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电气元件制品的制造及其应用技术
  • 一种集成SCR的碳化硅MOSFET及其制作方法
    一种集成SCR的碳化硅MOSFET及其制作方法_合肥钧联汽车电子有限公司_202511682011.7
    本发明提供了一种集成SCR的碳化硅MOSFET及其制作方法，涉及功率半导体器件技术领域，该器件在栅极与源极之间集成有由P+区、N型外延层、P型体区及N+源区构成的PNPN四层结构，其中P+区与源极金属欧姆接触。通过协同设计P+区与N+源区的...
    2026-01-27
  • 一种防胶治具
    一种防胶治具_厦门强力巨彩光电科技有限公司_202520067950.X
    本实用新型提供了一种防胶治具，用于装配在三防治具上，三防治具包括底板和多个限位块，防胶治具包括主体、多个盖板和多个遮挡件，主体上开设有用于避让LED模组的避让空间；多个盖板与主体连接，且由主体向避让空间内延伸，多个盖板与多个限位块一一对应，...
    2026-01-27
  • 一种可弯曲的热电模块及其制作方法
    一种可弯曲的热电模块及其制作方法_杭州大和热磁电子有限公司_202111042969.1
    本发明公开了一种可弯曲的热电模块，克服了现有技术中热电模块不能弯曲的局限性，它包括P型半导体、N型半导体、放热面导流片以及吸热面导流片，所述放热面导流片包括若干第一导流片和若干第二导流片，所述吸热面导流片包括若干第一导流片，所述P型半导体和...
    2026-01-27
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202410854479.9
    一种半导体装置包含基板、漂移区、通道区、源极区、栅极电极层以及栅极垫。漂移区位于基板内。通道区位于基板内。源极区位于基板内并相邻于通道区。栅极电极层位于漂移区上方并相邻于通道区与源极区，其中栅极电极层包含元件区、连接区以及栅极接垫区。元件区...
    2026-01-27
  • 一种散热增强的常关型GaN HEMT结构及其制备方法
    一种散热增强的常关型GaN HEMT结构及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202111397484.4
    本发明公开了一种散热增强的常关型GaN HEMT结构，涉及半导体技术领域，包括从下至上依次设置的衬底、低温AlN成核层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、介质层、T形多晶金刚石和栅电极，源电极和漏电极位于AlGaN势垒层上，在AlGaN势垒层...
    2026-01-27
  • 一种便携伸缩充电线装置
    一种便携伸缩充电线装置_深圳市鑫锐达电子五金塑胶有限公司_202520215797.0
    本实用新型公布了一种便携伸缩充电线装置，包括：外壳体设有容纳内腔、与所述容纳内腔连通的收放线口；载盘设于所述容纳内腔，与所述外壳体转动连接；所述发条的另一端与所述外壳体连接；所述发条驱动保持所述载盘携带所述充电线盘绕收入所述容纳内腔时，所述...
    2026-01-27
  • 一种天线贴敷机构
    一种天线贴敷机构_深圳市富泰鑫科技有限公司_202511895301.X
    一种天线贴敷机构，它涉及天线组装技术领域。它包括：天线供料装置、壳体供料装置、贴料装置以及移料装置。其中天线供料装置用于输送天线；壳体供料装置用于放置壳体；移料装置用于将天线与壳体移至所述贴料装置上，并在所述贴料装置上将壳体与天线压合；所述...
    2026-01-27
  • 一种基于电压监测的蓄电池组开路自动保护系统及方法
    一种基于电压监测的蓄电池组开路自动保护系统及方法_四川华能宝兴河水电有限责任公司_202511251154.2
    本申请提出一种基于电压监测的蓄电池组开路自动保护系统及方法，所述系统包括：状态监测模块，用于实时监测蓄电池组对应的各子电池组的两端电压、所述蓄电池组的电流和所述蓄电池组的温度，并将所述各子电池组的两端电压、所述蓄电池组的电流和所述蓄电池组的...
    2026-01-27
  • 一种光学电位装置
    一种光学电位装置_深圳一森科技有限公司_202410920602.2
    本发明公开了一种光学电位装置，包括发光元件和光敏元件，所述发光元件和光敏元件之间设置有防窥膜片。本发明与现有技术相比的优点是：本发明采用防窥膜片取代现有光学电位装置的遮光板，由于防窥膜片上具有百叶窗式的透光单元，当防窥膜片翻转时，通过透光单...
    2026-01-27
  • 电子装置制造方法
    电子装置制造方法_三星显示有限公司_202510902619.X
    公开是一种电子装置制造方法，其包括：形成基础层；形成电路元件层；以及形成显示元件层。形成显示元件层包括：在第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域中的每个中形成第一阳极；在第一阳极上形成第一蚀刻停止层；在第一蚀刻停止层上形成第一绝缘层；形成...
