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最新专利技术
  • 一种基于深度学习的多模通信协议优化方法
    一种基于深度学习的多模通信协议优化方法_江苏鼎双微电子有限公司_202510745370.6
    本发明公开了一种基于深度学习的多模通信协议优化方法，包括如下步骤：S1、采集通信终端的运行数据，并进行预处理；S2、构建多模通信协议结构图，并生成邻接矩阵；S3、构建结构化LSTM模型，建模通信环境的时序特征和协议间的结构依赖信息；S4、使...
    2026-01-21
  • 一种低功耗设备互联与数据传输系统
    一种低功耗设备互联与数据传输系统_杭州菲信科技有限公司_202510743506.X
    本发明属于医疗数据传输领域，尤其涉及一种低功耗设备互联与数据传输系统，包括数据获取终端、移动终端、分布式互联模块和状态转换模块，其中，分布式互联模块通过分布式节点互联网连接各终端，每个节点对应一个终端，状态转换模块中的需求识别单元识别终端发...
    2026-01-21
  • 远程控制机台的方法、装置、电子设备和存储介质
    远程控制机台的方法、装置、电子设备和存储介质_无锡邑文微电子科技股份有限公司_202510744651.X
    本发明公开了一种远程控制机台的方法、装置、电子设备和存储介质，涉及半导体技术领域。方法包括：获取待处理配方数据模板，根据配方参数类型和/或配方人员对配方步骤的调整操作，处理待处理配方数据模板，得到目标配方数据模板；依据预设的网络地址，将目标...
    2026-01-21
  • 数据同步方法、装置、电子设备、存储介质及程序产品
    数据同步方法、装置、电子设备、存储介质及程序产品_中移动信息技术有限公司_202510744527.3
    本申请公开了一种数据同步方法、装置、电子设备、存储介质及程序产品，涉及计算机技术领域，该方法应用于源集群，该方法具体包括：读取预先固化在磁盘上的至少两个业务操作记录，构建第一队列；检查所述第一队列中的业务操作记录，并将满足预设要求的目标业务...
    2026-01-21
  • 流量矩阵的计算方法、装置、存储介质及电子设备
    流量矩阵的计算方法、装置、存储介质及电子设备_中国铁塔股份有限公司_202510747409.8
    本申请公开了一种流量矩阵的计算方法、装置、存储介质及电子设备，该方法应用于网络流量检测领域，该方法包括：采集目标网络中每个节点的节点信息，依据目标网络的网络信息和每个节点的节点信息确定多个聚合域的网络信息；依据多个聚合域的网络信息对目标信息...
    2026-01-21
  • 一种风电机组自动巡检方法及装置
    一种风电机组自动巡检方法及装置_重庆市科源能源技术发展有限公司_202510744152.0
    本发明涉及风电机组系统运维技术领域，尤其涉及一种风电机组自动巡检方法及装置，本申请技术方案通过风电巡检设备在移动过程中实时采集的风电机组网络的网速信息，服务器接收网速信息后对一定时间段内的网速信息进行分析判断，若网速信息的稳定性低于预设值，...
    2026-01-21
  • 一种开关机自动检测的显示终端防摄录装置
    一种开关机自动检测的显示终端防摄录装置_天津光电安辰信息技术股份有限公司_202510745252.5
    本发明公开了一种开关机自动检测的显示终端防摄录装置，包括：当装置外接的计算机开机后，计算机输出视频HDMI信号，HDMI信号检测模块将检测到信号的指令发送至第二MCU控制器模块，第二MCU控制器模块发送高电平给主机控制器模块，主机控制器模块...
    2026-01-21
  • 一种路线巡检监控设备
    一种路线巡检监控设备_武汉云霁灼灿技术有限公司_202510745226.2
    本发明涉及监控设备技术领域，本发明公开了一种路线巡检监控设备，包括底板，所述底板上安装有驱动座，所述驱动座上安装有监控摄像机，所述监控摄像机上设置有镜头。该路线巡检监控设备，通过启动伺服电机，进而带动动力盘转动，通过连接条带动整个L型板做左...
    2026-01-21
  • 跨平台的视频优化方法、设备及存储介质
    跨平台的视频优化方法、设备及存储介质_深圳软牛科技集团股份有限公司_202510747292.3
    本发明涉及视频编码领域，公开了一种跨平台的视频优化方法、设备及存储介质。该方法包括：接收视频数据，以及检测视频数据对应的原始硬件参数、分辨率；对视频数据进行双轨参数匹配处理，生成硬件编码和软件编码；对硬件编码和软件编码进行映射转换处理，生成...
    2026-01-21
  • 音视频传输的控制方法、装置及电子设备
    音视频传输的控制方法、装置及电子设备_淘宝(中国)软件有限公司_202510749865.6
    本申请公开了音视频传输的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，音视频传输的控制方法包括：获取当前帧的相邻上一帧的第一控制数据以及在决策第一控制数据过程中的第一中间状态信息；根据第一控制数据以及第一中间状态信息生成热启动信息；将所述热...
