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最新专利技术
  • 晶圆、发光元件的检查方法、显示装置及显示装置的制造方法
    晶圆、发光元件的检查方法、显示装置及显示装置的制造方法_三星显示有限公司_202510519784.7
    提供了一种晶圆、发光元件的检查方法、显示装置及显示装置的制造方法。所述晶圆包括：基底；多个发光元件， 在基底上， 多个发光元件中的每个包括半导体堆叠体、第一接触电极和第二接触电极；多个引脚垫， 在基底上， 并且多个引脚垫中的每个包括半导体堆...
    2025-11-21
  • 显示面板、显示装置及显示面板的封装方法
    显示面板、显示装置及显示面板的封装方法_上海天马微电子有限公司_202510978331.0
    本申请公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的封装方法， 涉及显示技术领域， 该显示面板包括电路基板、位于电路基板一侧的多个LED芯片、覆盖多个LED芯片的第一胶层以及位于第一胶层背离多个LED芯片一侧的第二胶层， 覆盖多个LED芯片的第一...
    2025-11-21
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510884542.8
    本申请提供一种显示面板及显示装置， 显示面板包括衬底和沿第一方向延伸的第一类信号线， 第一类信号线包括第一部分和第二部分；第一部分位于第一金属层， 相邻第一部分之间相互断开；第二部分位于第二金属层， 第二金属层位于第一金属层远离衬底的一侧。...
    2025-11-21
  • 显示单元、制备方法及显示设备
    显示单元、制备方法及显示设备_甬江实验室_202410502442.X
    本申请公开了一种显示单元、制备方法及显示设备， 属于显示技术领域。显示单元包括：发光堆叠单元， 包括多个沿第一方向堆叠的Micro‑LED单元；驱动背板， 与发光堆叠单元相连并驱动发光堆叠单元从远离驱动背板的一侧出光， 以形成发光堆叠单元的...
    2025-11-21
  • LED像素封装体及LED像素封装体制作方法
    LED像素封装体及LED像素封装体制作方法_晶呈科技股份有限公司_202410996116.9
    本发明提供一种LED像素封装体， 包含封装基板、驱动电路裸晶、LED晶粒及电极接垫。封装基板包含凹槽。驱动电路裸晶设置于凹槽且具有裸晶顶面。LED晶粒间隔设置于正面像素区， 各LED晶粒包含出光面， 各出光面高于裸晶顶面。电极接垫间隔排列于...
    2025-11-21
  • 一种Micro LED芯片及制备方法
    一种Micro LED芯片及制备方法_镭昱光电科技(苏州)有限公司_202511349858.3
    本申请公开了一种Micro LED芯片及制备方法， 包括：驱动面板；多个LED单元， 阵列排布于所述驱动面板上；栅格结构， 围设于多个所述LED单元形成阵列排布的多个栅格孔；多个微透镜， 所述微透镜设置于所述栅格孔中， 且朝向所述LED单元...
    2025-11-21
  • 发光二极管及其制作方法
    发光二极管及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510639618.0
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法。发光二极管制作方法包括：在临时衬底上生长外延结构；将外延结构与衬底键合；在临时衬底远离外延结构的一面制作透明膜层；对透明膜层进行图形化处理， 去除透明膜层中部， 保留透明膜层位于外延结构边缘的部分， ...
    2025-11-21
  • 一种Mini LED显示屏灯板及其制备方法
    一种Mini LED显示屏灯板及其制备方法_江西兆驰晶显有限公司_202511022461.3
    本发明涉及LED显示屏的技术领域， 公开了一种Mini LED显示屏灯板及其制备方法， 制备方法包括：(1)采用固晶锡膏将Mini LED芯片固定于基板上， 得到初产品；(2)对初产品进行AOI测试， 获得检测结果， 检测结果包括具有不同缺...
    2025-11-21
  • 基板的制备方法、模具和Micro-LED显示单元
    基板的制备方法、模具和Micro-LED显示单元_深圳市洲明科技股份有限公司_202510873964.5
    本申请实施例公开了基板的制备方法、模具和Micro‑LED显示单元。在基板需要进行刻蚀时， 可以先提供模具， 而后将模具连接于基板， 最后利用模具之上的刻蚀孔对基板进行刻蚀。本申请实施例提供的基板的制备方法较比传统技术中的小间距线路工艺技术...
    2025-11-21
  • 一种基于AI算法优化的MiniLED显示屏光学封装方法及系统
    一种基于AI算法优化的MiniLED显示屏光学封装方法及系统_大晨显示技术(衢州)有限公司_202510815073.4
    本发明提出了一种基于AI算法优化的MiniLED显示屏光学封装方法及系统。属于显示屏技术领域， 所述方法包括：实时获取MiniLED芯片封装过程中的各项数据；获取MiniLED芯片历史封装数据， 基于机器学习算法， 构建AI算法模型；在封装...
