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电气元件制品的制造及其应用技术
  • 一种可控制均匀性的排气孔调节装置及晶体加工设备
    一种可控制均匀性的排气孔调节装置及晶体加工设备_成都高真科技有限公司_202111307443.1
    本发明公开了一种可控制均匀性的排气孔调节装置，属于半导体加工的技术领域，该排气孔调节装置适配于晶体加工区，该排气孔调节装置包括：环绕于所述晶体加工区周围的第一排气孔板，所述第一排气孔板上布置有若干个排气孔；环绕于所述晶体加工区周围的第二排气...
    2026-01-28
  • 一种升降式游戏手柄按键切换机构
    一种升降式游戏手柄按键切换机构_深圳市正山科技有限公司_202520091766.9
    本实用新型公开了一种升降式游戏手柄按键切换机构，包括第一按键模块和键帽，所述第一按键模块与键帽之间设有第二按键模块，第二按键模块及其按键电路板设置于一升降架上，所述键帽通过传导支架绕过第二按键模块及升降架，并与第一按键模块的按压端面相接触。...
    2026-01-28
  • 一种紧凑型旋压锁紧电缆分支箱
    一种紧凑型旋压锁紧电缆分支箱_浙江开能电力科技有限公司_202511457690.8
    本发明属于电气设备技术领域，公开了一种紧凑型旋压锁紧电缆分支箱，包括电缆分支箱，所述电缆分支箱一端设置有一组用于对主线电缆进行固定的主线接头组件，本发明主线接头组件内部设置有对电缆进行导电抵触连接的电缆抵触组件，所述主线接头组件顶部设置有驱...
    2026-01-28
  • ONO介电介质栅极结构的SiC MOSFET芯片及制造方法
    ONO介电介质栅极结构的SiC MOSFET芯片及制造方法_成都芯电慧芯科技有限公司_202511867055.7
    本发明提供了一种ONO介电介质栅极结构的SiC MOSFET芯片及制造方法，包括：N+衬底和N‑外延，在N‑外延内设有P‑well注入区、N+注入区、P+注入区；ONO栅极结构包括：依次堆叠设置的第一栅极氧化层、第一栅极SiN层、第二栅极氧...
    2026-01-28
  • 一种数控高速放线机
    一种数控高速放线机_江苏富川机电有限公司_202520259560.2
    本实用新型公开了一种数控高速放线机，包括放线架体、两个支撑架和放线辊，两个支撑架分别设置在放线架体的顶部，放线辊设置在两个支撑架之间，放线架体的两侧均固定安装有侧板，两个侧板的内壁之间固定安装有贴合板，贴合板的内部设置有支撑杆，支撑杆的一端...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511894407.8
    本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构，包括：基底；漂移区，位于所述基底上；沟道层，位于所述漂移区内；阱区，位于所述基底上，且与所述漂移区的第一侧相邻；第一栅极结构，位于所述基底上，且横跨所述阱区和沟道层；源极掺杂层，位...
    2026-01-28
  • 一种集成多种性能CMOS器件的芯片的制备方法及芯片
    一种集成多种性能CMOS器件的芯片的制备方法及芯片_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511908569.2
    本发明属于半导体集成芯片技术领域，公开了一种集成多种性能CMOS器件的芯片的制备方法及芯片；其中，所述制备方法包括：基于芯片的平面布局设计图，在晶圆衬底上形成各CMOS器件的有源区和栅极，并在形成的栅极的侧壁形成侧墙；各CMOS器件共用一张...
    2026-01-28
  • 一种电子设备
    一种电子设备_北京小米移动软件有限公司_202520007117.6
    本申请涉及电子设备防干扰技术领域，特别涉及一种电子设备，所述电子设备包括第一连接件和第二连接件，其中，所述第一连接件的一端和所述第二连接件的一端分别接地。所述第一连接件与所述第二连接件相连。本申请可以减少电子设备的功能模组受到的干扰。
    2026-01-28
  • 一种高压线束自动剥线装置
    一种高压线束自动剥线装置_浙江恩都动力科技有限公司_202520357684.4
    本实用新型提供了一种高压线束自动剥削装置，属于线束剥线装置。它解决了现有高压线束端部通过人工剥线的问题。本高压线束自动剥线装置，包括机架、可移动且用于高压线束夹持的夹持机构，以及用于高压线束端头剥线的切割机构，机架上设有可轴向移动的移动板，...
    2026-01-28
  • 一种电缆电线剥皮机
    一种电缆电线剥皮机_江西联创电缆科技股份有限公司_202211410644.9
    本发明公开了一种电缆电线剥皮机，所述的种电缆电线剥皮机包括操作台；牵引装置，所述的牵引装置设置有两组，第一组牵引装置用于牵引未剥皮的电缆，第二组牵引装置用于牵引导体，第一组牵引装置和第二牵引装置设置在操作台上；外壳，所述的外壳设置在操作台上...
