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电气元件制品的制造及其应用技术
  • 本发明涉及一种生成三维隔膜结构的方法和装置,以及一种计算由此生成的三维隔膜结构的形状参数的方法和装置。根据本发明的实施方式的生成三维隔膜结构的方法可以包括以下步骤:隔膜成型器:基于输入到处理器的设计参数来确定隔膜结构的域和体素的大小;基于隔...
  • 本发明属于粒子放疗技术领域,具体涉及一种基于超构材料增强型谐振腔式束流探测器,其包括重入式谐振腔、超构材料结构、耦合接收装置以及束流管道;所述重入式谐振腔包括谐振腔外导体和谐振腔内导体;所述谐振腔内导体以及所述超构材料均位于所述谐振腔外导体...
  • 提供一种电池极片的Overhang检测方法、装置、设备、存储介质。电池极片的Overhang检测方法,包括:获取电池极片的图像;确定图像中的多个极片边的位置;其中,多个极片边为与图像对应的Overhang测量值相关的极片边;各个极片边的位置...
  • 本公开涉及一种电池管理方法、装置、电子设备、存储介质及程序产品;电池管理方法,包括:获取电子设备的电池的实测电池温度和实测电池负载;根据所述实测电池温度和所述实测电池负载,确定预测电池电压;根据所述预测电池电压,确定所述电子设备的关机电压。...
  • 本实用新型涉及电路板技术领域,具体为一种连接稳定的电路板,包括电路板本体,所述电路板本体的两侧插接设置有连接板,所述连接板的一侧设置有导热板,所述导热板的顶端固定连接有导向板,所述导向板的一端固定连接有限位板。本实用新型的优点在于:通过电路...
  • 本发明提供了一种尖晶石型锰基氧化物负载低铂电催化剂及其制备方法和应用,属于无机材料制备及电化学催化领域。本发明采用温和的液体还原的方法,将低的铂负载在尖晶石型锰基氧化物上,将贵金属铂的利用率最大化,有效降低电催化剂的使用成本;负载后的电催化...
  • 本申请涉及切割设备技术领域,具体公开一种作业机构及行走装置,作业机构包括转动驱动件、连接盘、作业组件及限位组件;连接盘与转动驱动件连接;作业组件包括第一作业件和第二作业件,第一作业件的一端与连接盘的周缘转动连接,第一作业件的另一端可移动至第...
  • 本申请涉及环卫车部件技术领域,且公开了一种环卫机扫车扫刷监测与预警装置,包括支架,所述支架的一侧设有扫盘,所述扫盘的底部设有等距排列的扫刷。该环卫机扫车扫刷监测与预警装置,通过在支架的底部设置摄像头,能够对扫盘和扫刷的具体工作状态和磨损状态...
  • 本发明属于SiC MOSFET器件技术领域,具体涉及一种SiC MOSFET器件及其制备方法。本发明的SiC MOSFET制备方法通过将现有的常规Pwell版、N+版和P+版三次光刻工艺简化为只有一次Pwell版工艺,其中关键的N+版改为由...
  • 本实用新型公开了一种法兰屏蔽套一体式结构的屏蔽泵定子,属于耐腐蚀耐屏蔽电泵技术领域,包括一体屏蔽壳和金属外壳,所述一体屏蔽壳上设置有内金属屏蔽壳,所述内金属屏蔽壳的端部设置有连接法兰,所述金属外壳套装在内金属屏蔽壳的外侧。本实用新型中,通过...
  • 本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法,其中,半导体结构包括:衬底以及位于衬底上的至少一个电容器,电容器包括:多个第一纳米片,沿第一方向延伸,并沿第二方向和第三方向呈阵列排布;其中,第一方向和第二方向相交并与衬底的表面平行,第三方向垂...
  • 方法包括在第一半导体区域和第二半导体区域上方分别形成第一栅极电介质和第二栅极电介质,在第一栅极电介质和第二栅极介电质上方分别形成包括第一部分和第二部分的第一功函层,图案化第一功函数以去除第一功函层的第二部分,以及在第一栅极电介质和第二栅电介...
  • 本公开涉及高电子迁移率晶体管和方法。一种HEMT结构包括外延堆,外延堆包括:沟道层,包括第一III‑V型半导体;和势垒层,按照外延方式在沟道层上生长并且包括第二III‑V型半导体。第一III‑V型半导体和第二III‑V型半导体使得沟道层和势...
  • 一种半导体组件,所述半导体组件包含碳化硅磊晶基材、多个阱区、接面场效区、多个源极、多个轻掺杂区、多个重掺杂区、栅极,及漏极电极。特别的是,所述轻掺杂区对应该所述源极设置,每一个该轻掺杂区具有自该碳化硅磊晶基材的顶面向下并位于相应的该源极的侧...
  • 示例性支撑组件可包括顶部圆盘,其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。顶部圆盘可在顶部圆盘的第一表面的外边缘处界定凹陷凸缘。所述组件可包括冷却板,所述冷却板相邻顶部圆盘的第二表面而与顶部圆盘耦合。所述组件可包括围绕顶部圆盘的外部而与顶...
  • 本公开提供得到高的耐压的氮化物半导体装置和氮化物半导体装置的制造方法。氮化物半导体装置具有:第一氮化物半导体层,包括沿着第一轴重叠的沟道层和阻挡层,并具有与所述第一轴垂直的第一面;以及第二氮化物半导体层和第三氮化物半导体层,使所述沟道层和所...
  • 本申请实施例提供一种二进制线性码的译码方法、装置及存储介质,包括:接收信道软信息以及获取校验矩阵,对信道软信息进行硬判决,得到接收序列和校验子,若校验子的值不为零向量,根据信道软信息的可靠性对接收序列和校验矩阵进行排序,得到排序后的接收序列...
  • 本公开提供了一种磁性存储结构及制备方法、电子设备和读写方法,该磁性存储结构包括自旋轨道矩耦合层和多个磁存储元件。其中,各磁存储元件均包括磁性隧道结以及单向导通件,多个磁存储元件中的磁性隧道结并列设置于自旋轨道矩耦合层上,单向导通件连接于磁性...
  • 一种半导体器件可以包括:衬底;顺序堆叠在衬底上的第一有源图案和第二有源图案,分别与第一有源图案和第二有源图案相交的第一栅电极和第二栅电极;第一层级源极/漏极图案,在第一栅电极的侧壁上并且连接到第一有源图案;第二层级源极/漏极图案,在第二栅电...
  • 本实用新型公开了一种广播电视无线传输的防雷装置,涉及防雷装置技术领域,包括底座,所述底座的上表面固定安装有高度调节组件,所述高度调节组件的顶部固定安装有支撑卡板,所述底座的上方设置有支撑组件,所述支撑卡板的上表面通过螺钉固定安装有防雷装置本...
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