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最新专利技术
  • 并联通信的幻彩光电二极管制造方法、幻彩光电二极管及光电显示屏
    并联通信的幻彩光电二极管制造方法、幻彩光电二极管及光电显示屏_深圳市华笙光电子有限公司_202410410018.2
    本发明公开了一种并联通信的幻彩光电二极管制造方法、幻彩光电二极管及光电显示屏， 其中， 该方法包括：提供一体式支架， 一体式支架包括多个支架单体；每个支架单体上包括基座和设在基座上多个引脚， 基座具有封装腔；在每个封装腔内固定安装可见光发光...
    2025-11-16
  • 一种基于高效散热的LED灯珠结构
    一种基于高效散热的LED灯珠结构_深圳市星光宝半导体有限公司_202510966077.2
    本发明提供一种基于高效散热的灯珠结构， 属于灯珠技术领域， 该基于高效散热的灯珠结构包括：基座；安装槽， 安装槽开设于基座的上端；散热架， 散热架固定连接于安装槽的下内壁；芯片主体， 芯片主体固定连接于安装槽的上端；胶体， 胶体固定连接于基...
    2025-11-16
  • LED灯珠及其制备方法、LED光源
    LED灯珠及其制备方法、LED光源_鸿利智汇集团股份有限公司_202511017959.0
    本申请提供了一种LED灯珠及其制备方法、LED光源， 该LED灯珠包括基板；至少一个LED芯片， 位于所述基板上；第一围堰， 位于每个所述LED芯片上；遮光层， 位于所述基板以及所述LED芯片位于所述第一围堰之外的区域上， 所述遮光层与所述...
    2025-11-16
  • Micro-LED器件
    Micro-LED器件_苏州大学_202511242186.6
    本申请涉及半导体领域， 具体地说， 是涉及一种Micro‑LED器件， 其通过将台面结构的侧壁设置为与衬底之间夹角小于90°的倾斜侧壁， 以便于介质膜沉积， 进而在侧壁表面形成由不同材料组成的多层光学增透层， 实现侧壁出光增透， 最终提高M...
    2025-11-16
  • 一种提高出光效率的图形化衬底及其制备方法
    一种提高出光效率的图形化衬底及其制备方法_福建中晶科技有限公司_202510912927.0
    本发明公开了一种提高出光效率的图形化衬底及制备方法， 该图形化衬底包括衬底层以及在衬底层表面形成的凸起部；各凸起部的顶部中心点与衬底层的垂直距离为凸起部的高度， 所述凸起部在衬底层按照高度由中心到边缘逐步增加的方式排列形成阵列， 图形化衬底...
    2025-11-16
  • 一种深紫外纳米微孔多重结构外延衬底及其制备方法
    一种深紫外纳米微孔多重结构外延衬底及其制备方法_徐州美兴光电科技有限公司_202510930614.8
    本发明公开了一种深紫纳米微孔多重结构外延衬底及其制备方法。深紫纳米微孔多重结构外延衬底， 包括微孔复合蓝宝石衬底， 微孔复合蓝宝石衬底上设置有微孔， 微孔的底部设置有凸起结构。该制备方法， 包括在蓝宝石衬底上通过匀胶机旋涂一层纳米压印胶， ...
    2025-11-16
  • 一种提高发光效率的外延结构及其制备方法
    一种提高发光效率的外延结构及其制备方法_厦门乾照光电股份有限公司_202510909843.1
    本发明公开一种提高发光效率的外延结构及其制备方法， 外延结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、第一电流扩展层、有源层、第二电流扩展层、P型半导体层；所述第一电流扩展层为InGaN‑GaN‑AlGaN复合层， 其中的InGaN/G...
    2025-11-16
  • 一种基于AlGaN或AlN增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法
    一种基于AlGaN或AlN增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法_清华大学_202410385158.9
    本发明提供了一种基于AlGaN或AlN增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法。该InGaN红光LED器件包括：衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、超晶格层和/或低温GaN层、量子阱有源区以及p型区， 其中， 量子阱有...
    2025-11-16
  • 一种LED外延结构及其制备方法
    一种LED外延结构及其制备方法_江西乾照光电有限公司_202511292427.8
    本发明提供一种LED外延结构及其制备方法， 采用MOCVD方法沉积生长外延结构， 外延结构包括衬底， 以及在衬底上以第一方向依次设置的N型半导体层、量子点有源层、P型半导体层；其中， 所述量子点有源层包括沿第一方向依次设置的InN蓝光量子点...
    2025-11-16
  • 发光二极管外延片及发光二极管
    发光二极管外延片及发光二极管_江西兆驰半导体有限公司_202511277602.6
    本发明公开了一种发光二极管外延片及发光二极管， 涉及光电器件领域。外延片包括第一多量子阱层、第二多量子阱层、第一应力释放层、第三多量子阱层和P型半导体层；第一多量子阱层包括InxGa1‑xN层、第一GaN层、AlaGa1‑aN层和第二GaN...
