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最新专利技术
  • 一种微量RNA修饰检测的通用建库方法及在RNA修饰检测的应用
    一种微量RNA修饰检测的通用建库方法及在RNA修饰检测的应用_复旦大学附属肿瘤医院_202410438041.2
    本发明涉及一种微量RNA修饰检测的通用建库方法及在RNA修饰检测的应用， 包括：S1、收集去除核糖体RNA的RNA样本；S2、将RNA样本末端修复；S3、以S2中RNA链为模板， 反转录成第一cDNA链， 合成第二cDNA链， 水解模板；S...
    2025-12-12
  • 籽晶贴片机
    籽晶贴片机_拓思精工科技(苏州)有限公司_202510951106.8
    本申请公开了一种籽晶贴片机， 属于籽晶贴片技术领域。所述籽晶贴片机通过多个功能部件、取片机械臂、晶片贴片部件和石墨纸搬运机械臂的配合作用下， 实现了对碳化硅籽晶的贴片操作， 无需人工操作， 极大地降低了工人的劳动强度， 减少了人力的消耗， ...
    2025-12-12
  • 一种锆-帕莫酸四面体笼及其手性拆分方法
    一种锆-帕莫酸四面体笼及其手性拆分方法_中国科学院福建物质结构研究所_202410434471.7
    本发明提供了一种锆‑帕莫酸四面体笼(Zr4L6)的手性拆分方法。该合成工艺污染少， 符合绿色环保要求。采用该拆分方法得到的手性Zr4L6(S， Λ)和Zr4L6(R， Δ)晶态物属于共晶化合物， 结构中分别只有单一构型的ΛΛΛΛ‑[Zr4L...
    2025-12-12
  • 一种调控碳化硅晶体生长速率的充气方法及相关装置
    一种调控碳化硅晶体生长速率的充气方法及相关装置_江苏天科合达半导体有限公司_202511275993.8
    本申请公开了一种调控碳化硅晶体生长速率的充气方法及相关装置， 涉及半导体技术领域， 包括：基于称重传感器获取碳化硅晶体生长体系的质量损失速率；将所述质量损失速率与理论损失速率进行比较， 得到偏差速率， 所述理论损失速率为当前工艺下满足生产要...
    2025-12-12
  • 碳化硅晶体生长装置
    碳化硅晶体生长装置_江苏集芯先进材料有限公司_202511168704.4
    本发明提出了一种碳化硅晶体生长装置， 涉及碳化硅晶体制造技术领域， 包括：导流筒， 导流筒位于装置主体内， 导流筒与籽晶托共同限定出朝向原料腔敞开的晶体生长腔， 籽晶托朝向晶体生长腔内的一侧设有籽晶， 导流筒包括至少两个沿周向依次分布的弧形...
    2025-12-12
  • 外延设备
    外延设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410437624.3
    本发明提供了一种外延设备， 涉及半导体制造技术领域， 为解决相关技术提供的外延设备所制造的碳化硅外延片， 厚度均匀性及掺杂浓度均匀性存在较大差异的问题而设计。该外延设备包括第一腔体、第二腔体、承载件和防护件， 第一腔体与第二腔体相对设置， ...
    2025-12-12
  • 一种光敏配体插层的溴化铅晶体材料及其制备方法与应用
    一种光敏配体插层的溴化铅晶体材料及其制备方法与应用_同济大学_202510834389.8
    本发明提供了一种光敏配体插层的溴化铅晶体材料及其制备方法与应用， 该材料的分子式为[Pb23Br31.2Cl10.8]4+[Ru(Hdcbpy)3‑]4， 晶体结构属于三方晶系， 空间群为R32， 晶体中[Pb23Br31.2Cl10.8]...
    2025-12-12
  • 一种硅部件用的晶体生长铸锭炉护板结构
    一种硅部件用的晶体生长铸锭炉护板结构_宁波硅宁半导体材料有限公司_202511205393.4
    本发明涉及晶体生长设备的技术领域， 公开了一种硅部件用的晶体生长铸锭炉护板结构， 包括上层圆形块、分离式卡接板、下层圆形块和坩埚， 所述上层圆形块为整体圆形结构。本发明通过采用上层圆形块和下层圆形块分瓣式， 既符合硅部件圆形的形状要求， 又...
    2025-12-12
  • SiC晶体生长热场装置及方法
    SiC晶体生长热场装置及方法_江苏集芯先进材料有限公司_202510945118.X
    本申请属于SiC晶体生长技术领域， 具体涉及SiC晶体生长热场装置及方法。该热场装置包括：固定保温组件， 所述固定保温组件限定出封闭的保温空间；坩埚， 设置于所述保温空间中， 所述坩埚的顶部与所述固定保温组件的顶部之间具有移动保温空间；温度...
    2025-12-12
  • 一种晶体生长实时监测方法及其监测系统与应用
    一种晶体生长实时监测方法及其监测系统与应用_北京航星机器制造有限公司_202511139945.6
    本发明公开了一种晶体生长实时监测方法， 属于晶体生长领域， 解决了现有技术中只能在晶体生长结束并降温取出晶体以后才可获知是否长成单晶， 无法对生长过程实时监测， 影响长晶成本和效率。本发明方法包括：沿垂直晶体生长高度方向发射准直白光， 准直...