    2026-01-21
  • 一种基于大数据的短剧推荐方法及系统
    一种基于大数据的短剧推荐方法及系统_易尚(深圳)网络科技有限公司_202510745061.9
    本发明涉及短剧的领域，公开了一种基于大数据的短剧推荐方法与系统，方法包括：采集用户的多维度行为数据以形成初始行为数据集；基于初始行为数据集计算用户对不同类别的短剧内容的偏好分数以得到用户兴趣分布矩阵；划分用户群体并标注用户类别标签；形成初始...
    2026-01-21
  • 一种基于阿尔法波的智能脑电波训练耳机
    一种基于阿尔法波的智能脑电波训练耳机_无锡大教无痕信息技术有限公司_202510742373.4
    本发明提供一种基于阿尔法波的智能脑电波训练耳机，涉及脑电波训练耳机技术领域，包括第一安装板、第二安装板、调节组件、音源、中央处理模组、脑电波识别模组、音乐处理模组和调频模组；所述第一安装板和第二安装板的外端卡合连接有安装框，所述第一安装板和...
    2026-01-21
  • 电压控制方法、控制装置、高压发生器和电压控制系统
    电压控制方法、控制装置、高压发生器和电压控制系统_同方威视技术股份有限公司_202510748831.5
    本公开提供一种电压控制方法、控制装置、高压发生器和电压控制系统。电压控制方法包括：向高压发生器中的第一驱动电路发送用于控制X射线管的栅控电极电压的第一驱动参数，以便第一驱动电路根据第一驱动参数，驱动高压发生器中与X射线管对应的电源电路，生成...
    2026-01-21
  • 一种厚铜印制电路板的蚀刻方法及印制电路板
    一种厚铜印制电路板的蚀刻方法及印制电路板_深南电路股份有限公司_202510753018.7
    本申请公开了一种厚铜印制电路板的蚀刻方法及印制电路板，其中，所述厚铜印制电路板的蚀刻方法包括：提供一种厚铜印制电路板；对所述厚铜印制电路板的第一蚀刻区域的铜层进行第一次蚀刻；在所述厚铜印制电路板的表面镀锡层；对所述厚铜印制电路板的锡层进行烧...
    2026-01-21
  • 一种FPC整版贴胶装置及其工艺
    一种FPC整版贴胶装置及其工艺_江西楚岳电子科技有限公司_202510742231.8
    本公开提供了一种FPC整版贴胶装置，包括：外壳，其的内部相对转动装设有圆管一和圆管二，其的一侧设有驱动机构，用于分别驱动圆管一和圆管二转动，其的另一侧设有抽气机构，用于分别抽取圆管一和圆管二内的气体；所述圆管一和圆管二的外周壁上分别等距开设...
    2026-01-21
  • 沟槽型绝缘栅双极晶体管及制造方法
    沟槽型绝缘栅双极晶体管及制造方法_瑞能半导体科技股份有限公司_202510744947.1
    本申请公开了一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及制造方法，沟槽型绝缘栅双极晶体管包括第一电极层；漂移层，设于第一电极层在第一方向的一侧；多个栅极沟槽区，沿第二方向间隔排布于漂移层内，且各栅极沟槽区由漂移层的第一表面朝向第一电极层延伸；多个基区，相邻...
    2026-01-21
  • 利用AlN介质实现的GaN双沟强耦合结构及其制备方法
    利用AlN介质实现的GaN双沟强耦合结构及其制备方法_西安电子科技大学_202510746787.4
    本发明公开了一种利用AlN介质层实现的GaN双沟强耦合结构及其制备方法，该结构包括：衬底；位于衬底之上的第一GaN层；位于第一GaN层之上的第一势垒层；位于第一势垒层之上的含Al介质层；位于含Al介质层之上的第二GaN层；位于第二GaN层之...
    2026-01-21
  • 场效应晶体管及其制造方法
    场效应晶体管及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202510751969.0
    本发明公开了一种场效应晶体管，第一JFET形成于第一外延层中，第二MOSFET形成于第二外延层中，第一外延层的材料的禁带宽度大于第二外延层的材料的禁带宽度第二外延层形成于第一外延层的顶部表面上且第一外延层和第二外延层的接触面呈异质结，第一J...
    2026-01-21
  • 沟槽型MOSFET及其制造方法
    沟槽型MOSFET及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202510746839.8
    本发明公开了一种沟槽型MOSFET，在沟槽栅的第一侧形成有第一阱区和位于第一阱区顶部表面的源区，在沟槽栅的第二侧形成有第二掺杂区且部分第二掺杂区延伸到栅极沟槽的底部表面正下方，在第二掺杂区的顶部形成有平面栅以及在平面栅的两侧分别形成有第三掺...
    2026-01-21
  • 沟槽型MOSFET及其制造方法
    沟槽型MOSFET及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202510746840.0
    本发明公开了一种沟槽型MOSFET，在沟槽栅的第一侧形成有第一阱区和位于第一阱区顶部表面的源区，在沟槽栅的第二侧形成有第二掺杂区且部分第二掺杂区延伸到栅极沟槽的底部表面正下方，在第二掺杂区的表面区域形成有第三掺杂区，各第三掺杂区的第二侧面延...
    2026-01-21
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