    2026-01-27
  • 一种净水机
    一种净水机_江苏莱克智能电器有限公司_202422115073.7
    本实用新型涉及一种净水机，其包括主机，所述主机包括：机壳，其具有第一容置区；滤芯组件，其横向设置于所述第一容置区内，用以净化水流；集成水路构件，其内部设有多个流道和多个通水口，用以将所述主机内的至少部分水路依次连通；所述集成水路构件竖向设置...
    2026-01-27
  • 正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置
    正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202310749065.5
    本申请提供了一种正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置；其中的正极材料包括内核包覆在内核的至少部分外表面上的第一包覆层，以及包覆在具有第一包覆层的内核的至少部分外表面上的第二包覆层；第一包覆层的材料包括锂元素和X元素；第二包覆层...
    2026-01-27
  • 一种白光Micro-LED器件结构及其制备方法
    一种白光Micro-LED器件结构及其制备方法_南京国兆光电科技有限公司_202511411575.7
    本发明公开了一种白光Micro‑LED器件结构及其制备方法，结构包括：包括若干个高反射电极的驱动基底；位于驱动基底之上的发光层，发光层包括发光像素和第一间隔结构；发光像素与高反射电极一一对应；位于发光层之上的平坦层；位于平坦层之上的色转换层...
    2026-01-27
  • 显示装置、包括显示装置的电子设备及显示装置的制造方法
    显示装置、包括显示装置的电子设备及显示装置的制造方法_三星显示有限公司_202510958451.4
    公开了显示装置、包括显示装置的电子设备以及用于制造显示装置的方法。显示装置可以包括穿过基础绝缘层(例如，基础电绝缘层)的连接电极和连接到连接电极的反射图案。连接电极可以包括第一导电层(例如，第一电传导层)和第二导电层(例如，第二电传导层)，...
    2026-01-27
  • 磁控装置及半导体工艺设备
    磁控装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410978371.0
    本申请公开一种磁控装置及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。磁控装置包括背板和多个磁组，多个磁组相配合以形成用于约束等离子体的运动方向的水平磁场，各磁组均包括电磁模块和永磁体，电磁模块和永磁体均设置于背板，电磁模块包括电磁线圈，电磁线圈环绕...
    2026-01-27
  • 一种分布式电源的孤岛状态检测方法及相关设备
    一种分布式电源的孤岛状态检测方法及相关设备_云南电网有限责任公司电力科学研究院_202511506591.4
    本申请实施例公开了一种分布式电源的孤岛状态检测方法及相关设备，首先确定电网侧的第一特征频次和分布式电源侧的第二特征频次，根据并网点的第一谐波电压平均值和分布式电源侧的第二谐波电压平均值获取第一谐波电压比值和第二谐波电压比值；再根据电网故障发...
    2026-01-27
  • 一种用于氢燃料电池催化剂过滤清洗的装置
    一种用于氢燃料电池催化剂过滤清洗的装置_上海佑大能源技术有限公司_202422948856.3
    本实用新型涉及氢燃料电池技术领域，具体为一种用于氢燃料电池催化剂过滤清洗的装置，包括釜体，釜体的内部设置有滤板，釜体中位于滤板的上方位置设置有通过电机驱动的第一转轴。本实用新型通过关闭第一电磁阀和第二电磁阀，注入釜体内部去离子水可以存留在釜...
    2026-01-27
  • 一种农杆菌介导的穿心莲瞬时转化方法
    一种农杆菌介导的穿心莲瞬时转化方法_广州中医药大学(广州中医药研究院)_202511599449.9
    本发明属于基因工程技术领域，具体涉及一种农杆菌介导的穿心莲瞬时转化方法。本发明提供了一种农杆菌介导的穿心莲瞬时转化技术，能够实现外源基因在穿心莲植株中的高效表达，弥补了该领域的短板。一般农杆菌瞬时转化技术需要剪切外植体，经过无菌共培养后侵染...
    2026-01-27
  • 一种用于电阻片侧面绝缘的无铅复合玻璃粉及其制备方法
    一种用于电阻片侧面绝缘的无铅复合玻璃粉及其制备方法_西安天工电气有限公司_202511858451.3
    本申请涉及电子元件制备技术领域，具体公开了一种用于电阻片侧面绝缘的无铅复合玻璃粉及其制备方法。一种用于电阻片侧面绝缘的无铅复合玻璃粉，包括如下重量份原料：基体玻璃粉90‑110份、功能填料10‑30份，所述基体玻璃粉为钒酸盐‑钼酸盐系无铅玻...
    2026-01-27
  • 基于管道流动态微波辐射规模化制备球形铜纳米颗粒方法
    基于管道流动态微波辐射规模化制备球形铜纳米颗粒方法_昆明理工大学_202511451436.7
    本发明公开了基于管道流动态微波辐射规模化制备球形铜纳米颗粒方法，包括如下步骤：将含铜化合物按比例配成溶液得到溶液A；将保护剂按比例配成溶液得到溶液B；将还原剂按比例配成溶液得到溶液C；将所述步骤2得到的溶液B以缓慢滴入所述步骤1得到的溶液A...
    2026-01-27
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