    2026-01-28
  • 一种可调节特气分流的PECVD腔体
    一种可调节特气分流的PECVD腔体_福建省金石能源股份有限公司_202423238364.1
    本实用新型涉及光伏设备领域，公开了一种可调节特气分流的PECVD腔体，其包括相互连接的上模腔和下模腔。上模腔内从上到下依次设置有电极柱、一体式分流器、调节组件、布气板。电极柱设置于上模腔的上端上，电极柱上设置有气体通道，布气板位于气体通道下...
    2026-01-28
  • 一种电脑连接线加工用双工位导线设备
    一种电脑连接线加工用双工位导线设备_泗阳卓普电子科技有限公司_202520326036.2
    本实用新型公开了一种电脑连接线加工用双工位导线设备，包括柜体、卡环、横板、横杆、固定板、连接杆、连接件、限位件一和限位件二，本实用新型的有益效果是：本实用结构新颖，制作成本低，在对电脑连接线进行生产加工过程中，即在绕线工序中，能够对电脑连接...
    2026-01-28
  • 基板支撑组件及基板处理装置
    基板支撑组件及基板处理装置_圆益IPS股份有限公司_202111312361.6
    本发明的一实施例的基板支撑组件，包括：基座板，包括放置基板的至少一个基板放置部，并且形成有多条气体流动线路，所述多条气体流动线路用于向所述基板放置部供应漂浮气体、旋转气体及减速气体；至少一个环绕件，配置在所述至少一个基板放置部，并且上面放置...
    2026-01-28
  • 一种具有坠落保护功能的手持式控制器
    一种具有坠落保护功能的手持式控制器_上海斐心软件科技有限公司_202423007968.5
    本实用新型涉及计算机网络设备技术领域，且公开了一种具有坠落保护功能的手持式控制器，包括手持式控制器本体，手持式控制器本体的后表面开设有连接线插接口，该具有坠落保护功能的手持式控制器，在橡胶缓冲垫撞击底面后橡胶缓冲垫通过自身的柔软性形成一定的...
    2026-01-28
  • 一种基于辉光光斑特性的等离子体发生器解离率检测方法、检测系统
    一种基于辉光光斑特性的等离子体发生器解离率检测方法、检测系统_无锡财盈半导体有限公司_202511634218.7
    本申请实施例涉及检测，公开了一种基于辉光光斑特性的等离子体发生器解离率检测方法，包括：获取标准样机的等离子体启辉过程中产生的样机光斑数据；响应待测等离子体发生器的开启信号，获取其等离子体启辉过程中产生的光信号，基于光信号生成待测机光斑数据；...
    2026-01-28
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510208795.3
    提供了一种半导体器件，其包括：在垂直方向上延伸的第一鳍结构；在垂直方向上延伸的第二鳍结构，其中，第二鳍结构与第一鳍结构间隔开；在第一鳍结构和第二鳍结构之间的蚀刻停止图案；下绝缘层，与第一鳍结构的下表面、第二鳍结构的下表面和蚀刻停止图案的下表...
    2026-01-28
  • 具有多个嵌入式电极的基板支撑件
    具有多个嵌入式电极的基板支撑件_应用材料公司_202211408065.0
    提供了一种用于在等离子体辅助处理腔室中将基板偏压的区域的方法和设备。将基板(或基板的区域)偏压增加了在基板与处理腔室中形成的等离子体之间的电位差，从而将来自等离子体的离子加速朝向基板区域的活性表面。在本文中的多个偏压电极以有利于管理跨越基板...
    2026-01-28
  • 一种便于使用的电工接线装置
    一种便于使用的电工接线装置_阜阳市医药科技工程学校_202423229332.5
    本实用新型公开了一种便于使用的电工接线装置，包括：手持部、剥线结构、调节结构以及驱动结构，所述手持部包括握把，固定安装在握把下端的安装壳，以及固定安装在安装壳下表面的电线导向环。通过设置剥线结构，将电线放入电线导向环内，之后将横向切割刀刺破...
    2026-01-28
  • 一种耐用型线开关控制器
    一种耐用型线开关控制器_山西榆次远大线材制品有限公司_202520078938.9
    本实用新型涉及一种开关控制器，尤其涉及一种耐用型线开关控制器，包括有控制器主体、按钮、绝缘壳、电线和防磨橡胶套等；控制器主体上设置有按钮，控制器主体电性连接有电线，电线上套设有绝缘壳，绝缘壳上套设有防磨橡胶套，防磨橡胶套和绝缘壳均与控制器主...
    2026-01-28
  • 一种半导体器件、有源层结构、制备方法及电子设备
    一种半导体器件、有源层结构、制备方法及电子设备_北京大学深圳研究生院_202511936517.6
    本申请提出了一种半导体器件、有源层结构、制备方法及电子设备，涉及半导体器件领域。本申请提出的有源层结构包括第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第三氧化物半导体层。其中，第一氧化物半导体层材料的禁带宽度大于3.7eV，第三氧化物半导体层的...
    2026-01-28
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