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最新专利技术
  • 执行MAC运算的半导体装置
    执行MAC运算的半导体装置_爱思开海力士有限公司_202510021899.3
    本公开涉及执行MAC运算的半导体装置。一种半导体装置包括：感测放大器电路，包括连接到多个列的多个感测放大器，其中，多个感测放大器通过放大由多个列输出的内部数据来存储内部数据，以及在算术运算开始之后通过基于内部数据和多个列信号而驱动区段线来生...
    2026-01-13
  • 支持功率效率模式的存储器装置
    支持功率效率模式的存储器装置_三星电子株式会社_202510514011.X
    提供了支持功率效率模式的存储器装置。所述存储器装置包括第一命令地址(CA)电路和第二CA电路，其中，第一CA电路基于第一子通道信号的第一命令地址信号来生成第一子通道命令信号、第二子通道命令信号和第一子通道地址信号，并且第二CA电路基于第二子...
    2026-01-13
  • 一种动态随机存储阵列及其控制方法
    一种动态随机存储阵列及其控制方法_华中科技大学_202511217042.5
    本发明公开了一种动态随机存储阵列及其控制方法，属于微电子学与集成电路技术领域，包括：多个存储单元，每个存储单元中包括第一晶体管、第二晶体管、字线、位线以及地线，其中：第一晶体管的栅极与字线连接、第一晶体管的源/漏极与位线相连，第二晶体管的栅...
    2026-01-13
  • 多阈值16T抗辐射SRAM存储单元电路和存储器
    多阈值16T抗辐射SRAM存储单元电路和存储器_安徽大学未来产业创新研究院_202511281484.6
    本申请涉及多阈值16T抗辐射SRAM存储单元电路和存储器，该电路中存储模块由PMOS晶体管组成的两个交叉耦合的反相器组成双稳态结构，形成两个存储节点；冗余存储模块采用NMOS晶体管组成双稳态结构，形成两个冗余节点，作为存储模块的冗余备份；读...
    2026-01-13
  • 记忆体装置及其操作方法
    记忆体装置及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510483521.5
    一种记忆体装置及其操作方法，记忆体装置包含：记忆体阵列，用于将多个数据储存在多个记忆体单元；多个读取电路，用于从所述多个记忆体单元读出所述多个数据；以及多个输入/输出(I/O)端。第一多工器集用于从所述多个记忆体单元撷取出所述多个数据，并按...
    2026-01-13
  • 一种电荷共享型的SRAM写辅助电路及其控制方法
    一种电荷共享型的SRAM写辅助电路及其控制方法_南京起跑线穿戴电子科技有限公司_202511251756.8
    本发明公开了一种电荷共享型的SRAM写辅助电路及其控制方法，SRAM写辅助电路包括第一存储阵列、第二存储阵列和电荷共享型写辅助电路，第一存储阵列和第二存储阵列分别用于存储数据，第一存储阵列与第二存储阵列中的存储单元排布相同。在SRAM进行写...
    2026-01-13
  • 基于近场光学拓扑态的高密度数据存储方法及系统
    基于近场光学拓扑态的高密度数据存储方法及系统_深圳大学_202511298931.9
    本发明涉及一种基于近场光学拓扑态的高密度数据存储方法及系统，包括以下步骤，对存储介质表面进行扫描，得到存储介质表面上作为存储数据的近场光学信号分布；基于所述近场光学信号分布对存储介质表面中的纳米结构进行参数提取，得到介质表面纳米结构参数；对...
    2026-01-13
  • 非易失性存储器电路和用于制造此存储器电路的方法
    非易失性存储器电路和用于制造此存储器电路的方法_意法半导体国际公司_202510818804.0
    本公开涉及非易失性存储器电路和用于制造此存储器电路的方法。一种非易失性存储器电路包括存储器单元矩阵。每个存储器单元包括具有控制栅极和浮栅的状态晶体管。状态晶体管由埋入在衬底中并包括埋入式选择栅极的竖直的选择晶体管选择。埋入式选择栅极在同一对...
    2026-01-13
  • 内存组件及其操作方法
    内存组件及其操作方法_华邦电子股份有限公司_202410956259.7
    一种内存组件及其操作方法。内存组件包括电压检测电路以及输入输出缓冲器电路。电压检测电路用以接收电压信号，并且检测电压信号的电平。输入输出缓冲器电路耦接到电压检测电路。根据电压检测电路的检测结果来设定输入输出缓冲器电路的操作电压范围，或者调整...
    2026-01-13
  • 半导体器件及其操作方法、系统以及计算机可读存储介质
    半导体器件及其操作方法、系统以及计算机可读存储介质_长江存储控股股份有限公司_202410757513.0
    本公开实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括存储器阵列和与存储器阵列耦接的外围电路，存储器阵列包括多个存储块，多个存储块中至少两个存储块均为目标存储块；外围电路被配置为：对多个目标存储块中每个目标存储块耦接的多个字线均施加对应的输入电压...