    2025-11-21
  • LED显示面板的制备设备、方法、存储介质以及系统
    LED显示面板的制备设备、方法、存储介质以及系统_深圳市卓兴半导体科技有限公司_202510693040.7
    本申请公开了一种LED显示面板的制备设备、方法、存储介质以及系统， 涉及显示技术领域， LED显示面板的制备设备包括料仓以及控制装置， 控制装置连接料仓， 料仓内放置有用于制备LED显示面板的像素原料， 像素原料包括颜色标识不同的子像素原料...
    2025-11-21
  • 将电子元件自基板上移除的方法及其制造发光二极管显示器的方法
    将电子元件自基板上移除的方法及其制造发光二极管显示器的方法_麦科先进股份有限公司_202510142946.X
    本发明提供了将电子元件自基板上移除的方法及其制造发光二极管显示器的方法， 将电子元件自基板上移除的方法中， 电子元件通过焊料所产生的黏结力固接于基板上， 该方法包括施加一能量于该电子元件上， 以减低焊料所产生的黏结力， 以及施加一黏附拔除力...
    2025-11-21
  • 一种微型显示器精准对位与封装的方法
    一种微型显示器精准对位与封装的方法_北京航空航天大学合肥创新研究院_202410481647.4
    本申请公开了一种微型显示器精准对位与封装的方法， 利用正性光刻胶与微型显示器的蓝光发射源进行构造对位空腔， 然后填充红绿量子点材料， 可以在微型显示方案中实现底层蓝光发光结构与上层的转光层实现精准对位， 利用蓝光光源点亮辐照的方式进行实现。...
    2025-11-21
  • 一种改善散热的一次光学LED灯结构及其制作方法
    一种改善散热的一次光学LED灯结构及其制作方法_盐城东山精密制造有限公司_202510792876.2
    本发明提出一种改善散热的一次光学LED灯结构及其制作方法， 包括：铜基板， 其正表面设有固晶区域及第一正负极焊盘， 所述固晶区域为通槽， 防止其短路， 所述正表面的第一正负极焊盘周边蚀刻有第一沟槽， 与第一正负极焊盘配合， 使得锡膏熔化后只...
    2025-11-21
  • 一种SLD发射组件
    一种SLD发射组件_武汉海飞通光电子科技有限公司_202510699685.1
    本申请提供一种SLD发射组件， 包括SLD芯片和基板， 所述基板具有导热性， 所述SLD芯片固定在基板上， 还包括：可调电阻组件；半导体制冷器， 所述可调电阻组件与半导体制冷器电连接， 所述半导体制冷器的制冷端与所述基板相连接。本申请提供地...
    2025-11-21
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510674613.1
    本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、第一钝化层、透明导电层、第二钝化层和第三钝化层；第一钝化层具有第一凹槽， 第二钝化层具有第二凹槽， 第三钝化层具有第三凹槽；第三凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度， 第二凹槽的宽度...
    2025-11-21
  • 一种红外LED发光芯片及其制备方法
    一种红外LED发光芯片及其制备方法_国红(深圳)光电科技有限公司_202511033927.X
    本发明涉及一种红外LED发光芯片及其制备方法， 属于红外光学技术领域， 发光芯片的发光粉化学式为RaQbOc：xCr3+， Yby， 其中R为Y， La， Lu和Gd元素中的一种或两种， Q为Ga、Al元素中的一种或两种， 2.5≤a≤3....
    2025-11-21
  • 一种印刷固化用兼顾高光效高利用率的紫外LED封装结构
    一种印刷固化用兼顾高光效高利用率的紫外LED封装结构_成都恒坤朗宇光电科技有限公司_202510947387.X
    本发明公开了一种印刷固化用兼顾高光效高利用率的紫外LED封装结构， 包括封装支架、封装支架表面四周向上延伸形成具有两个台面的凸起， 凸起包括第一台面和第二台面， 所述第二台面表面上方设置封装透镜， 所述封装透镜与封装支架之间的载物面形成填充...
    2025-11-21
  • 发光器件、显示面板及发光器件的制备方法
    发光器件、显示面板及发光器件的制备方法_苏州市晟隆光电有限公司_202510995535.5
    本申请提供一种发光器件、显示面板及发光器件的制备方法。发光器件包括N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、反射层及电极层。多量子阱层位于N型半导体层上， P型半导体层位于多量子阱层远离N型半导体层的一侧。反射层位于P型半导体层远离N型半导体...
    2025-11-21
  • 一种LED晶圆及处理方法
    一种LED晶圆及处理方法_苏州易芯半导体有限公司_202510874459.2
    本申请提供了一种LED晶圆及处理方法， 通过在蓝宝石衬底的正表面和/或背表面设置氮化铝覆盖区域， 覆盖圆锥状凸起结构顶点， 以减少激光剥离过程中因折射率差异导致的氮化镓过度分解问题， 降低芯片裂纹风险， 提高了LED芯片的电性和光取出效率。
    2025-11-21
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