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信息存储应用技术
  • 提高低电源电压环境下SRAM稳定性的字线欠驱动的脉冲应用
    提高低电源电压环境下SRAM稳定性的字线欠驱动的脉冲应用_意法半导体国际有限公司_201910828428.8
    本公开的各实施例涉及提高低电源电压环境下SRAM稳定性的字线欠驱动的脉冲应用。耦合到存储器单元的字线与在存储器单元处执行读/写操作相关地被选择。在所选择的字线上断言字线信号。字线信号的断言具有前沿和后沿，并且在前沿和后沿之间具有一系列字线欠...
    2025-08-14
  • DRAM工艺中的可编程混合存储器和电容设备
    DRAM工艺中的可编程混合存储器和电容设备_赛灵思公司_202380088958.8
    一种用于生产半导体管芯的DRAM制造工艺，该半导体管芯适于具有作为混合存储器和电源电容两者的能力。半导体管芯上的DRAM阵列可被单独地选择以用作存储器或用作为呈三维有源对有源（AoA）堆叠半导体管芯封装配置的一个或多个半导体管芯上的电路服务...
    2025-08-14
  • 数据选通信号的处理电路、控制器和数据读取系统
    数据选通信号的处理电路、控制器和数据读取系统_锐迪科微电子(上海)有限公司_202510534631.X
    本公开提供了一种数据选通信号的处理电路、控制器和数据读取系统，该处理电路包括逻辑单元、选择单元和若干级联设置的延时单元；第一级的延时单元用于接收初始数据选通信号和使能信号以进行延时处理，得到对应的初始延时信号；后一级的延时单元用于接收初始数...
    2025-08-14
  • 一种降低图像传感器中SRAM功耗的读写控制方法
    一种降低图像传感器中SRAM功耗的读写控制方法_格科微电子(上海)有限公司_202510338090.3
    本发明提供一种通过调整图像传感器中SRAM的位线的预充电时机以及减少字线的开启次数。具体的，将多次读取中的多次字线开启和多次预充电开启减少到一次字线开启和一次预充电，进而减少字线单元和比特单元的充电功耗，以及字线翻转时相关逻辑电路的翻转动态...
    2025-08-14
  • 一种基于10T-SRAM的存内计算电路及存内计算方法
    一种基于10T-SRAM的存内计算电路及存内计算方法_安徽大学_202510518680.4
    本发明公开了一种基于10T‑SRAM的存内计算电路及存内计算方法。该存内计算电路包括由多行多列的存储计算单元构成的存内计算阵列，每个单元包括存储部分和计算部分。存储部分包括NMOS管N1～N4和PMOS管P1、P2。N1、N2、P1、P2反...
    2025-08-14
  • 静态随机存取存储器中的提高吞吐量读取
    静态随机存取存储器中的提高吞吐量读取_Arm有限公司_202510128307.8
    本公开涉及静态随机存取存储器中的提高吞吐量读取。一种用于存储器的读取电路系统包括：列读出多路复用器(MUX)，该列读出MUX耦接到存储器的一组列，其中列读出MUX从控制电路接收列选择信号，以从一组列中输出对应的列输出；和单个感测放大器，该单...
    2025-08-14
  • 半导体装置、存储器系统及其操作方法
    半导体装置、存储器系统及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202410598702.8
    本发明提供一种半导体装置、存储器系统及其操作方法。于一方面中，半导体装置包括关联于识别符的逻辑单元。逻辑单元包括控制逻辑及耦接至控制逻辑的反馈单元。半导体装置同样包括耦接至反馈单元的控制接口。控制逻辑被配置以：从控制接口接收于迭代中的列举命...
    2025-08-14
  • 存储器电路及其操作方法
    存储器电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510133703.X
    本发明的实施例提供了一种存储器电路，包括可通过第一存取线和第二存取线操作存取的第一存储器单元；分别耦接到第一存取线和第二存取线的第一读取传输门晶体管和第二读取传输门晶体管；第一感测放大器，其耦接到所述第一存取线和所述第二存取线；第一读取使能...
    2025-08-14
  • 记忆体装置及其操作方法
    记忆体装置及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202411761147.2
    本揭示文件提供一种记忆体装置及其操作方法。操作方法包含：将位元线充电至读取电压位准；将位元线耦接至记忆体部件；以及根据储存于记忆体部件中的数据位元，将位元线的电压位准自读取电压位准开始调整。读取电压位准小于记忆体部件的矫顽电压位准。
    2025-08-14
  • 具有模式寄存器的半导体装置
    具有模式寄存器的半导体装置_美光科技公司_202510073736.X
    本申请的实施例涉及具有模式寄存器的半导体装置。一种实例设备包含：命令解码器，其经配置以供应包含第一模式参数的多个模式参数；主模式寄存器，其包含各自经配置以存储所述多个模式参数中的相关联者的多个单位寄存器；第一局部模式寄存器，其经配置以存储所...
