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电气元件制品的制造及其应用技术
  • 本发明公开了一种能够降低切割损失的太阳能电池,涉及到太阳能电池领域,包括多个太阳能电池硅片,每个太阳能电池硅片的上下两侧均开设有多组预切口,每组两个预切口上下对齐分布,每个太阳能电池硅片的前后两侧均开设有预切槽,每个预切槽的上下两端分别与同...
  • 本申请公开了一种自卷曲片上磁畴存储器件及制备方法,属于存储技术领域,该器件包括:衬底、牺牲层和自卷曲管状结构;自卷曲管状结构的第一端设置在牺牲层表面,自卷曲管状结构的第二端向内卷曲;自卷曲管状结构自外向内依次设置有绝缘保护层、应变驱动层、图...
  • 本申请涉及不间断电源电池管理技术领域,公开了基于数字孪生云协同的UPS电池组健康管理及容错系统,该系统包括:数据采集模块,用于实时采集UPS电池组中各个电池单元的状态数据;数字孪生建模模块,根据实时状态数据建立每个电池单元的数字孪生模型;个...
  • 本实用新型公布了一种便携伸缩充电线装置,包括:外壳体设有容纳内腔、与所述容纳内腔连通的收放线口;载盘设于所述容纳内腔,与所述外壳体转动连接;所述发条的另一端与所述外壳体连接;所述发条驱动保持所述载盘携带所述充电线盘绕收入所述容纳内腔时,所述...
  • 本申请提供一种电路板组件及其制备方法,涉及电路板连接技术领域,利用固定轴对引脚起到固定位置的作用,只需改变导电连接件之间的间距或尺寸,即可应对各种差异性需求。该电路板组件包括电路板和导电连接件。电路板包括第一通孔和焊盘,焊盘至少位于电路板的...
  • 本申请提供了一种磷酸铁材料及其制备方法、正极材料、正极极片、二次电池,其中,磷酸铁材料中,锰元素与铁元素的物质的量之和与磷元素的物质的量之比为(0.96~0.98) : 1,锰元素的含量为5200ppm~18100ppm。本申请的磷酸铁材料...
  • 本申请涉及半导体技术,公开了一种可变电容的SGT晶体管的制作方法和SGT晶体管,包括:在主体上表面制作介质层后,在主体不同布局位置处分别制作相应的源极接触孔和栅极接触孔;在主体上表面制作正面金属层,并刻蚀正面金属层,分别形成连通源极接触孔的...
  • 本发明公开了一种用于加工多芯线缆的线缆加工设备,具体涉及多芯线缆加工技术领域,包括支撑架,所述支撑架右部设有传动机构,所述支撑架下部设有移动机构,所述传动机构左部设有承托机构,所述承托机构中部设有绕线机构,所述移动机构上部设有固定机构。本发...
  • 本申请涉及一种拉曼光谱采集传输电路及传输方法,包括:通信模块、光谱采集模块、ZYNQ;通信模块与ZYNQ连接,用于接收数据信息并传送至ZYNQ,以及将数据信息发送至远程数据中心;ZYNQ与光谱采集模块连接,用于将数据信息进行处理,并驱动光谱...
  • 本实用新型公开了一种线型感温电缆及缆式线型感温火灾探测器结构,包括:外护套;设置在外护套内的N根第一芯线、至少两根第二芯线以及至少一根第三芯线;N大于0,且为整数;第一芯线、第二芯线和第三芯线均包括导电体,其中,所述第一芯线还包括包覆在导电...
  • 本发明涉及汽车零部件无损检测技术领域,公开了一种电子节气门防水等级智能测试装置。该装置包括声学相控阵换能器、激光多普勒测振仪、腔衰荡光谱气体分析仪及一数据处理单元。该单元通过声学激励被测件,并同步采集由高精度激光多普勒测振仪测得的振动响应,...
  • 本发明公开了一种耐高温的超声耦合剂及其制备方法、超声传感器,属于超声耦合剂、高温无损检测技术领域。所述超声耦合剂以重量百分比计,包括特种环氧树脂40‑85%、纳米银粉10‑50%、活性稀释剂3‑10%、分散剂2‑8%、固化剂2‑8%;所述超...
  • 本发明公开一种铁硒双位点全pH氧还原催化剂及其制备方法和应用,属于电化学能源转换与催化材料技术领域。氧还原催化剂是通过二次热解将铁硒分别锚定在氮掺杂碳基体上得到的铁硒双位点全pH氧还原催化剂FeSe‑NC。本发明制得的双位点催化剂FeSe‑...
  • 本发明涉及可控硅门极电阻板技术领域,尤其涉及一种可控硅门极电阻板的空间散热结构。一种可控硅门极电阻板的空间散热结构,包括可控硅门极电阻板和驱动板,所述可控硅门极电阻板与所述驱动板之间设置有间隙,所述可控硅门极电阻板与所述驱动板之间通过连接组...
  • 提供一种半导体装置以及其制造方法。制造方法包含以下步骤:将一半导体层图案化为一通道层,其中该半导体层位于一基板上的一介电层上方;移除该通道层下方的该介电层的一第一部分以转动通道层,使得该通道层的一第一端高于该通道层的一第二端;及在该通道层上...
  • 本发明涉及集成电路芯片封装技术领域,提供了一种集成电路制造芯片封装装置及方法,包括工作台及其左端的模压机和储存筒;模压机的顶部设有上模,位于工作台左侧固定台的正上方;所述工作台的右侧上端设有底座,为上开口的盒体结构,所述固定台的上方设有与载...
  • 本发明涉及一种转子叠片铁心装置(100),其包括转子叠片铁心(101)和至少一个永磁体(102),永磁体布置在转子叠片铁心(101)处或中,其中,永磁体(102)具有用于检测超过和/或低于永磁体(102)的阈值温度的功能层(105),其中,...
  • 本发明提供一种砷化镓基太赫兹倍频肖特基二极管及其制备方法。该制备方法包括:在金刚石基片上生长砷化镓多晶薄膜层,其中,砷化镓多晶薄膜层为半绝缘砷化镓;在砷化镓多晶薄膜层上制备肖特基二极管的器件层。本发明能够通过在金刚石基片上直接生长砷化镓多晶...
  • 本申请实施例提供一种建筑工程环境监控设备,涉及包括环境扬尘检测仪:所述环境扬尘检测仪的底部固定连接有底板,且所述底板上开设有一对限位槽,一对所述限位槽内设有活动板,所述活动板的底部固定连接有支撑块,所述限位槽的顶部贯穿有第一插块,所述活动板...
  • 本发明提供了一种集成SCR的碳化硅MOSFET及其制作方法,涉及功率半导体器件技术领域,该器件在栅极与源极之间集成有由P+区、N型外延层、P型体区及N+源区构成的PNPN四层结构,其中P+区与源极金属欧姆接触。通过协同设计P+区与N+源区的...
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