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最新专利技术
  • 一种抗辐照的忆阻器突触电路
    一种抗辐照的忆阻器突触电路_湘潭大学_202510988706.1
    本发明公开了一种抗辐照的忆阻器突触电路，涉及神经网络集成电路技术领域，本发明在四忆阻器突触电路的基础上，保留两个忆阻器实现权重极性的转变，将另两个忆阻器更换为不变的电阻，减小四忆阻器给权重更新曲线带来的非线性与不对称性影响；同时当忆阻器突触...
    2025-11-23
  • 一种非晶碳忆阻器阵列光读出方法
    一种非晶碳忆阻器阵列光读出方法_东北师范大学_202510991780.9
    本发明涉及一种非晶碳忆阻器阵列光读出方法，提出一种忆阻器，从下至上依次包括底电极ITO、非晶碳介质层、顶电极Ag。忆阻器高阻状态下在光照期间光电流逐渐增加，在撤光后回落至基线；而对器件施加正向电压使其转变为低阻时，载流子沿导电细丝重组，重复...
    2025-11-23
  • 一种用于三维RRAM激活过程的限流保护电路
    一种用于三维RRAM激活过程的限流保护电路_深圳大学_202510996091.7
    本发明公开一种用于三维RRAM激活过程的限流保护电路，与RRAM所连接的位线和源线相连，RRAM包括若干接入于源线和位线之间的包括一晶体管和一阻变器件的阻变单元，晶体管与阻变器件相连，其控制端与字线相连，限流保护电路包括反馈保护电路和终止信...
    2025-11-23
  • 存储器及其访问方法、电子设备
    存储器及其访问方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410526347.3
    本公开提供一种存储器及其访问方法、电子设备，涉及存储技术领域。存储器包括：沿垂直于衬底的第一方向堆叠的多层存储单元，每层存储单元包括沿平行衬底的第二方向和第三方向阵列分布的多个存储单元；多条第一写字线，沿第一方向延伸，同一条第一写字线与在第...
    2025-11-23
  • 一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元及存算阵列
    一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元及存算阵列_南京大学_202511389277.2
    本发明公开了一种交叉耦合式浮栅型存算一体单元及存算阵列，属于半导体技术领域。每个交叉耦合式浮栅型存算一体单元包括两个共轭设置的耦合读写子单元和一个写入开关管，该存算一体单元通过硅衬底耗尽区存储电子信息，相比于传统eDRAM器件栅极存储电荷的...
    2025-11-23
  • 一种存储器和存储设备
    一种存储器和存储设备_长鑫科技集团股份有限公司_202410546174.1
    本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储器和存储设备，其中，存储器包括：阵列排布的多个存储单元，被配置为，当存储单元被选中时，存储单元中存储的数据从位线被读出至第一数据总线；置位电路，连接第一数据总线并接收置位信号，被配置为，在存储器处...
    2025-11-23
  • 存储器及其操作方法、存储器系统
    存储器及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410551178.9
    本申请实施例提供了一种存储器及其操作方法、存储器系统；其中，存储器包括：多条字线；与每条字线耦接的多个存储单元；耦接到多条字线的外围电路，外围电路被配置为：在对多条字线中的至少一条选中字线耦接的存储单元进行刷新操作期间，通过导通第一电压传输...
    2025-11-23
  • 一种组对结构的单管闪存阵列
    一种组对结构的单管闪存阵列_领羚科技(上海)有限公司_202511403642.0
    本发明提供的组对结构的单管闪存阵列中，虚拟存储阵列位于有效存储阵列的外侧，虚拟存储阵列包括行列排布的多个虚拟组对结构，每个虚拟组对结构包括源极相连接的两个虚拟存储管，一列虚拟组对结构对应一列组对存储单元，一列虚拟组对结构连接同一列的组对存储...
    2025-11-23
  • 操作存储控制器的方法、存储系统及相关设备
    操作存储控制器的方法、存储系统及相关设备_长江存储科技有限责任公司_202410545084.0
    本公开提供了一种操作存储控制器的方法、存储系统、电子设备、固态硬盘、存储控制器、主机设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品，涉及半导体存储技术领域。该操作存储控制器的方法包括：响应于存储设备的温度满足第二温度条件，记录向存储设备写入数据所...
    2025-11-23
  • 存储器的编程方法、存储器及存储系统
    存储器的编程方法、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202510961952.8
    本申请是中国申请202210187020.9的分案申请。本申请提供了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统，涉及存储技术领域。该方法包括：在对选定存储单元进行编程的第一脉冲阶段，以第一脉冲宽度向选定字线施加第一编程电压；在对选定存储单元进行...
