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最新专利技术
  • 用于多个无线电的射频暴露管理
    用于多个无线电的射频暴露管理_高通股份有限公司_202380084434.1
    描述了用于对多个无线电进行射频（RF）暴露管理的技术和装置。一种由无线设备进行无线通信的示例方法通常包括：确定与在第一时间间隔内用于第一发送的第一无线电相关联的第一暴露；至少部分地基于与该第一无线电相关联的该第一暴露来确定与用于第二时间间隔...
    2025-08-22
  • 传振片、骨导扬声器及耳机
    传振片、骨导扬声器及耳机_深圳市韶音科技有限公司_202380062453.4
    一种传振片(113)、骨导扬声器(11)及耳机(100)。传振片(113)包括由片材加工形成的中心固定部(1131)、环绕于中心固定部(1131)的外围的环形固定部(1132)以及连接于中心固定部(1131)和环形固定部(1132)之间的连...
    2025-08-22
  • 电缆连接器应力释放系统
    电缆连接器应力释放系统_浩亭电子基金会两合公司_202380086532.9
    电缆连接器包括壳体。壳体具有电缆开口，该电缆开口用于接纳穿过电缆开口的电缆，该电缆具有多根电线。端子插入件在壳体的插入侧处连接至壳体。多个端子布置在端子插入件内，端子中的每个端子连接至多根电线中的一根电线内的相应导体。应力释放元件布置在壳体...
    2025-08-22
  • 二次电池
    二次电池_株式会社LG新能源_202380086980.9
    本发明涉及一种二次电池，包含：包含正极活性材料的正极；包含负极活性材料的负极；插置在所述正极与所述负极之间的隔膜；和电解质，其中所述正极包含正极活性材料，所述正极活性材料包含15重量%以上的单粒子形式的第一正极活性材料，所述负极包含碳系活性...
    2025-08-22
  • 半导体装置的制造方法和基板处理系统
    半导体装置的制造方法和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_202380086424.1
    提供了一种能够调节在半导体装置的制造中形成的凹部的位置和/或尺寸的技术。本公开所涉及的半导体装置的制造方法包括：(a)提供配置有第一层叠膜、介电膜和第一掩模膜的基板的工序，第一层叠膜配置在基板上的第一区域，介电膜以覆盖第一层叠膜的方式配置在...
    2025-08-22
  • 信息处理装置、信息处理方法、学习模型、程序以及存储介质
    信息处理装置、信息处理方法、学习模型、程序以及存储介质_本田技研工业株式会社_202380086848.8
    本公开所涉及信息处理装置对存在于拍摄到的图像内的目标物或者目标物的状态进行识别，其中，该信息处理装置包含：获取单元，其获取图像的多个分辨率下的特征量；特征量提取单元，其使用多个转换器编码器，对基于多个分辨率下的特征量的应关注的特征量进行提取...
    2025-08-22
  • 用于评估温水罐的能量效率的方法、装置和计算机程序
    用于评估温水罐的能量效率的方法、装置和计算机程序_巴斯夫欧洲公司_202380087489.8
    一种用于评估罐，尤其是温水罐的能量效率的计算机实现的方法，所述罐适合用于容纳温液体/温水，该方法包括：接收指示该罐的几何和材料属性的罐数据；由经训练的人工神经网络(ANN)基于所接收的罐数据来确定该罐的热损耗；基于用于根据能量效率测试标准来...
    2025-08-22
  • 基板处理方法及基板处理装置
    基板处理方法及基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202380086732.4
    在一示例性实施方式中，基板处理方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上提供基板的工序，其中，基板具备蚀刻对象膜和蚀刻对象膜上的含金属抗蚀剂，含金属抗蚀剂具有通过EUV光曝光的第1区域和未通过EUV光曝光的第2区域；及(b)通过使用显影气体的干...
    2025-08-22
  • PAL上的用于矫正贡献的棱镜微透镜
    PAL上的用于矫正贡献的棱镜微透镜_依视路国际公司_202380086642.5
    一种适于配戴者并且旨在在标准观看条件下配戴在配戴者的眼睛前方的镜片元件，该镜片元件包括：‑屈光区域，该屈光区域包括‑具有第一屈光力的远距离视区、‑具有第二屈光力的近距离视区、‑中距离视区，该中距离视区从远距离视区延伸到近距离视区，并且具有从...
    2025-08-22
  • 脚踢传感器、车辆以及脚踢动作的检测方法
    脚踢传感器、车辆以及脚踢动作的检测方法_阿尔卑斯阿尔派株式会社_202380089421.3
    在检测由用户进行的脚踢动作的脚踢传感器中，为了减少将与脚踢动作不同的动作误检测为脚踢动作的情况，脚踢传感器具备：传感器部，其设置于车辆，并检测对象物的接近以及远离；以及控制部，其基于所述传感器部的检测结果，判断所述对象物的动作，所述控制部计...