    2025-12-12
  • 一种大尺寸的单晶锆钛酸铅薄膜及其应用
    一种大尺寸的单晶锆钛酸铅薄膜及其应用_聚合电光(杭州)科技有限公司_202510727020.7
    本发明的一种大尺寸的单晶锆钛酸铅薄膜及其应用， 薄膜通过以下步骤制备：S1， 溶剂热法配制PZT前驱体溶液：以铅盐为铅源， 锆/钛醇盐为金属源， 在有机溶剂中通过加热脱水、低温混合及陈化处理， 形成均一稳定的PZT前驱体溶液；S2， 制备缓...
    2025-12-12
  • 电化学反应装置及光电化学腐蚀方法
    电化学反应装置及光电化学腐蚀方法_上海集成电路材料研究院有限公司_202410435263.9
    本发明提供一种电化学反应装置， 包括环状光源和反应槽， 环状光源围绕反应槽设置， 反应槽包括槽体壁、阳极和阴极， 槽体壁界定用于容纳化学药液的容置空间；阴极嵌套设置于阳极之中以于阳极与阴极之间限定平行间隔的多个区段；槽体壁设置有可透光的窗口...
    2025-12-12
  • 一种铝合金表面图案制作工艺
    一种铝合金表面图案制作工艺_英业达(重庆)有限公司_202510856367.1
    本发明提供一种铝合金表面图案制作工艺， 属于金属表面处理技术领域。本发明为了解决在笔记本电脑外壳上采用天然皮革导致安装繁复、后期不易维护的问题， 提供一种铝合金表面图案制作工艺， 具体包括前处理、阳极氧化、掩膜、蚀刻和后处理。其中， 采用阳...
    2025-12-12
  • 一种镀镍槽高效清理工艺
    一种镀镍槽高效清理工艺_西安创联电镀有限责任公司_202511304211.9
    本发明涉及镀镍槽的技术领域， 尤其涉及一种镀镍槽高效清理工艺。本发明的技术实施方案是：一种镀镍槽高效清理装置， 包括有电机；连接板上连接有至少两个电机；每个电机输出轴均固接有一个圆筒；每个圆筒上均固接有一个绳索；所有绳索上共同固接有方形盘；...
    2025-12-12
  • 旋动式电镀装置
    旋动式电镀装置_林胜荣_202410444693.7
    一种旋动式电镀装置， 其于一具有电镀液的电镀槽内设有一呈多孔状的电镀旋筒， 电镀旋筒借一驱动装置以旋转滚动， 电镀槽内定义为一第一空间， 电镀旋筒内定义为一第二空间， 第一空间导入一阳极导电体， 以定义第一空间与第二空间之间为一外阳极区， ...
    2025-12-12
  • 电镀用阳极及其应用和硅太阳能电池栅线电镀方法
    电镀用阳极及其应用和硅太阳能电池栅线电镀方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202411037792.X
    本发明提供了一种电镀用阳极及其应用和硅太阳能电池栅线电镀方法， 涉及光伏太阳能电池的技术领域， 所述电镀用阳极包括：阳极主体；所述阳极主体靠近待镀硅片的一端设置有刀刃结构， 所述阳极主体用于与电源正极电连接；所述刀刃结构的刃厚度小于待镀栅线...
    2025-12-12
  • 一种用于铜合金工件深孔电镀银的挂具及电镀银方法
    一种用于铜合金工件深孔电镀银的挂具及电镀银方法_陕西斯瑞表面技术有限公司_202511169704.6
    本申请揭示了一种用于铜合金工件深孔电镀银的挂具及电镀银方法， 包括：所述挂具包括：阴极机构、锁紧机构和阳极机构， 其中， 所述阴极机构用于构建低阻阴极通路并对铜合金工件进行同轴定位；所述阳极机构用于在铜合金工件深孔内形成径向均匀电场；所述锁...
    2025-12-12
  • 用于航空机体深沟球轴承表面镀层的支撑装置
    用于航空机体深沟球轴承表面镀层的支撑装置_人本股份有限公司_202511328318.7
    本发明公开了一种用于航空机体深沟球轴承表面镀层的支撑装置， 包括硬质支撑件、软质密封环以及用于和内圈滚道配合的滚道密封圈， 所述软质密封环套设在硬质支撑件外周壁上， 所述硬质支撑件外周壁上设置有若干滑移槽， 所述滑移槽中滑动设置有抵触块， ...
    2025-12-12
  • 一种高压屏蔽罩一体化加工设备及加工方法
    一种高压屏蔽罩一体化加工设备及加工方法_南通诚业德精密组件有限公司_202511343813.5
    本发明公开了一种高压屏蔽罩一体化加工设备及加工方法， 包括旋转板， 所述旋转板内腔固定连接有若干弧形板， 且若干所述弧形板以旋转板圆心为中心， 呈环形阵列排列， 所述旋转板顶部圆心处有中心齿轮， 所述中心齿轮圆心处贯穿设有第一转轴， 所述中...
    2025-12-12
  • 一种基于多阳极柱独立调节的电镀模块及电镀方法
    一种基于多阳极柱独立调节的电镀模块及电镀方法_鑫巨(深圳)半导体科技有限公司_202511331545.5
    本发明提供了一种基于多阳极柱独立调节的电镀模块及电镀方法， 该电镀模块包括喷淋组件、电镀组件；喷淋组件内部设置有喷电镀液的喷射通道以及吸电镀液的吸入通道；通过同时喷射电镀液和吸入电镀液， 改善电镀液中离子的浓度， 改善生产板或晶圆镀层的均匀...
    2025-12-12
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