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最新专利技术
  • 存储器件
    存储器件_铠侠股份有限公司_202510276182.3
    本实施方式的存储器件抑制存储器件的不良。实施方式的存储器件(1)包括贴合第1芯片(20)的第2芯片(10)，第2芯片包括：层叠体(900)，包括在与芯片表面垂直的第1方向排列的多个导电层(103)；层叠体上方的半导体层(101a)；第1接触...
    2026-03-24
  • 存储器装置和该存储器装置的制造方法
    存储器装置和该存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510415219.6
    提供一种存储器装置和该存储器装置的制造方法。根据本公开的实施方式的一种存储器装置包括：层叠结构，其包括在第一方向上彼此间隔开的导电层；单元插塞，其在层叠结构中在第一方向上延伸；以及气隙，其限定在导电层之间，其中，气隙朝向单元插塞延伸越过导电...
    2026-03-24
  • 垂直非易失性存储器器件
    垂直非易失性存储器器件_三星电子株式会社_202510657147.6
    一种垂直非易失性存储器器件包括垂直沟道结构、在水平方向上延伸同时围绕垂直沟道结构并且在垂直方向上彼此分开的第一栅极线、在第一栅极线上沿水平方向延伸的第二栅极线、在第二栅极线上沿水平方向延伸的第一半导体线、通过穿过第一半导体线和第二栅极线连接...
    2026-03-24
  • 存储器阵列和用于形成存储器电路系统的方法
    存储器阵列和用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202511289205.0
    本公开涉及存储器阵列和用于形成存储器电路系统的方法。本发明提供一种存储器阵列，包括堆叠，其包括竖直交替的绝缘层和导电层。沟道材料串延伸穿过绝缘层和导电层，且排列成集合在水平X方向及Y方向上彼此间隔开。在集合中的个别者中的沟道材料串排列成群组...
    2026-03-24
  • 具有电感器的半导体存储器装置
    具有电感器的半导体存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510287851.7
    本申请公开一种具有电感器的半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：衬底；外围结构，包括竖直堆叠在衬底上的多个下部布线层；存储器结构，设置在外围结构上，并且在第一区域中包括存储器单元阵列；输入/输出焊盘，在第二区域中设置在存储器结构的上方；以...
    2026-03-24
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511112286.7
    一种半导体器件，可以包括：衬底；导电线路，该导电线路在第一水平方向彼此间隔开，该导电线路沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸；至少一个栅电极，该至少一个栅电极在第一水平方向上位于导电线路之间，该至少一个栅电极沿垂直方向延伸；沟道层，该沟道...
    2026-03-24
  • 半导体器件及其制造方法、电子装置
    半导体器件及其制造方法、电子装置_无锡华润微电子有限公司_202411251945.0
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的晶体管；位于所述衬底上并覆盖所述晶体管的介电层；位于所述介电层上的金属化合物层；覆盖所述金属化合物层的第一电极层，以及位于所述第一电极层上的电容介质层和第...
    2026-03-24
  • 半导体器件及其制造方法、电子装置
    半导体器件及其制造方法、电子装置_无锡华润微电子有限公司_202411252222.2
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、电子装置，半导体器件的制造方法包括：提供衬底，衬底上形成有晶体管；形成覆盖晶体管的介电层；在介电层中形成通孔；在通孔中填充金属材料层，并回蚀刻金属材料层以在通孔的底部形成金属层；在介电层上、金属层上和...
    2026-03-24
  • 存储器及其制备方法
    存储器及其制备方法_深圳市章阁仪器有限公司_202511816698.9
    本公开提供了一种存储器及其制备方法，包括：步骤S1、提供基底，基底包括衬底、第一堆叠层以及第二堆叠层，第一堆叠层包括多层层叠的第一牺牲层和位于相邻两第一牺牲层之间的第一隔离层，第二堆叠层包括层叠的两层第二隔离层以及位于两第二隔离层之间的第二...
    2026-03-24
  • 半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统
    半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统_三星电子株式会社_202510720349.0
    提供了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置包括：衬底；堆叠结构，其包括在衬底上在竖直方向上交替地堆叠的层间绝缘层和水平电极；竖直柱，其与衬底间隔开并且设置在穿过堆叠结构的孔中；以及突出部分，其设置在竖直柱与水平电极之间，并且在竖直...
    2026-03-24
  • 一种电化学随机存取存储器
    一种电化学随机存取存储器_伊诺菲(苏州)科技有限公司_202610027958.2
    本发明涉及存储器领域，提供一种电化学随机存取存储器，包括若干个存储器单元；若干个所述存储器单元均与读字线以及写字线连通；每个所述存储器单元包括一个NV‑FET晶体管和一个MOSFET晶体管，所述NV‑FET晶体管和所述MOSFET晶体管串联...
