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  • 为电解槽或类似物生产双极板、单极板或隔板的方法及对应的装置
    为电解槽或类似物生产双极板、单极板或隔板的方法及对应的装置_麦修斯国际有限责任公司_202480020161.9
    本发明涉及一种用于生产双极板、单极板、隔板或类似物的方法和装置， 其中所述方法包括能够以不同顺序执行的以下步骤：‑提供由金属或石墨制成的材料幅材、或聚合物基材料幅材；‑对所述材料幅材进行辊压成型；以及‑切割所述材料幅材， 由此在所述材料幅材...
    2025-11-05
  • 碳纤维片、气体扩散电极基材、膜电极组件及燃料电池
    碳纤维片、气体扩散电极基材、膜电极组件及燃料电池_东丽株式会社_202480020294.6
    一种碳纤维片， 由碳纤维和粘结材料构成， 在该碳纤维片中包含碳纤维片整体的体积的40体积%以上的具有比碳纤维的截面积的10倍大的截面积的粘结材料所占的区域， 在从具有50%填充率且最靠近一个表面的面到具有50%填充率且最靠近另一个表面的面的...
    2025-11-05
  • 集电体、蓄电器件用电极和锂离子二次电池
    集电体、蓄电器件用电极和锂离子二次电池_TDK株式会社_202480015099.4
    集电体具备：树脂层， 其具有主面；和导电层， 其层叠于树脂层的主面上， 具有至少一个针孔， 并以金属为主成分而构成。在与层叠方向平行的截面中， 连结针孔的下端开口的开口边缘和上端开口的开口边缘的线段与树脂层的主面所成的角小于45°。由此， ...
    2025-11-05
  • 粘结剂以及包括其的负极和锂电池
    粘结剂以及包括其的负极和锂电池_三星SDI株式会社_202480020736.7
    提供了粘结剂、包括包含该粘结剂的保护层的负极以及包括该负极的锂电池， 其中， 粘结剂包括第三聚合物， 第三聚合物为一种或更多种第一聚合物与第二聚合物之间的交联反应的产物， 第一聚合物包括第一官能团以及选自被氟取代的聚(酰胺酸)和被氟取代的聚...
    2025-11-05
  • 负极活性材料、制造负极活性材料的方法、负极组合物、包含其的锂二次电池用负极以及包含负极的锂二次电池
    负极活性材料、制造负极活性材料的方法、负极组合物、包含其的锂二次电池用负极以及包含负极的锂二次电池_株式会社LG新能源_202480016280.7
    本申请涉及：负极活性材料， 所述负极活性材料包含第一硅系活性材料和设置在所述第一硅系活性材料表面上的涂层， 其中所述涂层包含第二硅系活性材料， 并且所述第二硅系活性材料的晶粒尺寸为20 nm至200 nm；制备所述负极活性材料的方法；负极组...
    2025-11-05
  • 正极材料、正极和电池
    正极材料、正极和电池_松下控股株式会社_202480015165.8
    本公开的正极材料10具备被覆活性物质100和第二固体电解质105， 所述被覆活性物质100包含正极活性物质101和被覆层102， 所述被覆层102包含第一固体电解质且被覆正极活性物质101的表面的至少一部分。第一固体电解质包含Li、Ti、M...
    2025-11-05
  • 二次电池用正极活性物质及包括该正极活性物质的二次电池
    二次电池用正极活性物质及包括该正极活性物质的二次电池_SK新能源株式会社_202380095839.5
    提供一种二次电池用正极活性物质及包括该正极活性物质的二次电池。二次电池用正极活性物质包含活性物质核以及形成在所述活性物质核的表面上的涂层物质。涂层物质包含铌(Nb)作为涂层元素， 并且进一步包含钨(W)和磷(P)中的至少一种。通过涂层物质，...
    2025-11-05
  • 负极和包括其的锂电池
    负极和包括其的锂电池_三星SDI株式会社_202480021709.1
    提供了一种包括负极的锂电池， 该负极包括：负极集流体；以及电沉积诱导层， 设置在负极集流体上并且包括第一碳质材料， 其中， 第一碳质材料是包含氮元素的非晶碳， 并且基于第一碳质材料的总重量， 包含在第一碳质材料中的氮元素的量大于1wt%。
    2025-11-05
  • 非水电解液二次电池用正极片材及非水电解液二次电池
    非水电解液二次电池用正极片材及非水电解液二次电池_富士胶片株式会社_202480017582.6
    一种正极片材及具有该片材作为正极的非水电解液二次电池， 所述正极片材为将正极集流体及正极活性物质层进行层叠而成的正极片材， 其中， 上述正极活性物质层包含正极活性物质及导电助剂， 并且具有120μm以上的厚度， 上述导电助剂的比表面积x(m...
    2025-11-05
  • 二次电池和电子装置
    二次电池和电子装置_宁德新能源科技有限公司_202380095334.9
    一种二次电池和电子装置。二次电池包括壳体和电极组件。电极组件包括负极极片和正极极片。负极极片包括负极集流体和负极活性材料层。正极极片包括正极集流体和正极活性材料层。沿第一方向， 电极组件中正极活性材料层的层数为N。电极组件包括沿与第一方向垂...
