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最新专利技术
  • MOS器件源漏的注入方法、MOS器件的制作方法和MOS器件
    MOS器件源漏的注入方法、MOS器件的制作方法和MOS器件_浙江大学杭州国际科创中心_202510963556.9
    本发明涉及一种MOS器件源漏的注入方法、MOS器件的制作方法和MOS器件。在所述MOS器件源漏的注入方法中， 增加了第二侧墙的工艺， 并以栅极、第一侧墙和第二侧墙为掩膜进行源漏的注入， 最后再去除第二侧墙的源漏掩膜层。该方法制作的MOS器件...
    2025-11-22
  • 半导体器件的制备方法及半导体器件
    半导体器件的制备方法及半导体器件_晶芯成(北京)科技有限公司_202510999614.3
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件， 所述方法包括：在半导体层上形成绝缘层， 并且在半导体层中形成第一沟槽和第二沟槽， 第二沟槽的宽度大于第一沟槽的宽度；在第一沟槽的底部、侧壁， 第二沟槽的底部、侧壁以及绝缘层远离半导体层的表...
    2025-11-22
  • 功率电晶体及其制造方法
    功率电晶体及其制造方法_先进半导体私人有限公司_202511012267.7
    本揭示涉及功率电晶体及其制造方法。本揭示提供一种制造一功率电晶体的方法， 包含下列步骤：提供一半导体基板， 其中该半导体基板包含一第一外延层以及一第二外延层， 且该第二外延层预先配置于该第一外延层上以备作为该功率电晶体的一电子元件层；以及在...
    2025-11-22
  • 功率电晶体及其制造方法
    功率电晶体及其制造方法_先进半导体私人有限公司_202511012268.1
    本揭示涉及功率电晶体及其制造方法。本揭示提供一种制造一功率电晶体的方法， 包含下列步骤：提供一半导体基板， 其中该半导体基板包含一第一外延层以及一第二外延层， 且该第二外延层预先配置于该第一外延层上以备作为该功率电晶体的一电子元件层；以及在...
    2025-11-22
  • HEMT器件及其制造方法
    HEMT器件及其制造方法_上海新微半导体有限公司_202511049277.8
    本发明提供一种HEMT器件及其制造方法， 采用IMP溅镀法形成欧姆金属种子层， 通过高密度的等离子体的轰击作用， 一方面可去除N型掺杂区表面的氧化物和杂质等， 降低欧姆金属与N型掺杂区之间的接触电阻；另一方面， 等离子体的轰击作用还可使得形...
    2025-11-22
  • 一种SiC Trench MOSFET器件
    一种SiC Trench MOSFET器件_杭州芯逐半导体有限公司_202511351303.2
    本发明涉及一种SiC Trench MOSFET器件， 所述SiC Trench MOSFET器件将现有技术中栅槽向过渡区延伸的方案调整为栅槽与过渡槽分立的结构， 且所述栅槽和源槽均位于有源区内， 便将所述栅槽置于所述源槽的保护范围内。而且...
    2025-11-22
  • 一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
    一种高电子迁移率晶体管及其制备方法_安建科技有限公司_202410498223.9
    一种高电子迁移率晶体管及其制备方法， 本发明涉及于半导体器件， 为提高器件的可靠性， 本发明通过在漏极金属层和源极金属层之间设置可形成有水平方向的电流通路的高电阻材料层， 该电流通路位于势垒层上方且在水平方向形成线性电势差且电耦合到下方的半...
    2025-11-22
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410508498.6
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制备方法， 该半导体结构包括衬底以及位于衬底上的沟道结构， 沟道结构包括依次设于衬底上的沟道层和势垒层；沟道结构包括栅极区域以及位于栅极区域两侧的源极区域和漏极区域；源极区域设有第一凹槽， 漏极区域设有第...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_三垦电气株式会社_202510483639.8
    本发明涉及半导体装置， 得到HEMT， 具有开关速度提高的PSJ结构。具有：第1氮化物半导体层(12)；第2氮化物半导体层(13)， 其具有比第1氮化物半导体层(12)的带隙宽的带隙；以及第3氮化物半导体层(14)， 其具有比第2氮化物半导...
    2025-11-22
  • 晶体管、氮化镓器件及其制备方法
    晶体管、氮化镓器件及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510780004.4
    本公开提供了一种晶体管、氮化镓器件及其制备方法。晶体管包括：沟道层、势垒层、p‑GaN层、栅极、源极和漏极；势垒层位于沟道层， 源极和漏极位于势垒层， 且源极和漏极分别位于势垒层相对的两侧；p‑GaN层位于势垒层且位于源极和漏极之间， p‑...
