体活化处理，梯度升温并保温，离心收集沉淀，洗涤，干燥，得到球形Ni‑Cu双金...
    2026-03-26
  • 半导体电路和驱动方法
    半导体电路和驱动方法_索尼半导体解决方案公司_202480053886.8
    根据本公开的一个实施例的半导体电路包括：第一反相器，被配置为将在第一节点处的电压的反相电压施加给第二节点；第二反相器，被配置为将在第二节点处的电压的反相电压施加给第一节点；第一和第二位线；第一晶体管，布置在将第一位线和第一节点彼此耦合的路径...
    2026-03-26
  • 一种二维柔性导电高分子电极及其制备方法
    一种二维柔性导电高分子电极及其制备方法_中国科学院合肥物质科学研究院_202211187911.0
    本发明涉及柔性电子器件技术领域，尤其涉及一种二维柔性导电高分子电极及其制备方法。本发明中手风琴结构的Mxene为吡咯材料的聚合提供二维支架，吡咯单体首先分散于Mxene结构中二维结构中，然后利用聚合剂把不导电的吡咯高分子聚合成具有导电性的聚...
    2026-03-26
  • 半导体存储装置、存储器系统、半导体存储装置的控制方法
    半导体存储装置、存储器系统、半导体存储装置的控制方法_铠侠股份有限公司_202510201038.3
    本发明提供一种半导体存储装置、存储器系统及半导体存储装置的控制方法，所述半导体存储装置能够提升块效率。本发明的半导体存储装置具备第1存储器面及第2存储器面、信号线、判定电路及控制部。信号线对与第1存储器面的第1块的第1存储单元晶体管连接的第...
    2026-03-26
  • 闪存芯片及其编程方法和测试方法
    闪存芯片及其编程方法和测试方法_北京知存科技有限公司_202211017547.3
    本发明公开了一种闪存芯片及其编程方法和测试方法。闪存芯片包括控制器和与控制器电连接的闪存阵列，闪存阵列中多个闪存单元阵列排布；闪存芯片还包括：多条控制栅线，每条控制栅线连接一行闪存单元的第一端；多条擦除栅线，每条擦除栅线连接一列闪存单元的第...
    2026-03-26
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统
    存储器装置及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202210540184.5
    本发明实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，所述存储器装置包括存储器阵列以及与所述存储器阵列耦接的外围电路；所述存储器阵列包括字线驱动器共用同一阱的第一存储块和第二存储块；所述外围电路被配置为：在执行第一编程验证恢复操作的过程...
    2026-03-26
  • 故障内存定位方法及计算设备
    故障内存定位方法及计算设备_超聚变数字技术股份有限公司_202511516621.X
    本申请提供一种故障内存定位方法及计算设备，涉及计算设备技术领域，用于快速精确定位故障内存。该方法包括：响应于计算设备发生宕机，获取第一机器检查架构MCA故障信息和CXL故障信息。第一MCA故障信息是记录计算设备发生的硬件故障的信息，具体包括...
    2026-03-26
  • 崩溃概率的预测方法及装置、存储介质及电子装置
    崩溃概率的预测方法及装置、存储介质及电子装置_青岛海尔科技有限公司_202310326313.5
    本申请公开了一种崩溃概率的预测方法及装置、存储介质及电子装置，涉及智慧家庭技术领域，该崩溃概率的预测方法包括：在测试工具允许对目标应用执行测试的情况下，使用所述测试工具中预设的测试规则控制所述目标应用的运行周期；确定所述运行周期内由多个数据...
    2026-03-26
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