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最新专利技术
  • 盖板组件、电池及用电装置
    盖板组件、电池及用电装置_蜂巢能源科技股份有限公司_202510568742.2
    本申请提供了盖板组件、电池及用电装置，盖板本体具有贯穿其厚度方向的安装孔；电极端子设于安装孔，电极端子的第一连接部设于盖板本体的一侧并覆盖安装孔，第二连接部穿过安装孔朝盖板本体的另一侧延伸；连接件设于盖板本体相对于第一连接部的另一侧，第二连...
    2025-12-26
  • 盖板组件、电池及用电装置
    盖板组件、电池及用电装置_蜂巢能源科技股份有限公司_202510568661.2
    本申请提供了一种盖板组件、电池及用电装置，涉及电池技术领域，该盖板组件包括盖板本体、第一绝缘件和端子组件，盖板本体具有第一表面和第二表面及安装孔；第一绝缘件设于盖板本体的一侧；端子组件包括电极端子、密封件和固定件，电极端子包括第一电连接部和...
    2025-12-26
  • 盖板组件、电池及用电装置
    盖板组件、电池及用电装置_蜂巢能源科技股份有限公司_202510568654.2
    本申请提供了盖板组件、电池及用电装置，盖板组件包括盖板本体、电极端子、连接件、第一绝缘件和支撑件，其中，盖板本体沿其厚度方向设置有安装孔；电极端子设于安装孔；连接件围绕安装孔套设于电极端子并与电极端子相连接；第一绝缘件设于连接件和盖板本体之...
    2025-12-26
  • 盖板组件、电芯及电池
    盖板组件、电芯及电池_蜂巢能源科技股份有限公司_202510568651.9
    本申请提供了盖板组件、电芯及电池，其中，盖板组件包括盖板本体、电极端子、第一连接件、第二连接件、保护件，盖板本体具有贯穿其厚度方向的安装孔；电极端子安装至安装孔；第一连接件围绕安装孔套设于电极端子并与电极端子相连接；第二连接件设于第一连接件...
    2025-12-26
  • 一种电池及用电装置
    一种电池及用电装置_江苏正力新能电池技术股份有限公司_202510570700.2
    本发明公开了一种电池及用电装置，所述电池包括换热顶板及多个电池单体；所述电池单体包括电芯及分别设置于所述电芯顶部的防爆阀和两个极柱；所述换热顶板设置于多个所述电池单体的顶部，所述换热顶板内具有换热流道，所述换热流道包括至少一条第一流道和至少...
    2025-12-26
  • 一种基于闭环补偿的叠片动态纠偏方法和装置
    一种基于闭环补偿的叠片动态纠偏方法和装置_广东利元亨智能装备股份有限公司_202510568462.1
    本发明公开了一种基于闭环补偿的叠片动态纠偏方法和装置，方法包括当将隔膜叠放至第一片状元件上时，按照获取的第一边缘图像内的第一间隔信息，计算第一片状元件与隔膜的第一偏移量；若第一偏移量处于正常范围，则将第二片状元件叠放至隔膜上，并按照获取的第...
    2025-12-26
  • 基于胶框覆合的制芯方法、设备及固态电池生产线
    基于胶框覆合的制芯方法、设备及固态电池生产线_广东利元亨智能装备股份有限公司_202510568626.0
    本发明公开一种基于胶框覆合的制芯方法、设备及固态电池生产线，涉及固态电池制造技术领域；在第一极片或第二极片覆合环形的电绝缘膜；在第一极片或带电绝缘膜的第一极片形成胶框，以使胶框的外周沿位于第一极片的周沿内侧或平齐于第一极片的周沿；将带电绝缘...
    2025-12-26
  • 非水电解液及锂离子电池
    非水电解液及锂离子电池_珠海市赛纬电子材料股份有限公司_202510564129.3
    本发明公开了一种非水电解液及锂离子电池，其中非水电解液包括锂盐、非水有机溶剂和添加剂，添加剂包括式1所示的化合物A和式2所示的化合物B：
    2025-12-26
  • 硅基负极非水电解液及锂离子电池
    硅基负极非水电解液及锂离子电池_珠海市赛纬电子材料股份有限公司_202510564128.9
    本发明公开了一种硅基负极非水电解液及锂离子电池，其中硅基负极非水电解液包括锂盐、非水有机溶剂和添加剂，添加剂包括化合物A和式2所示的化合物B，化合物A包括化合物A1和式1所示的化合物A2中的至少一种， 2025-12-26
  • 管式氨燃料电池及其催化剂层的制备方法
    管式氨燃料电池及其催化剂层的制备方法_广东工业大学_202510559085.5
    本发明涉及管式氨燃料电池及其催化剂层制备方法，包括电解质管、阴极层、阳极层及催化剂层；电解质管材料是钡锆铈钇镱，电解质管的厚度是270μm‑350μm，电解质管致密度在95%以上，电解质管长度约为54mm‑60mm；阴极层位于电解质管的外壁...