    2025-11-05
  • 压延颗粒层的制造装置和压延颗粒层的制造方法
    压延颗粒层的制造装置和压延颗粒层的制造方法_日本瑞翁株式会社_202480017299.3
    本发明实施例提供了一种压延颗粒层的制造装置， 其包括：供给部， 其构成为供给颗粒；支承运送部， 其构成为支承从所述供给部供给的所述颗粒并将所述颗粒从上游向下游运送；挤压部， 其配置成在所述支承运送部上与所述支承运送部之间设有间隙， 构成为平...
    2025-11-05
  • 形成用于电化学电池的电极的方法和用于电化学电池的电极
    形成用于电化学电池的电极的方法和用于电化学电池的电极_吉地股份公司_202480015092.2
    一种形成用于电化学电池的电极的方法， 包括设置具有厚度、长度(L)和高度(H)的电极片(11)， 其中长度(L)沿纵向测量， 高度(H)沿横向测量， 厚度沿垂直于纵向和横向的方向测量， 所述电极片(11)具有纵向自由边缘(12a)；在从自由...
    2025-11-05
  • 用于高密度金属对金属键合的键合结构及其形成方法
    用于高密度金属对金属键合的键合结构及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480020270.0
    键合组件包括第一半导体裸片， 该第一半导体裸片被键合到第二半导体裸片。第一半导体裸片包括：第一电介质材料层， 该第一电介质材料层位于第一半导体器件上；第一金属互连结构， 该第一金属互连结构被嵌入在第一电介质材料层中并且电连接至第一半导体器件...
    2025-11-05
  • 具有热电冷却器的半导体装置
    具有热电冷却器的半导体装置_德州仪器公司_202480013537.3
    本公开描述了包含热电冷却器的半导体装置以及操作所述半导体装置的方法。一种半导体装置(100)包含SOI衬底(105)， 所述SOI衬底具有在操作期间生成热量的一或多个组件(例如， 晶体管)。所述半导体装置(100)包含包围所述晶体管的热电冷...
    2025-11-05
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202480000955.9
    公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：在竖直方向上堆叠的多个管芯；沉积在最顶部的管芯的顶表面上的导热层；位于最底部的管芯的底表面上的基底管芯；以及竖直地延伸穿过多个管芯的第一接触结构。第一接触结构包括一个或多个第一通道。每个第...
    2025-11-05
  • 冷却器
    冷却器_日轻金ALMO株式会社_202380095145.1
    本发明提供一种冷却器， 所述冷却器谋求每个冷却部位的冷却性能的提高以应对发热体的温度差， 且可实现冷却液的有效利用。一种冷却器1， 包括受热面侧的上部板10、以及与上部板10平行地对置的下部板20， 所述冷却器1包括单个或多个线状流路2， ...
    2025-11-05
  • 封装电子器件及相关方法
    封装电子器件及相关方法_伯恩斯公司_202380090985.9
    在一些实施例中， 封装器件可以包括具有实现在主体相对侧上的第一电极和第二电极的电子器件。电子器件可夹在第一端子组件和第二端子组件之间， 其中， 第一端子组件和第二端子组件配置成为封装器件提供表面贴装器件(SMD)格式， 从而允许电子器件容易...
    2025-11-05
  • 位于蚀刻阻止层之间并由气隙隔开的金属线及其形成方法
    位于蚀刻阻止层之间并由气隙隔开的金属线及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480020684.3
    一种半导体结构包括嵌入在接触级介电层中的接触级金属结构、上覆于接触级介电层的过孔级介电层、上覆于过孔级介电层的蚀刻阻止介电层、各自包括金属线部分和至少一个过孔部分的集成的线和过孔结构、上覆于相应金属线部分的顶部表面的离散蚀刻阻止介电顶盖导轨...
    2025-11-05
  • 激光剥离组合物、层叠体以及带电路基板的加工方法
    激光剥离组合物、层叠体以及带电路基板的加工方法_信越化学工业株式会社_202480017736.1
    本发明是一种激光剥离组合物， 包括最大吸收波长(λmax)处于300nm～500nm波长区域且具有羟基苯基三嗪骨架的化合物(I)。由此提供一种激光剥离组合物， 能够使支撑体与基板易于接合， 并可在高落差基板上形成均匀膜厚， 对TSV形成、晶...
    2025-11-05
  • 半导体粘合用膜
    半导体粘合用膜_栗村化学株式会社_202480017454.1
    本发明一实施例的半导体粘合用膜包括：基材层；导电层， 形成在所述基材层上；以及粘合层， 形成在所述导电层上， 当施加1kV的电压时， 表面电阻在1×1011Ω/sq至1×1013Ω/sq的范围内， 所述粘合层的厚度为15μm至50μm。当本...
    2025-11-05
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