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  • 本申请提供了一种显示面板及其制备方法和显示装置。该显示面板包括:衬底层,衬底层包括沿第一方向依次设置的显示区、切割道区和开孔区;设置于衬底层的一侧,第二平坦层和第一平坦层在第二方向上依次设置,第二方向垂直于第一方向;其中,第二平坦层至少位于...
  • 本申请实施例提供一种显示面板、显示面板的制造方法及显示装置,显示面板包括基板、像素定义层、第一电极层和功能层;像素定义层设置于基板一侧,包括像素限定部和像素限定部合围形成的多个限定开口,限定开口包括像素开口和与像素开口相邻的感光开口;第一电...
  • 本发明公开一种发光器件、显示面板和显示装置,器件包括:层叠设置的第一空穴注入层、第一发光层、第一空穴阻挡层、第一电子注入层;所述第一发光层中包括主体材料和客体材料;所述第一空穴阻挡层的空穴阻挡材料满足:T1(HBM)<T1(Guest);|...
  • 本发明属于有机电致发光技术领域,具体涉及一种有机电致发光器件。本发明提供的有机电致发光器件的发光层选用两种主体材料,分别是式(I)所示的第一化合物和式(II)或式(III)所示的第二化合物,二者搭配使用,使发光层具有恰当的HOMO能级和LU...
  • 本公开提供了一种光电感应基板及光电感应器件,应用于光电器件技术领域,旨在降低光电感应基板的电阻电容负载,包括:衬底基板,衬底基板包括显示区以及围绕显示区部分或全部边缘的非显示区;像素电极,位于显示区;第一导电层,与像素电极同层设置;第一电极...
  • 本发明公开一种钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池可包括:晶硅底电池、透明导电氧化物薄膜以及钙钛矿顶电池,透明导电氧化物薄膜设置于晶硅底电池与钙钛矿顶电池之间,透明导电氧化物薄膜朝向钙钛矿顶电池的主表面上分布...
  • 本发明提供了一种可拉伸近红外有机光电探测器及其制备方法,涉及光电探测器技术领域,自下而上依次包括可拉伸透明基底、底部可拉伸透明阳极层、空穴传输层、有机活性层、电子传输层、顶部可拉伸阴极层;所述底部可拉伸透明阳极层材料包括导电聚合物溶液PED...
  • 本发明涉及光伏技术领域,具体公开了一种基于高粘度熔融硒(Se)的双面太阳能电池及其制备方法。针对现有技术中依赖磁控溅射工艺导致的设备复杂、成本高昂及功能层损伤等问题,本发明提出创新性解决方案:采用高粘度熔融硒作为光伏吸收层与粘合剂,将两个预...
  • 本发明公开了基于高In组分热分解超晶格层的GaN基LED,是在蓝宝石衬底上从下至上依次沉积有:u‑GaN层,n‑GaN层,高In组分热分解超晶格层,中温GaN修复层,高温GaN分解层,量子阱层,p‑GaN层,p+‑Ga...
  • 本发明提供了一种光伏电池及光伏组件,其中光伏电池包括衬底、第一隧穿层、第一掺杂硅层、第一钝化层和背面金属栅线,该衬底包括衬底正面和衬底背面,第一隧穿层设置在衬底背面,且第一隧穿层表面包括第一区域和第二区域,第一掺杂硅层设置在第一区域,第一掺...
  • 本发明提供了一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池,其中钝化接触结构包括硅衬底,在硅衬底一表面远离硅衬底方向依次具有缓冲层、钝化介质层和覆盖层,其中缓冲层的材质为氧化硅、氧化铝和掺杂氧化铝中的一种或多种,钝化介质层的材质为氧化锌和掺杂氧化...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供了一种太阳电池、电池组件及光伏系统,该太阳电池包括:硅基底,硅基底包括第一区域和第二区域,第一区域内设置P型多晶硅层,第二区域内设置N型多晶硅层;P型多晶硅层包括若干P型晶粒,相邻的P型晶粒之间具有第一晶界,N...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供了一种太阳电池、电池组件及光伏系统,该太阳电池包括:硅基底,硅基底包括第一区域和第二区域,第一区域内设置P型多晶硅层,第二区域内设置N型多晶硅层;P型多晶硅层包括若干P型晶粒,N型多晶硅层包括若干N型晶粒,第一...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供了一种太阳电池、电池组件及光伏系统,该太阳电池包括:硅基底,硅基底包括第一区域和第二区域,第一区域内设置P型多晶硅层,第二区域内设置N型多晶硅层;P型多晶硅层包括若干P型晶粒,N型多晶硅层包括若干N型晶粒,P型...
  • 本发明适用于光伏技术领域,提供了一种太阳电池、电池组件及光伏系统,该太阳电池包括:硅基底,硅基底包括第一区域和第二区域,第一区域内设置P型多晶硅层,第二区域内设置N型多晶硅层;P型多晶硅层包括若干P型晶粒,N型多晶硅层包括若干N型晶粒,第一...
  • 本申请提供了一种太阳能电池的制造方法,涉及光伏技术领域。本申请通过在磷扩散工艺的降温处理过程中向扩散腔室内通入氧气和磷源,并控制所述氧气的流量为500‑1500sscm,所述磷源的流量为100‑1000sscm,然后使用激光照射至少部分区域...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种硼扩散方法、太阳能电池及其制备方法和光伏组件。本申请旨在解决现有硼扩散方法因扩散均匀性不佳,导致方阻的一致性较差,从而影响太阳能电池的光电转换效率的问题。为此目的,本申请的硼扩散方法包括在硅片的一面...
  • 一种背接触电池的电极金属化方法,属于太阳电池技术领域,其特征在于:在背接触电池的背面印刷点状银浆并烘干烧结固化;在银浆上方印刷锡膏并烘干;在两锡膏间印刷胶水;将印刷有锡膏和胶水的背接触电池铺设在金属箔上,使金属箔与背接触电池紧密贴合;加热使...
  • 本发明涉及红外光电器件领域,特别是一种级联降噪平面型雪崩光电二极管,在衬底和帽层之间包含级联倍增区。在级联倍增区中形成PN结,且该PN结是平面型PN结。本发明还包含级联降噪平面型雪崩光电二极管的制备方法。本发明对线性雪崩光电二极管结构进行改...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其电极制备方法,涉及太阳能电池制造技术领域,该方法的具体实施包括:在电池载体的至少一侧主表面上制备间隔排列的多个导电位点;将设置有可焊性金属的导电条放置在导电位点上;其中,可焊性金属与导电位点接触;将导电条和电池...
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