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最新专利技术
  • 电路板及电子设备
    电路板及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202480041160.2
    本申请涉及电子设备技术领域，公开了一种电路板及电子设备。电子设备包括电路板、转轴机构、第一主体和第二主体。第一主体与第二主体通过转轴机构的连接组件转动连接，并能够绕沿第一方向延伸的轴线相对转动。电路板包括依次连接的第一延伸段、连接段和第二延...
    2026-01-30
  • 助焊剂残渣除去用清洗剂组合物
    助焊剂残渣除去用清洗剂组合物_花王株式会社_202480042565.8
    在一个方式中，本发明提供一种抑制金属腐蚀及对有机覆膜的损害，且助焊剂残渣除去性优异的助焊剂残渣除去用清洗剂组合物。在一个方式中，本发明涉及一种助焊剂残渣除去用清洗剂组合物，其包含下述式(I)所表示的化合物(成分A)、苯并三唑衍生物(成分B)...
    2026-01-30
  • 电子零件搭载基板及其制造方法、电子零件被覆片及层叠片
    电子零件搭载基板及其制造方法、电子零件被覆片及层叠片_爱天思株式会社_202480043024.7
    本发明提供一种能够形成品质优良的被覆层的电子零件被覆片，所述被覆层可改善皱褶的产生、破裂，并且能够抑制被覆位置的偏移，以及具有被覆层的电子零件搭载基板及其制造方法。TOM成型用等的电子零件被覆片(4)用于形成包括基板(1)、电子零件(2)和...
    2026-01-30
  • 助焊剂涂布状态检查装置和助焊剂涂布状态检查方法
    助焊剂涂布状态检查装置和助焊剂涂布状态检查方法_CKD株式会社_202480041583.4
    提供一种助焊剂涂布状态检查装置等，其能够在以相对简单的处理设定检查区域的同时，获得良好的检查精度。助焊剂涂布状态检查装置(12)包括：照射装置(321)，对基板照射紫外光；相机(322)，对照射到基板上的紫外光进行拍摄；检查区域设定部(33...
    2026-01-30
  • 配线基板
    配线基板_株式会社力森诺科_202480042496.0
    一种配线基板，具备：导体配线；绝缘层，具有与所述导体配线的表面密接的第1主表面和位于所述第1主表面的相反侧的第2主表面；磁性层，位于所述绝缘层的所述第2主表面侧；及导体层，位于所述磁性层的与所述绝缘层相反的一侧，其中，所述表面或所述第1主表...
    2026-01-30
  • 具有改进结构的电子的功率组件
    具有改进结构的电子的功率组件_西门子股份公司_202480043047.8
    一种电子的功率组件，该功率组件尤其能够构造为转换器单元，该功率组件具有印刷电路板(1)，该印刷电路板具有用于传输功率电流的导体线路(2)。该功率组件还具有布置在该印刷电路板(1)之上的附加单元(5)，该附加单元具有面向该印刷电路板(1)的下...
    2026-01-30
  • 均温板、散热器及电子设备
    均温板、散热器及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202480040355.5
    本申请公开了一种均温板、散热器及电子设备，该均温板包括第一基板、第二基板以及毛细层。第二基板与第一基板层叠设置并围合形成有腔体，腔体中设置有冷却介质。毛细层设置于腔体中且用于为冷却介质提供回流的毛细力。第一基板设置有向第二基板方向凹陷的凹陷...
    2026-01-30
  • 包括热界面材料的印刷电路板结构和包括其的电子装置
    包括热界面材料的印刷电路板结构和包括其的电子装置_三星电子株式会社_202480042059.9
    根据一个实施方式的印刷电路板(PCB)(200)可以包括：第一印刷电路板(210)；中介层(230)；第二印刷电路板(220)；屏蔽结构(240)；以及引导件(250)，设置在第一印刷电路板上，并且将填充在第一内部空间(S1)的热界面材料的...
    2026-01-30
  • 散热器和电子设备
    散热器和电子设备_JVC建伍株式会社_202480043187.5
    本发明可提高冷却效率。散热器(1)包括：基座(2)，其板状的一个面(21a)沿着电子设备(101)的主体部(102)的立壁部即右板(102f)的外表面安装；多个翅片(3)，该多个翅片(3)沿着基座(2)的板状的另一个面(21b)并列设置；以...
    2026-01-30
  • 包括用于电子组件的屏蔽结构的电子装置
    包括用于电子组件的屏蔽结构的电子装置_三星电子株式会社_202480042532.3
    根据实施例的一种电子装置可包括：电子组件；和屏蔽罩，包括面向所述电子组件的开口。所述电子装置可以包括：屏蔽结构，在所述屏蔽罩上并覆盖所述开口；以及导热构件，被附接到所述电子组件，通过所述开口与所述屏蔽结构接触，并且位于所述电子组件与所述屏蔽...