    2025-11-22
  • 具有低温保护层的硅基四元势垒毫米波器件及其制备方法
    具有低温保护层的硅基四元势垒毫米波器件及其制备方法_华南理工大学_202510895760.1
    本发明公开了具有低温保护层的四元势垒毫米波器件及其制备方法。所述毫米波器件包括在四元势垒外延结构上利用等离子增强沉积技术低温生长的Si‑rich SixN保护层， 及在富Si低温保护层上结合电子束蒸发工艺直接生长的欧姆接触电极及T型栅极。本...
    2025-11-22
  • 基于氢终端金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法
    基于氢终端金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法_武汉大学_202510906627.1
    本公开实施例提供了一种基于氢终端金刚石的高电子迁移率晶体管及其制备方法， 属于半导体技术领域。该高电子迁移率晶体管包括：金刚石衬底；氢终端层， 设置于金刚石衬底的表面， 用于形成二维电子气；保护层， 设置于氢终端层上， 用于抑制氢终端层氧化...
    2025-11-22
  • 具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件
    具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件_上海宏微爱赛半导体有限公司_202511015501.1
    本发明属于半导体技术领域， 具体涉及一种具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件。本发明的具有高K介质埋层的氮化镓结型场效应晶体管器件可以减小反向漏电， 由于反向偏置下耗尽漂移区产生的大部分电位移线通过高k材料填充的缓冲层， 分散了纵向...
    2025-11-22
  • 一种横向耐压复合器件及其制备方法
    一种横向耐压复合器件及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511035435.4
    本发明涉及半导体技术领域， 尤其是涉及一种横向耐压复合器件及其制备方法， 该横向耐压复合器件包括：高阻衬底；宽禁带薄层材料横向耐压层， 设于所述高阻衬底上；P‑GaN HEMT开关控制单元层, 设于所述宽禁带薄层材料横向耐压层上。本申请提供...
    2025-11-22
  • 芯片及其制作方法、半导体器件、电子设备
    芯片及其制作方法、半导体器件、电子设备_华为技术有限公司_202410487166.4
    本申请提供一种芯片及其制作方法、半导体器件、电子设备， 涉及半导体技术领域， 能够避免因在侧墙的底部产生空洞， 而导致栅极与源漏结构之间发生击穿的问题。该芯片包括设置在衬底上的场效应晶体管。场效应晶体管包括：栅极、第一侧墙和第二侧墙、源漏结...
    2025-11-22
  • 开关器件、用于检测物理事件的传感器、开关器件的制造方法和测量方法
    开关器件、用于检测物理事件的传感器、开关器件的制造方法和测量方法_亚德诺半导体国际无限责任公司_202510528337.8
    本公开涉及开关器件、用于检测物理事件的传感器、开关器件的制造方法和测量方法。开关器件包括：基板；p‑n结， 包括设置在基板上的第一p掺杂层和第一n掺杂层；导电层， 设置在基板上并从邻近p掺杂层的第一区域延伸到邻近n掺杂层的第二区域， 导电层...
    2025-11-22
  • GGNMOS器件及制造方法、芯片
    GGNMOS器件及制造方法、芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202510850365.1
    本发明提供一种GGNMOS器件及制造方法、芯片， 属于半导体集成电路技术领域。所述GGNMOS器件包括：衬底、形成于衬底的体区和衬底接口、以及形成于体区表面的源区、漏区和栅极， 衬底接口、源区以及栅极均接地， 还包括：形成于衬底接口与源区之...
    2025-11-22
  • 一种碳化硅MOSFET器件、制造方法和芯片
    一种碳化硅MOSFET器件、制造方法和芯片_珠海格力电器股份有限公司_202510858871.5
    本发明实施例提供了一种碳化硅MOSFET器件、制造方法和芯片， 包括N+型衬底；外延层；电流扩展层， 电流扩展层具有第一沟槽和第二沟槽， 第二沟槽位于第一沟槽的底部， 且第二沟槽底部的宽度小于第一沟槽底部的宽度；P型基区， 设于电流扩展层内...
    2025-11-22
  • 一种超结MOSFET结构及其制造方法
    一种超结MOSFET结构及其制造方法_浙江大学_202511341155.6
    一种超结MOSFET结构及其制造方法， 属于功率器件技术领域， 其中， 超结MOSFET结构包括：衬底；超结柱区， 所述超结柱区包括第一导电类型的第一柱区和第二导电类型的第二柱区， 所述第一柱区为棱柱形， 所述第二柱区围绕所述第一柱区；栅极...
    2025-11-22
  • 超结功率器件及其制备方法
    超结功率器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511380097.8
    本申请涉及一种超结功率器件及其制备方法， 制备方法包括：提供碳化硅衬底；在碳化硅衬底的顶面形成碳化硅外延层， 碳化硅外延层具有第一类型杂质离子， 碳化硅外延层中形成有多个掺杂柱， 掺杂柱具有第二类型杂质离子， 且掺杂柱通过刻蚀工艺和外延工艺...
    2025-11-22
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