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电气元件制品的制造及其应用技术
  • 一种脉冲偏压信号生成方法以及半导体工艺设备
    一种脉冲偏压信号生成方法以及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410969438.4
    本申请提供一种脉冲偏压信号生成方法以及半导体工艺设备，应用于半导体工艺设备技术领域，该方法获取目标IEDF，该目标IEDF记载多个单峰IEDF以及各单峰IEDF对应的离子量占比和离子能量峰值，并基于各单峰IEDF对应的离子能量峰值和脉冲偏压...
    2026-01-28
  • 用于电子制造系统的腔室的远程等离子体清洁
    用于电子制造系统的腔室的远程等离子体清洁_应用材料公司_202511338125.X
    一种清洁用于电子制造系统的腔室的方法包括使包含氧气和载气的气体混合物流入远程等离子体产生器中。方法进一步包括通过远程等离子体产生器由气体混合物产生等离子体并且通过使等离子体流入腔室的内部体积中来执行腔室的远程等离子体清洁，其中等离子体从腔室...
    2026-01-28
  • 一种易绕线变压器骨架
    一种易绕线变压器骨架_东莞市亚琪五金塑胶科技有限公司_202520214938.7
    本实用新型公开了一种易绕线变压器骨架，包括绕线骨架，所述绕线骨架的底部固定连接有固定挡板，所述绕线骨架的顶部卡合固定有组合挡板，所述固定挡板的底部固定连接有环座，所述环座的底部中心处嵌合转动连接有转环，所述转环的底部固定连接有底垫，所述组合...
    2026-01-28
  • 一种固态电池擀膜装置
    一种固态电池擀膜装置_浙江星楷科技有限公司_202422916985.4
    本实用新型公开了一种固态电池擀膜装置，其包括：擀膜台，所述擀膜台上装配有控制件，所述控制件包括控制台，所述控制台内槽设有连接座，所述连接座下端设有驱动件；所述成膜件装配在驱动件下方，所述成膜件包括侧位架，通过成膜辊的配合使用，将粉料压延成型...
    2026-01-28
  • 一体式USB B型公座铁壳结构
    一体式USB B型公座铁壳结构_惠州市博晖连接技术有限公司_202520107355.4
    本实用新型公开了一体式USB B型公座铁壳结构，涉及USB B型公座装配技术领域，针对现有的需要进行手工装配连接，这种装配方式不仅耗时长，而且容易出现装配误差的问题，现提出如下方案，其包括外壳和插头胶芯组件，所述外壳为一体式结构设计，所述外...
    2026-01-28
  • 移相器及电子装置
    移相器及电子装置_京东方科技集团股份有限公司_202310193908.8
    本申请公开了一种移相器及电子装置，属于移相器领域。包括：第一基板、第二基板、可调谐介质、多个第一电极、多个第二电极以及多个控制开关；第一基板与第二基板层叠设置，且第一基板与第二基板之间具有间隙，第一基板具有朝向第二基板的第一安装面，第二基板...
    2026-01-28
  • 一种通信基站的全方位防雷结构
    一种通信基站的全方位防雷结构_天津市邮电设计院有限责任公司_202520164050.7
    本实用新型提供了一种通信基站的全方位防雷结构，涉及通信基站防护技术领域，包括通信基站本体，通信基站本体的顶部固定设置有安装平台，安装平台的顶部设置有调节机构，调节机构包括固定设置在安装平台顶部的稳定筒，稳定筒的内部固定设置有电动伸缩杆，电动...
    2026-01-28
  • 储能系统及其集成柜
    储能系统及其集成柜_宁德时代新能源科技股份有限公司_202480038948.8
    一种储能系统(1)及其集成柜(20)，储能系统(1)包括集成柜(20)和至少一个储能柜(10)，储能柜(10)包括电池单元(12)，储能柜(10)包括第一高压接口(111)、第一低压接口(112)以及流体管路接口(113)；集成柜(20)包...
    2026-01-28
  • 一种高倍率碳纳米球自组装薄膜电极及其制备方法
    一种高倍率碳纳米球自组装薄膜电极及其制备方法_上海交通大学_202410974346.5
    本发明公开了一种高倍率碳纳米球自组装薄膜电极及其制备方法，包括如下步骤：步骤一：将难溶钙盐加入到海藻酸钠溶液中，再加入葡萄糖酸内酯水溶液，得到海藻酸钠水凝胶；步骤二：将海藻酸钠水凝胶进行蒸发诱导干燥，得到海藻酸钠薄膜；步骤三：将海藻酸钠薄膜...
    2026-01-28
  • 生物质多孔碳及其制备方法、硅碳复合材料及其制备方法、二次电池、电池模块、电池包和用电装置
    生物质多孔碳及其制备方法、硅碳复合材料及其制备方法、二次电池、电池模块、电池包和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410976930.4
    本申请实施例提供一种生物质多孔碳及其制备方法、硅碳复合材料及其制备方法、二次电池、电池模块、电池包和用电装置。生物质多孔碳的制备方法包括：对0.8μm≤Dn10≤2μm，0.8≤(Dv90‑Dv10)/Dv50≤1.5的生物质碳化料进行活化...