    2026-01-30
  • 对基板作业机及支撑部件的配置变更方法
    对基板作业机及支撑部件的配置变更方法_株式会社富士_202380099678.7
    对基板作业机具备：支撑板，具有第一载置面，该第一载置面载置从下方支撑基板的支撑部件；收容部，在第一载置面上开口，能够在比第一载置面靠下方的位置收容支撑部件；及罩部件，设置为能够相对于收容部的开口进行开闭，且具有在关闭状态下载置支撑部件的第二...
    2026-01-30
  • 存储器件
    存储器件_长江存储科技有限责任公司_202480003306.4
    本公开提供了一种存储器件，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高存储器件的存储密度。该存储器件，包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构、第一连接结构和位线。第一堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个第一栅极层和多个第一介质层。第二堆叠结构包括沿第一方...
    2026-01-30
  • 单多晶结构的嵌入式闪存元件、其制造方法及利用其的神经形态硬件元件
    单多晶结构的嵌入式闪存元件、其制造方法及利用其的神经形态硬件元件_首尔大学校产学协力团_202480004087.1
    根据本申请的实施例，提供单多晶结构的嵌入式闪存元件、其制造方法及利用其的神经形态硬件元件。所述嵌入式闪存元件可以包括多个单位存储单元，所述单位存储单元包括：耦合晶体管，包括源极区、漏极区及浮栅极区，所述源极区、漏极区与字线相连接；以及读出晶...
    2026-01-30
  • 三维存储器装置及其制造方法
    三维存储器装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202480001386.X
    公开了三维(3D)存储器装置及其制造方法。在某些方面，所公开的3D存储器装置可以包括多个存储器区域，每个存储器区域包括存储器堆叠体和垂直延伸穿过所述存储器堆叠体的多个沟道结构；间隔物区域，所述间隔物区域在所述多个存储器区域之间，包括位于相邻...
    2026-01-30
  • 平铺式计算和可编程逻辑阵列
    平铺式计算和可编程逻辑阵列_赛灵思公司_202480040566.9
    本文中的示例描述了一种三维(3D)管芯堆叠件。3D管芯堆叠件包括可编程逻辑(PL)管芯和堆叠在PL管芯的顶部上的计算管芯。PL管芯包括多个可配置块和在PL管芯的顶侧上的多个第一电连接部。计算管芯包括多个数据处理引擎和在计算管芯的底侧上的多个...
    2026-01-30
  • 高带宽三维(3D)管芯堆叠件
    高带宽三维(3D)管芯堆叠件_赛灵思公司_202480041600.4
    本文中的示例描述用于产生三维(3D)管芯堆叠件的技术。这些技术包括将第一管芯堆叠在第二管芯的顶部上。第一管芯在x方向和y方向中的至少一者上从第二管芯偏移，并且第一管芯的第一布线子区域与第二管芯的第二布线子区域对准。这些技术进一步包括将第三管...
    2026-01-30
  • 使用晶圆上芯片技术构建多管芯FPGA
    使用晶圆上芯片技术构建多管芯FPGA_赛灵思公司_202480041606.1
    本文的实施方案描述了使用晶圆上芯片(CoW)技术来构建多管芯现场可编程门阵列(FPGA)的技术。在实施方案中，FPGA小芯片(即，管芯)和中介层衬底包括相应的混合键合连接器。中介层衬底的金属层被图案化以经由混合键合连接器在多个管芯之间提供管...
    2026-01-30
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202380099562.3
    半导体装置具备：基板；氮化镓层，设置于基板的非极性面上，具有在与c轴方向平行的第一方向上位于相互分离的位置且在与第一方向正交的第二方向上延伸的多个鳍部；电子供给层，设置于鳍部的Ga面；基底电极，在第二方向上位于源极叉指部与漏极叉指部之间，在...
    2026-01-30
  • 碳化硅半导体装置
    碳化硅半导体装置_富士电机株式会社_202480043331.5
    在p型基区(3)和n‑‑型漂移区(2)之间，在比沟槽的底面更深的位置分别选择性地设置有电场缓和用的第一、第二p++型区(21、22)和n型电流扩散区(23)。在彼此相邻的沟槽间的第二p++型区(22)与n‑‑型漂移区(2)之间，以与这些区域...
    2026-01-30
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480039849.1
    提供一种占有面积小的半导体装置。半导体制造包括纵向晶体管、TGSA型晶体管、第一绝缘层以及第二绝缘层。两个晶体管都包括以夹持半导体层的方式设置的两个栅电极(栅电极及背栅电极)。第一绝缘层位于纵向晶体管的源电极和漏电极中的一个与背栅电极之间，...
    2026-01-30
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