    2025-11-23
  • 管理存储器系统中的编程操作
    管理存储器系统中的编程操作_长江存储科技有限责任公司_202410545481.8
    描述了用于管理存储器系统中的编程操作的方法、系统和设备。示例系统包括存储器装置和存储器控制器。存储器装置包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元阵列的外围电路。外围电路获得第一温度，并且响应于确定第一温度处于或高于预定阈值，向耦合存储器单元阵列...
    2025-11-23
  • 半导体设备及操作半导体设备的方法
    半导体设备及操作半导体设备的方法_爱思开海力士有限公司_202411365900.6
    本申请涉及一种半导体设备及操作半导体设备的方法。该操作半导体设备的方法，包括：接收编程命令；向存储器单元施加编程脉冲；感测存储器单元的阈值电压；根据存储器单元的阈值电压的感测结果确定编程是否完成，并根据确定编程是否完成的确定结果，将连接到存...
    2025-11-23
  • 一种存储器装置及其操作方法、存储器系统
    一种存储器装置及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410535119.2
    本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，所述存储器装置包括：存储单元阵列，包括多个存储单元，所述多个存储单元被划分成多个存储平面；多条位线；多个页缓冲器电路，每个所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器组，每个所述页缓冲器电路对应...
    2025-11-23
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510055317.3
    本文可以提供一种存储器装置及其操作方法。存储器装置可以包括：存储块，其包括连接在源极线和位线之间的第一选择晶体管和第二选择晶体管以及连接在第一选择晶体管和第二选择晶体管之间的存储器单元；外围电路，其被配置为调整第一选择晶体管和第二选择晶体管...
    2025-11-23
  • NAND闪存读取电压轴动态预测方法及装置、存储介质
    NAND闪存读取电压轴动态预测方法及装置、存储介质_山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司_202511383016.X
    本申请公开了一种NAND闪存读取电压轴动态预测方法及装置、存储介质，方法包括：选取涵盖不同类型的NAND闪存的样本数据，进行训练，得到GRUM模型；将样本数据中的PE次数、RET时间及VTH分布作为GRUM模型的输入，GRUM模型的输出为最...
    2025-11-23
  • 存储器及其操作方法、存储系统
    存储器及其操作方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410545230.X
    本申请提供了一种存储器及其操作方法、存储系统，属于存储技术领域。本申请提供的方案中，存储器中的第一放电电路能够基于接收到的第一电压，通过第一放电晶体管对位线进行放电。第二放电电路能够基于接收到的第二电压，通过第二放电晶体管对源极线进行放电。...
    2025-11-23
  • 参考电压的确定方法、电子设备、存储介质及程序产品
    参考电压的确定方法、电子设备、存储介质及程序产品_苏州元脑智能科技有限公司_202511406493.3
    本申请公开了一种参考电压的确定方法、电子设备、存储介质及程序产品，涉及计算机技术领域，检测闪存单元对应的N个预设参考电位的N个预设参考电压，预设参考电位为闪存单元的M个参考电位中用于作为预测参考电压基准的电位；获取闪存单元对应的当前字线位置...
    2025-11-23
  • 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路
    移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路_合肥鑫晟光电科技有限公司_202410537684.2
    一种移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路，移位寄存器可以包括：输入子电路、输出子电路和降噪子电路；输入子电路，被配置为在第一信号输入端、第二信号输入端和复位信号端的信号的控制下，向上拉节点提供第一电源端、第二电源端或第三电源端的信号；输出子...
    2025-11-23
  • 堆叠式存储器架构中的区段放弃
    堆叠式存储器架构中的区段放弃_美光科技公司_202510552046.2
    本申请案涉及堆叠式存储器架构中的区段放弃。实施堆叠式半导体架构的系统可包含分成具有多个区段的裸片单元的晶片，且所述区段可通过晶片堆叠耦合为裸片单元区段堆叠。在堆叠所述半导体晶片之后(例如，在从所述堆叠晶片单切裸片堆叠之前或之后)，可评估所述...
    2025-11-23
  • 存储阵列在操作期间的数据漂移检测方法、电路及系统
    存储阵列在操作期间的数据漂移检测方法、电路及系统_百代(上海)数据技术有限公司_202510980656.2
    本发明涉及到存储阵列在操作期间的数据漂移检测方法、电路及系统。输入节点耦合到存储阵列中各待测线路，第一和第二输出节点用于产生相对压降。在第一输出节点和第二输出节点与输入节点之间设置进行电流调节的输入级晶体管。前级分流单元与输入级晶体管并联连...
    2025-11-23
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