    2025-08-14
  • 存储系统
    存储系统_爱思开海力士有限公司_202510372652.6
    本发明涉及一种存储系统。所述存储系统，包括：正常存储区域，该正常存储区域适于储存正常数据；安全存储区域，该安全存储区域适于储存安全数据；第一行锤击检测电路，该第一行锤击检测电路适于对正常存储区域中被激活的部分行进行采样并且计数以选择第一需要...
    2025-08-14
  • 一种高体积比容量钠离子电容器碳正极材料及其制备方法和应用
    一种高体积比容量钠离子电容器碳正极材料及其制备方法和应用_中南大学_202510578042.1
    本发明涉及一种高体积比容量钠离子电容器碳正极材料的制备方法，该方法包括以下步骤：将玫瑰红酸二钠盐与三聚氰胺混合，在保护气体氛围中升温至碳化温度进行反应，得到碳化产物；将稀盐酸加入所述碳化产物中进行酸洗，然后固液分离，去离子水洗涤固体至中性，...
    2025-08-14
  • 一种球状Co3O4@Cu3Mo2O9纳米薄膜电极材料及其制备方法与应用
    一种球状Co<Sub>3</Sub>O<Sub>4</Sub>@Cu<Sub>3</Sub>Mo<Sub>2</Sub>O<Sub>9</Sub>纳米薄膜电极材料及其制备方法与应用_贵州大学_202510626551.7
    本发明公开一种球状Co3O4@Cu3Mo2O9纳米薄膜电极材料的制备方法，属于电极材料技术领域。本发明先以泡沫镍为模板，通过水热反...
    2025-08-14
  • 一种使用光笔测量修船替换管法兰姿态的方法
    一种使用光笔测量修船替换管法兰姿态的方法_武汉理工大学_202510567373.5
    本发明公开了一种使用光笔测量修船替换管法兰姿态的方法。该方法首先拆除拟替换管两端法兰上各一个固定螺栓，再采用光笔测量拟替换管两端法兰上各九个点的坐标，即法兰背面上的三个点、法兰外轮廓上的三个点、以及螺孔内壁上的三个点，将测量坐标导入电脑中，...
    2025-08-14
  • 在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法
    在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法_意法半导体国际有限公司_202510568066.9
    实施例提供了在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法。本公开涉及一种包括非易失性存储器(NVM)的集成电路。该集成电路包括偏置生成器，该偏置生成器产生用于NVM的可靠读取操作的稳定字线电压和位线电压。本公开涉及存储器读取、擦除验证和编程验...
    2025-08-14
  • 存入支出货币装置及存储介质
    存入支出货币装置及存储介质_东芝泰格有限公司_202411558483.7
    本发明公开了一种存入支出货币装置及存储介质，能够根据使用环境来切换显示部上显示的内容。在包括显示面向操作者的信息的显示设备，接受货币的存入，并将存入的货币收纳在收纳部中，从所述收纳部支出货币的存入支出货币装置中，包括显示控制部，所述显示控制...
    2025-08-14
  • (Co, Cu, M1)9S8纳米颗粒诱导复合富空位Ov-CoCuM1-LDH电极材料的制备方法及其应用于混合超级电容器
    (Co, Cu, M<Sub>1</Sub>)<Sub>9</Sub>S<Sub>8</Sub>纳米颗粒诱导复合富空位O<Sub>v</Sub>-CoCuM<Sub>1</Sub>-LDH电极材料的制备方法及其应用于混合超级电容器_江苏大学_202510688377.9
    本发明属于复合电极材料技术领域，涉及一种(Co,Cu,M1)9S8纳米颗粒诱导复合富空位Ov‑CoCuM1‑LDH电极材料的制备方...
    2025-08-14
  • 用于移动设备的扩容式移动存储器
    用于移动设备的扩容式移动存储器_汇钜存储科技(东莞)有限公司_202422444930.8
    本实用新型公开了用于移动设备的扩容式移动存储器，涉及存储器技术领域，包括第一外壳、第二外壳，第一外壳上设置有安装槽，第一外壳与第二外壳围合形成有电气连接室、扩容室；扩容室内设置有隔板组件，隔板组件将扩容室隔设成内存扩容室、电量扩容室，以及位...
    2025-08-14
  • 一种用于分接开关保护的防爆和压力释放一体装置
    一种用于分接开关保护的防爆和压力释放一体装置_上海华明电力设备制造有限公司_202510671868.2
    本申请涉及一种用于分接开关保护的防爆和压力释放一体装置，其包括用特殊材料合金钢制成的外壳、压力释放机构、防爆机构、回流防止机构和辅助释放机构；其中外壳安装在分接开关上，压力释放机构安装在外壳的内部，压力释放机构与分接开关内部空间连通，防爆机...
    2025-08-14
  • 一种存储器的编程方法、存储器及存储系统
    一种存储器的编程方法、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410175587.3
    本公开提供了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统，应用于芯片存储技术领域。该存储器的编程方法包括：接收写入指令，写入指令用于指示向多个存储单元中的目标存储单元写入待写入数据。待写入数据包括N个比特位。根据写入指令，在第一编程阶段：对待写入...
    2025-08-14
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