    2025-12-26
  • 一种FeF3/Ag@C纳米复合材料及其制备方法和应用
    一种FeF<Sub>3</Sub>/Ag@C纳米复合材料及其制备方法和应用_山东欧蓝素汽车环保科技有限公司_202510568012.2
    本发明涉及离子电池技术领域，具体是一种FeF3/Ag@C纳米复合材料及其制备方法和应用，纳米复合材料，包括FeF3和其上附着的由C包裹的Ag颗粒，其中，C为热解炭，块状FeF3
    2025-12-26
  • 一种元素协同作用的正极材料及其制备方法
    一种元素协同作用的正极材料及其制备方法_青海泰丰先行锂能科技有限公司_202510565088.X
    本发明公开了一种元素协同作用的正极材料及其制备方法，属于锂离子电池电极材料领域。本发明为解决现有掺杂型Co包覆体系缺乏精细设计、循环稳定性差及容量受限的技术问题，主要采用镧系等多种离子协同掺杂，并构建掺杂型Co包覆结构与钴酸锂本体掺杂的复合...
    2025-12-26
  • 一种掺杂包覆型富锂锰基正极材料及其制备方法和应用
    一种掺杂包覆型富锂锰基正极材料及其制备方法和应用_荆门市格林美新材料有限公司_202510562053.0
    本发明提供了一种掺杂包覆型富锂锰基正极材料及其制备方法和应用，所述掺杂包覆型富锂锰基正极材料包括掺杂型富锂锰基内核和设置于所述掺杂型富锂锰基内核表面的氧化铈包覆层；所述掺杂型富锂锰基内核包括富锂锰基主体材料和掺杂元素，所述掺杂元素包括镁元素...
    2025-12-26
  • 一种超高导热多层陶瓷基板结构及制备方法
    一种超高导热多层陶瓷基板结构及制备方法_江苏富乐华半导体科技股份有限公司_202510567959.1
    本发明提供了应用于半导体技术领域的一种超高导热多层陶瓷基板结构及制备方法，通过图形转移处理，将双面覆铝陶瓷基板及单面覆铝陶瓷基板进行贴膜、曝光处理，随后通过化学蚀刻将双面覆铝陶瓷基板蚀刻出芯片焊接层及流道层，将单面覆铝陶瓷基板蚀刻出供水层，...
    2025-12-26
  • 一种集成电路用防反二极管
    一种集成电路用防反二极管_浙江柳晶整流器有限公司_202510560037.8
    本发明提供一种集成电路用防反二极管，涉及二极管技术领域，包括防反二极管底座，防反二极管底座上端部开设有安装槽，安装槽内部对称开设有第一插槽，防反二极管底座上端部开设有第一内槽，第一内槽和第一插槽相连通，防反二极管底座上端部固定安装有散热机构...
    2025-12-26
  • 一种提高平行封焊成品率的封装结构及封装方法
    一种提高平行封焊成品率的封装结构及封装方法_中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)_202510567831.5
    本发明公开了一种提高平行封焊成品率的封装结构及封装方法，包括底座，底座上安装有封接环，封接环上安装有盖板，封接环上设有平面封接面，盖板下端面设有多个纵向封接面，多个纵向封接面远离封接环的一端均连接在平面封接面上，相邻两个纵向封接面和平面封接...
    2025-12-26
  • 一种应用于晶体芯片的高精度自动上料分选设备
    一种应用于晶体芯片的高精度自动上料分选设备_深圳市优界科技有限公司_202510569245.4
    本发明提供一种应用于晶体芯片的高精度自动上料分选设备，包括底座、储料机构、搬运机构、取料机构、顶针机构和分选载台，分选载台设置在底座的一端，与分选载台相对设置的储料机构贯穿底座的另一端设置，取料机构设置在分选载台上且位于分选载台与储料机构之...
    2025-12-26
  • 一种兼顾不同类型晶体芯片的多圈分选载台
    一种兼顾不同类型晶体芯片的多圈分选载台_深圳市优界科技有限公司_202510569244.X
    本发明提供一种兼顾不同类型晶体芯片的多圈分选载台，通过横向传动组件在X轴方向上移动，同时通过纵向传动组件在Y轴方向上移动，然后通过驱动组件一转动带动升降外环升降，进而带动夹环组件升降，调节夹环组件的高度与铁环相匹配后，通过驱动组件二带动旋转...
    2025-12-26
  • 一种可走线玻璃芯结构的制备方法
    一种可走线玻璃芯结构的制备方法_成都奕成集成电路有限公司_202510567957.2
    本发明公开了一种可走线玻璃芯结构的制备方法，涉及芯片领域，包括S1、在两个玻璃芯上制造贯穿的玻璃通孔，并对其中一个进行开槽；S2、在玻璃通孔镀一层种子层；S3、制作相应的线路图形；S4、玻璃通孔内会制作电镀线路；S5、玻璃芯的第一端用键合工...
    2025-12-26
  • 半导体芯片的制造方法
    半导体芯片的制造方法_上海积塔半导体有限公司_202510575628.2
    本申请涉及一种半导体芯片的制造方法。该半导体结构的制造方法包括：提供晶圆；所述晶圆包括含碳衬底；所述含碳衬底的正面形成有多个半导体器件。于所述含碳衬底的正面形成阻挡薄膜；所述阻挡薄膜至少覆盖各所述半导体器件以及所述含碳衬底的正面。于所述含碳...
    2025-12-26
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