    2026-03-24
  • 存储器及其形成方法
    存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511752514.7
    本申请公开了一种存储器及其形成方法，其中存储器包括第一导电层和第二导电，第一导电层包括至少一个第一导电结构，第一导电结构包括朝向第二导电层的第一端面和平行于第一端面的第一截面，第一端面的尺寸小于第一截面的尺寸；第二导电层包括多个第二导电结构...
    2026-03-24
  • 堆叠式半导体装置及其操作方法
    堆叠式半导体装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510438856.5
    本公开涉及堆叠式半导体装置及其操作方法。一种堆叠式存储装置包括基础芯片、堆叠在基础芯片之上的第一分片芯片和堆叠在第一分片芯片之上的第二分片芯片。基础芯片包括分片控制电路，该分片控制电路被配置为控制第一分片芯片和第二分片芯片，使得当刷新第一分...
    2026-03-24
  • 半导体封装及其形成方法
    半导体封装及其形成方法_三星电子株式会社_202510624697.8
    半导体封装包括衬底、设置在衬底上的第一半导体管芯、堆叠在第一半导体管芯上并在彼此垂直的第一方向和第二方向上从第一半导体管芯偏移的第二半导体管芯、以及堆叠在第一半导体管芯和第二半导体管芯上并在第一方向上从第一半导体管芯和第二半导体管芯偏移的第...
    2026-03-24
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510788619.1
    提供一种防止用于堆叠多个半导体芯片的键合材料的意外突出并且具有高可靠性的半导体装置。根据一个实施方案，半导体装置包括基板，该基板包括第一表面和在第一表面中的凹部。第一半导体芯片布置在凹部的底表面上。第一绝缘材料填充在凹部中并且覆盖第一半导体...
    2026-03-24
  • 一种3D集成电路器件
    一种3D集成电路器件_IMEC非营利协会_202511237468.7
    在一方面，提供了一种3D IC器件，包括：包括全局VDD电压节点和全局VSS电压节点的封装布线平面；被布置在该封装布线平面上并包括堆叠在彼此之上的多个堆叠式管芯的管芯堆叠；被布置在该管芯堆叠中的顶部堆叠式管芯顶上的金属互连层；以及垂直延伸穿...
    2026-03-24
  • 制备多晶硅电阻的方法和制备出的多晶硅电阻
    制备多晶硅电阻的方法和制备出的多晶硅电阻_成都新紫光半导体科技有限公司_202411261849.4
    本公开涉及制备多晶硅电阻的方法和制备出的多晶硅电阻，该方法包括以下步骤：S1、在衬底上形成多晶硅层；S2、对所述多晶硅层进行第一离子注入，注入离子为硼，得到第一离子注入的多晶硅层；S3、对所述第一离子注入的多晶硅层进行第二离子注入，注入离子...
    2026-03-24
  • 半导体结构、制备方法和晶圆
    半导体结构、制备方法和晶圆_北京电控集成电路制造有限责任公司_202511821574.X
    本发明涉及半导体器件制造领域，具体提供一种半导体结构、制备方法和晶圆，本发明半导体结构包括：衬底；外延层，位于所述衬底上并且具有第一掺杂类型；第一绝缘层，位于所述外延层上；第二绝缘层，位于所述外延层上；第一开槽和第二开槽，位于所述第二绝缘层...
    2026-03-24
  • 电容器结构和包括电容器结构的电容器阵列和电子装置
    电容器结构和包括电容器结构的电容器阵列和电子装置_三星电子株式会社_202511108167.4
    提供了电容器结构、电容器阵列和电子装置。电容器结构包括半导体基底、第一阱、第二阱、第一电极、第二电极、第一扼流圈阻抗元件和第二扼流圈阻抗元件。半导体基底包括具有第一导电类型的外阱。第一阱设置在外阱中并且具有第二导电类型。第二阱设置在第一阱中...
    2026-03-24
  • 一种柔性复合钝化层的无铅GPP二极管芯片
    一种柔性复合钝化层的无铅GPP二极管芯片_济南晶恒电子有限责任公司_202511886167.7
    本申请涉及一种柔性复合钝化层的无铅GPP二极管芯片，属于半导体技术领域，具体包括：单晶硅芯片、玻璃层、聚酰亚胺膜层和镍金层，所述玻璃层钝化在单晶硅芯片的两侧，所述聚酰亚胺层钝化在玻璃层上，所述镍金层分别与单晶硅芯片的正面和背面连接。本申请采...
    2026-03-24
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