    2025-11-16
  • 一种基于阱阱耦合结构的低蓝移InGaN红光LED器件及其制备方法
    一种基于阱阱耦合结构的低蓝移InGaN红光LED器件及其制备方法_清华大学_202410385152.1
    本发明提供了一种基于阱阱耦合结构的低蓝移InGaN红光LED器件及其制备方法。该LED器件自下至上包括：衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、超晶格层和/或低温GaN层、宽浅量子阱和隧穿势垒复合层、InGaN窄深量子阱和红光势垒复...
    2025-11-16
  • 一种发光二极管芯片及其制备方法
    一种发光二极管芯片及其制备方法_罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司_202511301705.1
    本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法， 在本发明的发光二极管芯片的制备方法中， 通过设置第N量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度， 对所述第N量子阱层进行图案化处理， 以形成多个第一凹槽， 在多个所述第一凹槽中填充无机散射颗粒， 且通...
    2025-11-16
  • 一种钼衬底的垂直LED芯片及其制备方法
    一种钼衬底的垂直LED芯片及其制备方法_佛山市国星半导体技术有限公司_202510939281.5
    本发明公开了一种钼衬底的垂直LED芯片及其制备方法， 涉及半导体照明技术领域， 制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上成型发光结构， 获得第一晶圆片；在钼衬底的背面上依次蒸镀Cu层、Ti层、Pt层和Au层组成背金保护结构层；将第一晶圆片和钼衬...
    2025-11-16
  • 一种贴片灯珠封装装置
    一种贴片灯珠封装装置_江西华雕照明电器有限公司_202510714435.0
    本发明提供一种贴片灯珠封装装置， 涉及灯珠封装技术领域， 包括机台、放料盘、滴胶模组， 传动模组以及擦拭模组；放料盘滑动连接在机台上， 滴胶模组升降设置在放料盘的往复运动轨迹内， 滴胶模组包括多个间隔设置的滴胶头， 以及支架；传动模组包括导...
    2025-11-16
  • 一种太阳能电池及其制备方法
    一种太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511005836.5
    本发明公开一种太阳能电池及其制备方法。太阳能电池可包括：电池基体， 电池基体的主表面分布有线痕区域和非线痕区域；分布于线痕区域且向电池基体内凹的第一塔基；分布于线痕区域的第一塔基内且向电池基体内凹的第二塔基， 其中， 第二塔基的尺寸小于第一...
    2025-11-16
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510822000.8
    本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件， 属于半导体技术领域。该太阳能电池包括硅衬底， 其中硅衬底的表面包括：多个第一凹陷区， 各自沿第一方向延伸成条状， 且沿与所述第一方向相交的第二方向间隔分布；以及， 多个第一凸起区， 所述第一凸起区邻接...
    2025-11-16
  • 一种基于微流道散热的激光电池组件
    一种基于微流道散热的激光电池组件_上海空间电源研究所_202510833139.2
    本发明公开了一种基于微流道散热的激光电池组件， 其包括：激光电池阵列， 其由多个贴在基板上的激光电池单体组成；保护层， 其固定盖设在所述激光电池阵列的上方；微流道散热器， 其设置所述激光电池阵列的下方， 且朝向所述激光电池阵列的第一面与所述...
    2025-11-16
  • 一种双波段增透硒化锌金属化光窗及其制备方法
    一种双波段增透硒化锌金属化光窗及其制备方法_上海米蜂激光科技有限公司_202511262243.7
    本发明涉及一种双波段增透硒化锌金属化光窗及其制备方法， 包括正面膜系、硒化锌基片、背面膜系和边缘金属化膜， 所述硒化锌基片位于所述正面膜系和背面膜系之间， 所述边缘金属化膜位于所述硒化锌基片两端；所述正面膜系和背面膜系均由硫化锌层和氟化镱膜...
    2025-11-16
  • 一种太阳能电池片和太阳能电池片的制备方法
    一种太阳能电池片和太阳能电池片的制备方法_浙江晶科能源有限公司_202511199960.X
    一种太阳能电池片和太阳能电池片的制备方法， 属于光伏技术领域， 太阳能电池片至少包括衬底、隧穿氧化层、氧化锡层和掺杂多晶硅层， 沿衬底的厚度方向， 隧穿氧化层设置于衬底的表面， 氧化锡层设置于隧穿氧化层的表面， 掺杂多晶硅层设置于氧化锡层的...
    2025-11-16
  • 电池发射极复合膜层结构及其制备方法和在制备太阳能电池中的应用
    电池发射极复合膜层结构及其制备方法和在制备太阳能电池中的应用_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511115107.5
    本发明提供了一种电池发射极复合膜层结构及其制备方法和在制备太阳能电池中的应用， 涉及太阳能电池的技术领域， 所述电池发射极复合膜层结构包括：在硅基体背面依次层叠设置的第一隧穿氧化层、第一多晶硅层、轻掺多晶硅层、第二多晶硅层、第二隧穿氧化层、...
    2025-11-16
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