    2026-01-13
  • 用于压力传感器的前端读出电路
    用于压力传感器的前端读出电路_湖南大学_202510856011.8
    提供一种用于压力传感器的前端读出电路，包括：电荷积分放大模块，其被配置为采集压力传感器产生的电荷信号并将其转换为电压信号；峰值记录模块，其被配置为接收所述电压信号并记录其峰值电压；时序控制模块，其被配置为在所述电荷信号产生时生成第一控制信号...
    2026-01-13
  • 存储器系统的交叉温度测量
    存储器系统的交叉温度测量_美光科技公司_202510789207.X
    本申请案涉及存储器系统的交叉温度测量。存储器系统可记录操作期间的交叉温度测量。例如，所述存储器系统可在第一时间记录存储在所述存储器系统处的数据的温度，且可比较在所述第一时间记录的所述温度与在第二时间记录的所述数据的写入温度。在一些实例中，在...
    2026-01-13
  • 存储芯片及存储模组
    存储芯片及存储模组_西安芯存半导体有限公司_202511194568.6
    本申请公开了一种存储芯片及存储模组。存储芯片包括：一次性可编程电路，被配置为烧录存储数据信息；可测试性设计电路连接一次性可编程电路，可测试性设计电路包括多个主控模块；其中，响应于存储芯片上电广播，一次性可编程电路基于时钟信号产生地址信号，并...
    2026-01-13
  • 非易失存储器的存储单元替换方法、装置及存储介质
    非易失存储器的存储单元替换方法、装置及存储介质_珠海博雅科技股份有限公司_202511295356.7
    本发明公开了一种非易失存储器的存储单元替换方法、装置及存储介质，其中，方法包括：对存储块的若干个待测存储单元进行第一预设次数的擦写校验操作，并筛选出校验失败的第一存储单元；对校验失败的第一存储单元进行第二预设次数的额外编程操作，并在第一存储...
    2026-01-13
  • 闪存筛选方法、控制器、介质及产品
    闪存筛选方法、控制器、介质及产品_珠海妙存科技有限公司_202511228571.5
    本申请实施例提出了一种闪存筛选方法、控制器、介质及产品，应用于闪存技术领域，方法包括：在目标温度下，根据第一预设参数对闪存芯片的多个存储块进行擦写操作，得到擦写结果；根据多个第二预设参数和所述擦写结果对多个所述存储块的页面进行数据读取操作，...
    2026-01-13
  • 信号分离装置及信号分离方法
    信号分离装置及信号分离方法_南亚科技股份有限公司_202411316454.X
    一种包含存储器的信号分离装置。存储器包含测试电路、第一缓冲器以及指令端。测试电路用以输出测试信号。第一缓冲器用以根据测试信号输出第一延迟信号。指令端用以根据测试信号及第一延迟信号输出指令路径信号。第一缓冲器耦接至测试电路及指令端之间。如上所...
    2026-01-13
  • 闪存错误注入测试方法及电子设备
    闪存错误注入测试方法及电子设备_苏州元脑智能科技有限公司_202511203900.0
    本申请公开了一种闪存错误注入测试方法及电子设备，涉及错误注入测试技术领域，本申请利用NAND闪存的固有物理特性，也即是写入特性，通过对闪存中目标块的同一位置至少两次写入不同的数据，从物理层面干扰闪存浮栅极自由电子数量，引起闪存内部数据错误，...
    2026-01-13
  • 快闪存储器控制器、使用于快闪存储器控制器的方法以及快闪存储器装置
    快闪存储器控制器、使用于快闪存储器控制器的方法以及快闪存储器装置_慧荣科技股份有限公司_202411527740.0
    本发明涉及一种快闪存储器控制器的方法包括：启动特征地址的设定；对于设定特征操作所相应之参数数据进行错误更正保护运算操作来产生检查位元；产生并传送设定特征信号，设定特征信号依序包含有设定特征命令、特征地址、该参数数据及检查位元；以及轮询快闪存...
    2026-01-13
  • 固态盘纠错方法、装置、系统及存储介质
    固态盘纠错方法、装置、系统及存储介质_济南迈威智能科技有限公司_202511235884.3
    本申请公开了固态盘纠错方法、装置、系统及存储介质，涉及计算机技术领域，本申请将读取数据过程中的比特错误率与动态补偿条件比较，若比特错误率符合动态补偿条件，基于比特错误率对读取电压阈值进行动态电压补偿，得到调整后的读取电压阈值重新读取数据，更...
    2026-01-13
  • 包括ECC电路的存储器及存储器的操作方法
    包括ECC电路的存储器及存储器的操作方法_爱思开海力士有限公司_202411725016.9
    本公开涉及包括ECC电路的存储器及存储器的操作方法。一种存储器包括：第一ECC解码器电路，被配置为通过利用具有多个比特位的第一数据、具有一个或更多个比特位的第二数据和第一奇偶校验位来纠正第一数据和第二数据的错误并生成第一纠错结果；第二ECC...
    2026-01-13
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