    2025-08-22
  • 安全测距服务系统和方法
    安全测距服务系统和方法_创峰科技_202380087112.2
    一种安全测距服务方法由辅助用户设备(UE)执行。使用绑定密钥绑定第一UE和辅助UE之间的第一侧行测距会话以及辅助UE和第二UE之间的第二侧行测距会话。对第一UE和辅助UE执行第一侧行测距操作，并且对第二UE和辅助UE执行第二侧行测距操作。通...
    2025-08-22
  • （多）标记信号增强剂
    （多）标记信号增强剂_豪夫迈·罗氏有限公司_202380086012.8
    本发明的第一方面涉及(多)标记用于在质谱中针对目标分析物生成可定量信号的用途，其中所述(多)标记具有结构(I)。在第二方面，本发明涉及一种用于修饰目标分析物以用于在质谱中获得增大强度信号的方法。本发明的第三方面涉及一种用于通过质谱来确定目标...
    2025-08-22
  • 用于对体液中的分析物浓度的增强确定的方法
    用于对体液中的分析物浓度的增强确定的方法_豪夫迈·罗氏有限公司_202380087418.8
    本发明涉及一种用于通过使用具有至少一个相机的移动装置来确定体液中的分析物的浓度的计算机实现的分析方法，所述计算机实现的分析方法包括：i)接收由所述移动装置的所述相机捕获的至少一个图像，所述图像包括与光学测试元件相关联和/或与颜色参考卡相关联...
    2025-08-22
  • 粒子测量装置
    粒子测量装置_欧姆龙株式会社_202380083234.4
    本发明提供一种粒子测量装置，可判别粒子的大小以及材质，并且装置尺寸小。所述粒子测量装置构成为包括：发光部(25)，朝向探测区域(42)发出照射光；受光部(26)，对通过探测区域(42)的通过光进行检测；以及控制部(27)，在受光部(26)得...
    2025-08-22
  • 用于阻尼测试的测试机中高频弹性体测试的支柱组件
    用于阻尼测试的测试机中高频弹性体测试的支柱组件_伊利诺斯工具制品有限公司_202380087451.0
    一种用于测试弹性体测试试样(12)的试样支撑组件，包括第一支撑件(20)和第二试样支撑件(22)。力换能器和加速度计组件(26)连接到第一试样支撑件(20)的与弹性体测试试样(12)相反的第二端(20B)，并且包括力换能器(28)以及与力换...
    2025-08-22
  • 光学发射光谱仪和分析光谱峰的方法
    光学发射光谱仪和分析光谱峰的方法_塞莫费雪科学(不来梅)有限公司_202380087465.2
    提供了一种分析由光学光谱仪获得的光谱峰的方法。该方法包括使用该光学光谱仪的光学器件组件和检测器对光谱峰进行成像，以生成该光谱峰的检测到的图像。对该光谱峰的该检测到的图像应用图像校正函数以获得该光谱峰的校正后的图像，其中该图像校正函数增加了该...
    2025-08-22
  • 用于在磁感应流量计处提供激励电流的设备及磁感应流量计
    用于在磁感应流量计处提供激励电流的设备及磁感应流量计_恩德斯豪斯流量技术股份有限公司_202380086952.7
    本发明涉及一种用于在磁感应流量计（1）处提供激励电流的设备（），包括：‑集成电路（IC），包括具有第一晶体管（T1）、第二晶体管（T2）、第三晶体管（T3）和第四晶体管（T4）的H桥（HB），该H桥（HB）经由第一节点连接到磁场生成设备（5...
    2025-08-22
  • 用于压缩气瓶的防旋转装置
    用于压缩气瓶的防旋转装置_弗萨姆材料美国有限责任公司_202380087227.1
    一种防旋转组件(100)，其包括：具有布置在其顶表面(112)上的支架(140)的滑行架(110)；及具有细长主体(210)、第一端(220)和第二端(230)的防旋转装置(200)。第一端220可拆卸地固定到支架(140)的开口(144)...
    2025-08-22
  • 用于动力传动系的减速齿轮
    用于动力传动系的减速齿轮_法雷奥离合器公司_202380087514.2
    本发明涉及一种用于动力传动系的减速器(1)，包括：‑减速装置，其包括沿第一旋转轴线(X)延伸的第一轴(120)，‑偏转器(20)，其包括用于引导润滑剂的斜坡部(25)，偏转器(20)布置在壳体(60)中，其中，偏转器(20)被制造为与壳体(...
    2025-08-22
  • GaN衬底
    GaN衬底_三菱化学株式会社_202380087052.4
    本发明涉及一种GaN衬底，是具有从作为Ga极性面的(0001)结晶面倾斜0～10°的主面1，且至少在上述主面1的表面具有Si掺杂GaN层的GaN衬底，上述Si掺杂GaN层的Si浓度为1×1018atoms/cm
    2025-08-22
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