    2026-01-28
  • 一种制备碳基硅复合负极材料的制备方法及双锥旋转流化装置
    一种制备碳基硅复合负极材料的制备方法及双锥旋转流化装置_柔电(武汉)科技有限公司_202511616526.7
    本发明公开了一种制备碳基硅复合负极材料的制备方法及双锥旋转流化装置，涉及粉体材料制备与改性技术领域。本发明以双锥腔体为核心，配合精准控温模块、五组供气管路、控温模块、尾气检测系统、温度传感器，在单温区条件下实现碳化阶段、活化阶段、沉积硅阶段...
    2026-01-28
  • 一种正极材料及其制备方法、正极片、二次电池
    一种正极材料及其制备方法、正极片、二次电池_宁波容百新能源科技股份有限公司_202511403478.3
    本发明提供一种正极材料及其制备方法、正极片、二次电池。正极材料包括LiaaNibbCoccMnddMeeOa+1‑ya+1‑y(SO44)yy；其中，a＞0，b＞0，c≥0，d＞0，e＞0, 0＜y＜a+1，且1＜y/e≤20；M包括Nb、...
    2026-01-28
  • 超音速气体喷流中的激光维持等离子体产生
    超音速气体喷流中的激光维持等离子体产生_科磊股份有限公司_202480042574.7
    公开一种LSP宽带光源。所述光源可包含气体围阻结构。所述光源可包含多个喷流喷嘴，其中所述喷流喷嘴经配置以产生超音速气体喷流且引导所述超音速气体喷流在所述气体围阻结构内碰撞以在碰撞点处形成局部高压区域。所述光源可包含主激光泵源，其中所述主激光...
    2026-01-28
  • 线圈组件、无线充电线圈和电子设备
    线圈组件、无线充电线圈和电子设备_OPPO广东移动通信有限公司_202511301002.9
    本申请涉及一种线圈组件、无线充电线圈和电子设备，该线圈组件包括电路板和至少两层线圈，其中，各层线圈在线圈组件的厚度方向上层叠绝缘设置；每一线圈包括至少两股并排绕制的导线，每一线圈包括第一引出端和第二引出端；电路板包括间隔设置的第一导电连接部...
    2026-01-28
  • 微机械系统谐振器以及传感器
    微机械系统谐振器以及传感器_星昱传感科技(嘉兴)有限公司_202511912862.6
    本申请公开了一种微机械系统谐振器以及传感器，该微机械系统谐振器包括衬底、输入信号端子、输出信号端子和多个谐振组件；每个谐振组件包括固定电极，设置于衬底上；振动电极，平行且悬空设置于固定电极远离衬底的一侧上方，所述电极在所述衬底上的正投影覆盖...
    2026-01-28
  • 一种三相异型接口组件及其配合组装结构
    一种三相异型接口组件及其配合组装结构_北京大华无线电仪器有限责任公司_202422892408.6
    本实用新型公开了一种三相异型接口组件及其配合组装结构，该接口组件的输入端接AC380供电，输出端通过整机开关与大功率电源整机系统连接；该接口组件包括接口盒座、三相输入接口板、接口盒盖；三相输入接口板包括5极THT针型插座，该插座对应1线孔型...
    2026-01-28
  • 无线电池管理系统、包括其的电池组及包括电池组的装置
    无线电池管理系统、包括其的电池组及包括电池组的装置_SK新能源株式会社_202510952206.2
    本公开涉及一种无线电池管理系统、包括其的电池组及包括电池组的装置。本公开一实施例的无线电池管理系统可以包括：多个无线EIS模块，其分别与电池组中包括的多个电池模块连接，分别测量所述多个电池模块的EIS(Electrochemical Imp...
    2026-01-28
  • 多功能充电器
    多功能充电器_英望科技(山东)有限公司_202520229726.6
    本实用新型公开了一种多功能充电器，包括充电器头和匹配的充电线；还包括：支架基座，所述支架基座沿第一方向的两端分别设有挡板和支撑框，且所述挡板和所述支撑框之间的支架基座上形成容置槽，所述容置槽的底部设有多个用于放置所述充电线的凹槽；所述充电器...
    2026-01-28
  • 一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法
    一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511511383.3
    本发明公开了一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法。由下而上依次包括半绝缘磷化铟衬底、缓冲层、沟道层、隔离层、掺杂层、里势垒层、埋栅停止层、表势垒层、InP腐蚀自停止层、帽层。其埋栅控制方法，先准备4英寸InP晶圆片...
    2026-01-28
  • 一种陶瓷电容器件、电子设备及制备方法
    一种陶瓷电容器件、电子设备及制备方法_联晶智能电子有限公司_202511783851.2
    本发明公开了一种陶瓷电容器件、电子设备及制备方法，器件包括：电路板，其一面设有第一电容，与第一电容相对的另一面设有与第一电容尺寸相同的第二电容；第一电容的焊盘与电路板的重叠面为第一重叠面，第二电容的焊盘与电路板的重叠面为第二重叠面，第一重叠...
    2026-01-28
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